【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅片加工，具体涉及一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法。
技术介绍
1、硅片镜面抛光是硅片加工过程中的重要一环，通过硅片抛光有助于提高硅片表面的光洁度和平整度、实现表面粗糙度的控制、提高工艺的稳定性和可重复性，同时提高工作效率和降低成本。
2、现场实际作业中，硅片镜面抛光结束后，若表面暴露在空气中会吸附空气中的颗粒，若长期保管在非流动水槽中，则易产生镜面污迹。为防止抛光结束表面颗粒及污迹的不良，传统做法是在硅片抛光结束后，将其放置在纯水中。但该种方式缺陷明显：(1)硅片抛光结束放置在纯水中必须不断的保持溢流状态，大量的纯水浪费；(2)剥离结束的硅片不能长期的放置在纯水中易发生污迹不良；(3)抛光结束的产品在交付的过程中，在产品从纯水中拿出时，还存在短暂的产品表面与空气接触的时间，也可能会造成硅片表面的颗粒不良。
技术实现思路
1、本专利技术基于现有技术中硅片镜面抛光后保存方法的技术缺陷，对现有保存方法进行改进，打破了传统的放置在纯水中需要保持溢流的方法造成的纯水浪费现象，同时解决了因放置时间长造成的产生污迹的技术问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法具有如下技术特征：在保存水槽中添加表面活性剂，其具有固定的亲水亲油基团，在溶液的表面能定向排列，具有很好的清洗和发泡的作用。该表面活性剂在硅片脱离纯水时的表面形成保护膜，通过保护膜的防护作用有
4、优选的，在本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法中，表面活性剂选自聚氧乙烯烷基苯酚醚，浓度为15％～16％。
5、进一步优选，在本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法中，聚氧乙烯烷基苯酚醚的浓度为15.5％。
6、优选的，本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法包括如下步骤：
7、(1)向硅片保存水槽中添加一定体积的纯水；
8、(2)向纯水中添加表面活性剂使其达到预定浓度；
9、(3)将镜面抛光完成的硅片放入水槽中，硅片在水槽中保持6-8小时，使用完成后排放更换新水再加入表面活性剂。
10、优选的，在本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法中，纯水体积为硅片保存水槽容积的54％～64％。
11、优选的，在本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法中，所述硅片保存水槽上设置有纯水标准线。
12、优选的，在本专利技术提供的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法中，所述保存水槽设置有带滚轮的水槽支架，水槽排水口设置在底面。
13、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
14、本专利技术由于在硅片保存水槽中添加了表面活性剂，其不仅能使目标溶液表面张力明显下降，而且由于具有固定的亲水亲油基团，在溶液的表面能定向排列，具有很好的清洗和发泡的作用。因此，该表面活性剂能够在硅片脱离纯水时，在硅片表面形成保护膜，通过保护膜的防护作用有效阻止空气中的颗粒粘附到硅片表面。
15、因此，通过保存水槽里加入表面活性剂，不仅在硅片表面形成保护膜可以延长产品放置时间并且有效防止硅片表面的污迹不良发生。打破了传统的放置在纯水中需要保持溢流的方法纯水的浪费现象，同时解决了因放置时间长造成硅片表面污迹产生的技术问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于，停止保存水槽中纯水的溢流状态，向其中添加表面活性剂，然后将待保存硅片置于其中一定时间。
2.根据权利要求1所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于，停止保存水槽中纯水的溢流状态，向其中添加表面活性剂，然后将待保存硅片置于其中一定时间。
2.根据权利要求1所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的防止硅片镜面抛光后表面颗粒及污迹不良的方法，其特征在于：
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚散散，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。