【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种监测通孔偏移的wat测试结构。
技术介绍
1、在半导体芯片生产时，器件(device)需要通孔(ct)进行引出，做后续的布线连接；一般ct与下层的图形例如poly或aa(active area)等都需符合设计规则(design rule)，如偏移量(overlay shift)；若偏移量超出设计规范，则会发生短路，导致芯片的失效；但在生产中，会存在光刻当站检测不出，后续电性能(wat)测试时也检测不出，但芯片却是因overlay严重偏移导致失效的实际。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种监测通孔偏移的wat测试结构，用于解决现有技术中芯片因overlay严重偏移导致失效而在wat中检测不出的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种监测通孔偏移的wat测试结构，至少包括：
3、有源区；
4、形成于所述有源区上的多晶硅结构；所述多晶硅结构为中空结构，其中空部分将所述有源区的上表面中心区域暴露；
5、所述有源区的所述中心区域的中心位置设有第一接触孔，该第一接触孔与所述多晶硅结构的横向距离和纵向距离分别等于最小设计规则。
6、优选地，所述有源区用于形成器件结构。
7、优选地，所述多晶硅结构为矩形中空结构，并且其中空部分的形状为矩形。
8、优选地，所述多晶硅结构的中空部分的一侧还设有第二、第三接触孔。
10、优选地，所述第一金属结构和第二金属结构分别引出测试点。
11、优选地，所述第一金属结构和第二金属结构分别引出测试点。
12、优选地，所述wat测试结构通过所述第一金属结构和第二金属结构引出的所述测试点，测试所述第一接触孔至所述多晶硅结构的漏电流以及击穿电压，通过判断所测得的漏电流和击穿电压是否正常来判断所述第一接触孔分别与所述多晶硅结构的横向距离和纵向距离的套刻偏移是否在允许范围。
13、如上所述，本专利技术的监测通孔偏移的wat测试结构，具有以下有益效果：本专利技术通过在有源区上设计一圈多晶硅来包围接触孔，通过测试该接触孔与多晶硅的漏电流和击穿电压，以此判断该接触孔与多晶硅结构在横向和纵向的距离的套刻偏移是否在允许范围。
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1.一种监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述有源区用于形成器件结构。
3.根据权利要求1所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述多晶硅结构为矩形中空结构，并且其中空部分的形状为矩形。
4.根据权利要求3所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述多晶硅结构的中空部分的一侧还设有第二、第三接触孔。
5.根据权利要求4所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述第一接触孔上设有用于连接所述第一接触孔的第一金属结构；所述第二、第三接触孔上设有用于连接第二、第三接触孔的第二金属结构。
6.根据权利要求5所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述第一金属结构和第二金属结构分别引出测试点。
7.根据权利要求6所述的监测通孔偏移的WAT测试结构，其特征在于：所述WAT测试结构用于测试所述第一接触孔分别与所述多晶硅结构的横向距离和纵向距离的套刻偏移是否在允许范围。
8.根据权利要求7所述的
...【技术特征摘要】
1.一种监测通孔偏移的wat测试结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的监测通孔偏移的wat测试结构，其特征在于：所述有源区用于形成器件结构。
3.根据权利要求1所述的监测通孔偏移的wat测试结构，其特征在于：所述多晶硅结构为矩形中空结构，并且其中空部分的形状为矩形。
4.根据权利要求3所述的监测通孔偏移的wat测试结构，其特征在于：所述多晶硅结构的中空部分的一侧还设有第二、第三接触孔。
5.根据权利要求4所述的监测通孔偏移的wat测试结构，其特征在于：所述第一接触孔上设有用于连接所述第一接触孔的第一金属结构；所述第二、第三接触孔上设有用于连接第二、第三接触孔的第二金属结构。...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑书红，王乐平，隋建国，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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