本申请公开了一种关断电阻的驱动方法和电力电子变换器，该方法应用于关断电阻的驱动电路，该驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体MOS管。其中，该方法包括：获取脉宽调制驱动器的第一输出电压，以及非门的第二输出电压；响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通；利用导通的信号开关，控制寄生电容同时通过第一关断电阻和第二关断电阻放电，其中，第一关断电阻和第二关断电阻用于驱动功率MOS管。本申请解决了传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子，具体而言，涉及一种关断电阻的驱动方法和电力电子变换器。
技术介绍
1、目前，在传统的驱动电路中，为了减少开关管的关断损耗，需要加快开关管的关断速度，但较快的关断速度会导致开关管的关断应力过高，从而存在传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的问题。
2、针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种关断电阻的驱动方法和电力电子变换器，以至少解决传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的技术问题。
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种关断电阻的驱动方法，该方法应用于关断电阻的驱动电路，该驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管。其中，该方法可以包括：获取脉宽调制驱动器的第一输出电压，以及非门的第二输出电压；响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通；利用导通的信号开关，控制寄生电容同时通过第一关断电阻和第二关断电阻放电，其中，第一关断电阻和第二关断电阻用于驱动功率mos管。
3、可选地，该驱动电路还包括：图腾驱动电路，其中，该图腾驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一mos管和第二mos管，该方法还包括：响应于第一输出电压为高电平，控制第一mos管导通；利用导通的第一mos管，控制驱动供电电源依次经由第二电阻、第一mos管、第二关断电阻和寄生电容，向功率mos管充电。
>4、可选地，该方法还包括：响应于向功率mos管充电成功，控制信号开关截止。5、可选地，该驱动电路还包括：第一电容，响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通，包括：响应于第一输出电压为低电平，控制第二mos管导通，其中，第二mos管导通与第一关断电阻和第二关断电阻连接；响应于第二输出电压为高电平，利用导通的第二mos管，通过第一电容控制信号开关导通。
6、可选地，该驱动电路还包括：第三电阻，在寄生电容同时通过第一关断电阻和第二关断电阻放电之后，该方法还包括：将第二输出电压经由第三电阻，传输至第一电容，其中，第一电容与非门和第三电阻连接；利用第二输出电压向第一电容充电。
7、可选地，在利用第二输出电压向第一电容充电之后，该方法还包括：响应于第一电容的第一两端电压呈上升趋势，且第三电阻的第二两端电压呈下降趋势，获取第二两端电压；响应于第二两端电压为信号开关的截止电压，控制信号开关关断。
8、可选地，该方法还包括：利用关断后的信号开关，控制寄生电容通过第二关断电阻放电。
9、可选地，该方法还包括：获取信号开关的导通时间；利用第一电容和第三电阻，调整导通时间。
10、可选地，该方法还包括：利用第一电容和第三电阻，调整第一关断电阻和第二关断电阻。
11、根据本申请实施例的另一方面，还提供了一种关断电阻的驱动装置，该装置应用于关断电阻的驱动电路，该驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管。其中，该装置可以包括：第一获取单元，用于获取脉宽调制驱动器的第一输出电压，以及非门的第二输出电压；第一控制单元，用于响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通；驱动单元，用于利用导通的信号开关，控制寄生电容同时通过第一关断电阻和第二关断电阻放电，其中，第一关断电阻和第二关断电阻用于驱动功率mos管。
12、根据本申请实施例的另一方面，还提供了一种电力电子变换器，包括上述关断电阻的驱动电路。
13、本申请实施例的关断电阻的驱动方法应用于关断电阻的驱动电路，该驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管。其中，该方法可以包括：获取脉宽调制驱动器的第一输出电压，以及非门的第二输出电压；响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通；利用导通的信号开关，控制寄生电容同时通过第一关断电阻和第二关断电阻放电，其中，第一关断电阻和第二关断电阻用于驱动功率mos管。也就是说，本申请实施例中通过调节第一关断电阻和第二关断电阻，来优化开关管的关断特性，进而实现了驱动电路同时兼顾关断速度和关断应力的技术效果，解决了传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的技术问题。
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【技术保护点】
1.一种关断电阻的驱动方法，其特征在于，应用于关断电阻的驱动电路，所述驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体MOS管，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：图腾驱动电路，其中，所述图腾驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一MOS管和第二MOS管，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：第一电容，响应于所述第一输出电压为低电平，且所述第二输出电压为高电平，控制所述信号开关导通，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：第三电阻，在所述寄生电容同时通过所述第一关断电阻和所述第二关断电阻放电之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在利用所述第二输出电压向所述第一电容充电之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
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8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.一种电力电子变换器，其特征在于，用于执行权利要求1至9中任意一项所述的方法。
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【技术特征摘要】
1.一种关断电阻的驱动方法，其特征在于，应用于关断电阻的驱动电路，所述驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：图腾驱动电路，其中，所述图腾驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一mos管和第二mos管，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：第一电容，响应于所述第一输出电压为低电平，且所述第二输出电压为高电平，控制所述信号开关导通...
【专利技术属性】
技术研发人员：李锐，朱益波，孙涛，王金鑫，
申请(专利权)人：杭州中恒电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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