多束激光二极管制造技术

本发明专利技术提供多束激光二极管，该多束激光二极管在结下组装的情况下能够改善散热特性。对激光二极管元件的突出条分别提供接触电极，并且提供焊盘电极并避开突出条和接触电极。接触电极和焊盘电极通过配线电极连接，并且接触电极覆盖有第一绝缘膜。由此，能够实现电连接而不直接将接触电极与焊料层接合。在第一绝缘膜上提供由金属构成的导热层，导热层与焊料层接合，并且由此甚至在结下组装的情况下也能够改善散热特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及从一个发光装置辐射多束激光的多束激光二极管。
技术介绍
在多束激光二极管中，所希望的是有利于散热的结下(junction-down) 组装。然而，在光束间隔很小的情况下，电极的宽度和焊料层的宽度变得很 小，并且由于下述原因难于实现结下组装。就是说，在结下组装中，在元件 侧提供条状的接触电极，并且在基台(支撑)侧提供与元件侧类似的条状的 焊料层。通过将接触电极与焊料层接合，获得电接触。在该方法中，根据焊 料接合的安装精度，例如，存在下面的问题1、泄漏；2、散热特性下降； 以及3、给条施加不均匀的焊料接合应力。1、泄漏产生于在接合中焊料延伸到相邻的接触电极的情况。随着 节距的变小或者光束数量的变大，这样的泄漏变为很大的缺点。2、散热特 性下降由光束间焊料接合的差别引起。由于电极的宽度和焊料层的宽度变 得较小，安装精度的公差范围变得很小。因此，即使安装位置略微移位，与 焊料的接合状态根据每个像素而不同。3、给条施加不均匀的焊料接合应 力也由安装位置移位引起。如果焊料接合而相对于条留下位移，则给条施 加不均的接合应力，这影响偏振特性和可靠性。为了解决前述缺点，例如，在日本未审查专利申请公开No. 2000-269601 中，揭示了下面的结构。在该结构中，在结下组装的情况下，通过在多束激 光二极管设备的发光元件之间提供高电阻隔离区域，防止了因层间绝缘膜在 接合中的损坏引起的发光元件之间的短路。此外，例如，在日本未审查专利 申请公开No. 2006-24665中，揭示了下面的结构。在该结构中，在结下组装 的状态下，在覆盖条的第一电极上形成绝缘膜，在绝缘膜中提供的开口中形 成第二电极，并且由此第一电极和第二电极电连接，而第二电极通过焊料接 合到基台。
技术实现思路
然而，在日本未审查专利申请公开No. 2000-269601应用于结下组装的 情况下，焊料层和条上的电极没有接合，并且存在散热特性下降的问题，留 下了改进的空间。此外，在日本未审查专利申请公开No. 2006-24665中'，存 在给条施加焊料接合应力的缺点，这影响偏振特性，并且必须保证高精确的 安装位置精度。考虑到这样的缺点，在本专利技术中，所希望的是提供这样的多束激光二极 管，其在结下组装的情况下能够改善散热特性。根据本专利技术的实施例，所提供的多束激光二极管包括下面的成分A至F: A:激光二极管元件，具有多个突出条； B:接触电极，分别提供给多个突出条；C:多个焊盘电极，提供在该激光二极管元件的形成该多个突出条的面 上并避开该多个突出条；D:配线电极，将该接触电极连接到该多个焊盘电极的一个或多个；E:第一绝缘膜，在该接触电极上；以及F:导热层，由提供在该第一绝缘膜上的金属构成。在该多束激光二极管中，接触电极通过配线电极连接到焊盘电极，并且 覆盖有第一绝缘膜。因此，接触电极通过焊盘电极和配线电极驱动，而不直 接将接触电极与焊料层接合。此外，在第一绝缘膜上提供由金属构成的导热 层。因此，激光二极管元件中产生的热通过导热层释^:到焊料层和支撑。根据本专利技术实施例的多束激光二极管，接触电极通过配线电极连接到焊 盘电极，并且覆盖有第一绝缘膜。因此，能够实现电连接而不直接将接触电 极与焊料层接合。此外，在第一绝缘膜上提供由金属构成的导热层。因此， 通过将导热层接合到焊料层，在结下组装的情况下，能够改善散热特性。本专利技术其它的和进一步的目标、特征和优点将通过下面的描述而变得更 加明显易懂。附图说明图1是图解根据本专利技术第一实施例的多束激光二极管结构的截面图； 图2是图解图1所示的多束激光二极管从形成突出条的面一侧观察的结 构平面图；图3A是沿着图2的IIIA-niA线剖取的截面图，而图3B是沿着图2的 IIIB-IIIB线剖取的截面图4是图解图1所示支撑从形成焊料层的面一侧〗現察的结构平面图5是图解图1所示激光二极管元件的示例的截面图6是图解制造图2至图4所示多束激光二极管的方法流程的流程图7是图解按照步骤顺序制造图6所示多束激光二极管方法的平面图8是图解图7所示步骤的后续步骤的平面图9是图解图8所示步骤的后续步骤的平面图IO是图解图9所示步骤的后续步骤的平面图ll是图解图IO所示步骤的后续步骤的平面图12是图解图11所示步骤的后续步骤的平面图13是图解图12所示步骤的后续步骤的平面图14是图解根据本专利技术第二实施例的多束激光二极管结构的截面图15是图解图14所示多束激光二极管从形成突出条的面一侧观察的结 