晶片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶片封装结构及其制作方法，所述晶片封装结构，包括一半导体基板、至少一晶片、一封装胶体以及一遮蔽层。晶片配置于半导体基板上且电性连接至半导体基板。封装胶体配置于半导体基板上，且至少包覆晶片与部分半导体基板。遮蔽层配置于封装胶体上，其中遮蔽层包括多个配置于半导体基板上且环绕晶片的导电连接结构。导电连接结构以环状方式围绕晶片配置，且晶片与导电连接结构相互分离。遮蔽层通过导电连接结构电性连接至半导体基板。本发明专利技术提供的晶片封装结构，具有提升电磁干扰屏蔽性能，本发明专利技术提供的晶片封装结构的制作方法，具有较佳的设计灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种。
技术介绍
电磁干扰(electro-magnetic interference)对于大多数的电子产品或系统而言 是一严肃且富有挑战性的问题。由于电磁干扰常中断、阻碍、降低或限制电子装置或整体电 路系统的性能表现，因此需要有效的电磁干扰屏蔽，以确保电子装置或系统的效率与安全 操作。 电磁干扰屏蔽的性能对于小尺寸、高密度的封装体或应用于高频率的敏感电子仪 器非常重要。 一般而言，大都是通过增加金属板与/或导电性的垫圈来提升电磁干扰屏蔽 的性能，但此方式会提高制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装结构的制作方法，可提供较佳的设计灵活性。 本专利技术提供一种晶片封装结构，具有提升电磁干扰屏蔽的性能。 本专利技术提供的晶片封装结构，其包括一基板、至少一晶片配置于基板上、一封装胶体以及一具有多个导电连接结构的遮蔽层。配置于基板上的导电连接结构排列于封装胶体内且环绕晶片配置。遮蔽层配置于封装胶体上，以覆盖封装胶体的上表面。遮蔽层通过导电连接结构电性连接至半导体基板。 在本专利技术的一实施例中，上述的导电连接结构可为间柱(stud)或镀通孔结构(plated via structure)，暴露出封装胶体的侧壁或不暴露出封装胶体的侧壁。 在本专利技术的一实施例中，上述的晶片通过多个凸块与晶片封装结构的积层基板电性连接。 在本专利技术的一实施例中，上述的封装胶体的侧壁为倾斜面。 本专利技术提供的晶片封装结构的制作方法。首先，提供一具有多个基板单元的阵列 基板，至少一晶片配置于一阵列基板的一基板单元上，且晶片电性连接至基板单元。接着， 形成一封装胶体于阵列基板上，以覆盖晶片与部分基板单元。接着，进行一标记制程以移除 部分封装胶体至暴露出每一基板单元的一上表面，而形成多个通孔或多个沟渠。之后，形成 一遮蔽层于封装胶体上以覆盖封装胶体，同时形成多个导电连接结构于通孔内，以覆盖每 一基板单元被暴露出的上表面。进行一单体化制程，以形成多个晶片封装结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的导电连接结构可排列于阵列基板的切割线上与每 一基板单元的多条边界线上，因此单体化制程时会切穿导电连接结构与阵列基板。当然，导 电连接结构也可排列环绕每一基板单元的边界线且与边界线保持一间隔距离，因此单体化 制程时不会切穿导电连接结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的遮蔽层与导电连接结构的形成方式是由一金属 材料且利用包括喷涂法(spraying process)、溅镀法(sputteri卿rocess)或电镀法(plating process)所形成。 在本专利技术的一实施例中，可依据完全填满或部分的填充通孔，在形成遮蔽层的同 时形成多个间柱或多个镀通孔结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的标记制程包括一雷射挖空制程(laserdigging process)或——雷身寸钻孑L制禾呈(laser drilling process)。 基于上述，遮蔽层与间柱配置于基板上的作用可视为晶片封装结构的电磁干扰屏 蔽。在本专利技术之中，通过具有弹性且多种设计型态的遮蔽层与间柱，可改善制程的空间。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并结合附图作详 细说明如下。附图说明 图IA至图IF'为本专利技术的一实施例的一种晶片封装结构的制作方法的示意图。 图2为本专利技术的一实施例的一种晶片封装结构的剖面示意图。 图3为本专利技术的另一实施例的一种晶片封装结构的剖面示意图。 图4为本专利技术的又一实施例的一种晶片封装结构的剖面示意图。 图5为本专利技术的再一实施例的一种晶片封装结构的剖面示意图。 图6A至图6B'为本专利技术的一较佳实施例的一种晶片封装结构的制作方法的部分步骤的示意图。图7为本专利技术的一实施例的一种晶片封装结构的立体示意图。图8为本专利技术的另一-实施例的一种晶片封装结构的立体示意图主要元件符号说明20b 、 40b :侧表面;100、600 :阵列基板；102、602 :基板单元；102a、602a :上表面；104 :接点；106 :凸块;108 :接地孔；120、620 :晶片;130 、630 :封装胶体;130a、630a :上表面；130b、630b :侧壁;135 :通孔；135a :侧壁；142 :间柱；142a :半间柱；144 :镀通孔结构；144a :半镀通孔结构635 :沟渠；635a :侧壁；642 :环状填充结构；644 :中空环状结构；644a :半中空环状结构；9 :倾斜角；d:间隔距离;140、140'、640、640':遮蔽层；10、20、30、40、50、70、80 :晶片封装结构。具体实施例方式本专利技术所述的晶片封装结构的制作方法可用来制作多种封装结构，其中以制作堆 迭式封装体、多层封装体或具有高频率装置的封装体(包括具有射频装置的封装体)最为适合。此外，本专利技术的晶片封装结构的制作方法与利用积层基板的制作方法或阵列基板的 制作方法的封装制程相互符合。 图1A至图1F'为本专利技术的一实施例的一种晶片封装结构的制作方法的示意图。在 此必须说明的是，为了方便说明起见，图ID'与图1D所示为立体示意图，图1A至图1D、图 1E至图IF与图IE'至图IF'所示为剖面示意图。 请先参考图1A，提供一阵列基板100。阵列基板100具有多个基板单元102(是由 后面所示出的为虚线的切割线所定义)，其中每一基板单元102上包括多个接点104。这些 接点104的作用与覆晶接合技术中的凸块焊垫的作用相同。阵列基板100可为一积层基板， 例如可以是一印刷电路板(PrintedCircuit Board ;简称为PCB)。 接着，请参考图1B，至少一晶片120配置于每一基板单元102的上表面102a上。 虽然本实施例是提供晶片120配置于每一基板单元102的上表面102a上，但在其他实施例 中，也可以是提供多个表面黏着型元件贴附于每一基板单元102的上表面102a上，这种方 式也属于本专利技术可采用的技术方案，不脱离本专利技术所欲保护的范围。晶片120通过多个凸 块106电性连接至基板单元102的这些接点104，其中这些凸块106介于晶片120与这些接 点104之间。虽然本实施例是以覆晶接合技术作为说明，但于其他实施例中，也包括利用打 线接合技术来电性连接晶片120与这些接点104，仍属于本专利技术可采用的技术方案，不脱离 本专利技术所欲保护的范围。较佳地，晶片120配置于基板单元102的中心部。 接着，请参考图1C，通过一封胶制程而形成一封装胶体130于阵列基板100上，以 包覆晶片120、这些接点104、这些凸块106与至少一部分的基板单元102。封胶制程例如可 以为一阵列封胶制程(over-molding process)。封装胶体130的材料例如可以是环氧树脂 (印oxy resins)或硅氧树月旨(silicon resins)。 接着，请参考图1D，进行一标记制程以移除部分封装胶体130至暴露出基板单元 102的上表面102a，而形成多个通孔135。这些通孔135环绕晶片120排列。较佳地，这些 通孔135排列于晶片120与每一基板单元102的边界或周围之间。图1D'所示为图ID的结 构的立体示意图。请同时参考图1D与图1D'本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装结构，其特征在于，包括：一半导体基板；至少一晶片，配置于所述半导体基板上且电性连接至所述半导体基板；一封装胶体，配置于所述半导体基板上，且至少包覆所述晶片与部分所述半导体基板；以及一遮蔽层，配置于所述封装胶体上，其中所述遮蔽层包括多个配置于所述半导体基板上且环绕所述晶片的导电连接结构，多个所述导电连接结构以环状方式围绕所述晶片配置，且所述晶片与多个所述导电连接结构相互分离，所述遮蔽层通过多个所述导电连接结构电性连接至所述半导体基板。

【技术特征摘要】
US 2008-10-31 61/109,937;US 2009-3-31 12/414,996一种晶片封装结构，其特征在于，包括一半导体基板；至少一晶片，配置于所述半导体基板上且电性连接至所述半导体基板；一封装胶体，配置于所述半导体基板上，且至少包覆所述晶片与部分所述半导体基板；以及一遮蔽层，配置于所述封装胶体上，其中所述遮蔽层包括多个配置于所述半导体基板上且环绕所述晶片的导电连接结构，多个所述导电连接结构以环状方式围绕所述晶片配置，且所述晶片与多个所述导电连接结构相互分离，所述遮蔽层通过多个所述导电连接结构电性连接至所述半导体基板。2. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个彼此相互分离的金属间柱，且暴露于所述封装胶体的多个侧壁外。3. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个彼此相互分离的金属间柱，位于所述封装胶体内且未暴露于所述封装胶体的多个侧壁 外。4. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个彼此相互分离的镀通孔结构，且暴露于所述封装胶体的多个侧壁外。5. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个彼此相互分离的镀通孔结构，位于所述封装胶体内且未暴露于所述封装胶体的多个侧 壁外。6. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个实心的环状结构且未暴露于所述封装胶体的多个侧壁外。7. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构为 多个中空环状结构且未暴露于所述封装胶体的多个侧壁外。8. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中多个所述导电连接结构完 全地覆盖所述封装胶体的多个侧壁。9. 根据权利要求8所述的晶片封装结构，其特征在于，其中所述封装胶体的多个所述 侧壁为倾斜面。10. 根据权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，其中所述遮蔽层通过多个所述 导电连接结构与所述半导体基板的至少一接地孔而电性连接至所述半导体基板。11. 一种晶片封装结构的制作方法，其特征在于，包括提供一阵列基板，所述阵列基板具有多个基板单元，其中每一所述基板单元是由多条 切割线所定义；配置至少一晶片于每一所述基板单元上，其中所述晶片电性连接至所述基板单元； 形成一封装胶体于所述阵列基板上，以包覆所述晶片；进行一标记制程以移除部分所述封装胶体至暴露出每一所述基板单元的一上表面，以 形成多个通孔或多个沟渠于所述封装胶体内；形成一遮蔽层于所述封装胶体上以覆盖所述封装胶体，同时形成多个导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东均，李正，安载善，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]