构平面图16A是沿着图15的XVIA-XVIA线剖取的截面图，图16B是沿着图 15的XVIB-XVIB线剖取的截面图，而图16C是沿着图15的XVIC-XVIC线剖取的截面图17是图解图14所示支撑从形成焊料层的面一侧观察的结构平面图； 图18是图解制造图15至17所示多束激光二极管的方法流程的流程图； 图19是图解按照步骤顺序制造图18所示多束激光二极管方法的平面图20是图解图19所示步骤的后续步骤的平面图； 图21是图解图20所示步骤的后续步骤的平面图； 图22是图解图21所示步骤的后续步骤的平面图； 图23是图解图22所示步骤的后续步骤的平面图； 图24是图解图23所示步骤的后续步骤的平面图； 图25是图解图24所示步骤的后续步骤的平面图； 图26是图解图25所示步骤的后续步骤的平面图； 图27是图解图26所示步骤的后续步骤的平面图； 图28是图解图27所示步骤的后续步骤的平面6图29是图解根据本专利技术第三实施例的多束激光二极管从形成突出条的 面 一侧观察的结构平面图30A是沿着图29的XXXA-XXXA线剖取的截面图，图30B是沿着 图29的XXXB-XXXB线剖取的截面图，而图30C是沿着图29的 XXXC-XXXC线剖取的截面图31是图解制造图29和图30所示多束激光二极管方法流程的流程图32是图解按照步骤顺序制造图31所示多束激光二极管方法的平面图33是图解图32所示步骤的后续步骤的平面图； 图34是图解图33所示步骤的后续步骤的平面图； 图35是图解图34所示步骤的后续步骤的平面图； 图36是图解图35所示步骤的后续步骤的平面图； 图37是图解图36所示步骤的后续步骤的平面图； 图38是图解图37所示步骤的后续步骤的平面图；以及 图39是图解图38所示步骤的后续步骤的平面图。具体实施例方式下面，将参考附图详细描述本专利技术的实施例。以下面的顺序给出描述。1、 第一实施例(两束激光器)2、 第二实施例(四束激光器第二绝缘膜提供在接触电极和配线电极 之间情况的示例)3、 第三实施例(四束激光器配线电极形成在高电阻区域中情况的示例)1、第一实施例 多束激光二极管的结构图1图解了根据本专利技术第一实施例的多束激光二极管的纵向截面结构。 多束激光二极管用作例如打印机等的光源。例如，多束激光二极管具有多束 激光二极管元件10，其中两个突出条(条)11A和11B形成在一个面上。 突出条(条)11A和11B的长度(谐振器长度)例如约为400 pm至500 pm。 在形成突出条IIA和11B的面相对于支撑(基台)20的结下状态下，激光 二极管元件10通过焊料层30连接到支撑20。7图2图解了图1所示多束激光二极管从形成突出条IIA和11B的面看 的平面结构。图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多束激光二极管，包括：　激光二极管元件，具有多个突出条；　接触电极，分别提供给该多个突出条；　多个焊盘电极，提供在该激光二极管元件的形成有该多个突出条的面上并避开该多个突出条；　配线电极，将该接触电极连接到该多个 焊盘电极的一个或多个；　第一绝缘膜，在该接触电极上；以及　导热层，由提供在该第一绝缘膜上的金属构成。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-22 214701/081、一种多束激光二极管，包括激光二极管元件，具有多个突出条；接触电极，分别提供给该多个突出条；多个焊盘电极，提供在该激光二极管元件的形成有该多个突出条的面上并避开该多个突出条；配线电极，将该接触电极连接到该多个焊盘电极的一个或多个；第一绝缘膜，在该接触电极上；以及导热层，由提供在该第一绝缘膜上的金属构成。2、 根据权利要求1所述的多束激光二极管，其中该第一绝缘膜由选自 由A1N、 SiC、金刚石、BN、 Si02和SiN组成的组中的一种或者多种构成。3、 根据权利要求2所述的多束激光二极管，其中该接触电极相对于该 突出条具有对称的宽度。4、 根据权利要求3所述的多束激光二极管，其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极，并且该 其它的接触电极通过第二绝缘膜与该配线电极绝缘。5、 根据权利要求4所述的多束激光二极管，其中该第二绝缘膜由选自 由A1N、 SiC、金刚石、BN、 Si02和SiN组成的组中的一种或者多种构成。6、 根据权利要求3所述的多束激光二极管，其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极，并且该 配线电极形成在该激光二极管元件中的高电阻区域中。7、 根据权利要求6所述的多束激光二极管，其中该高电阻区域是提供 有离子注入和去除p...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤慎也，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]