【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅生产工艺，具体涉及一种单晶硅拉晶收尾的控制方法。
技术介绍
1、利用直拉单晶炉生产单晶硅棒工艺过程中，晶体等径生长完成后，如果将晶体与熔液立即分开，因热应力原因会在晶体中产生位错和滑移线，并延晶体向上延伸，其延伸长度可达晶体一个直径，为了避免这种情况发生，必须将晶体直径慢慢缩小，直至缩尖才与液面分开，这一过程即为收尾。
2、由于拉晶炉内结构的限制，以及收尾工艺的特别，无法通过目视或者其他视觉软件对收尾时的固液界面进行实时监控，因此无法获取晶体的实际直径，而收尾工艺要求晶体的直径逐渐减小并以最小接触面离开熔体，以保证晶体不会产生缺陷；
3、现有拉晶收尾工艺主要是通过控制单晶拉速，在单晶收尾结束前随单晶收尾长度的变化而调节单晶拉速，以保证不会发生提断，而晶体直径的变化直接关系到收尾的长度以及形状；如直径减小过慢，则收尾长度会过长，从而导致收尾用料较多，且收尾时间长；而直径减小过快的话，降低了收尾长度虽然有利于减少收尾用料，提高收率，减少收尾时间，但尾部长度过短则容易产生位错，使晶体失去完整单晶结构。
技术实现思路
1、为解决现有技术的缺陷和不足问题；本专利技术的目的在于提供一种单晶硅拉晶收尾的控制方法。
2、为实现上述目的，本专利技术包括如下步骤：
3、一：在提升机上安装称重模块，通过称重模块监控收尾拉晶的重量变化δm；
4、二：通过测径仪测出单晶硅开始收尾的半径r1；
5、三：测出单晶硅拉晶收
6、四：根据公式：计算出r2；
7、五：通过r1-r2计算出δr；
8、六：提升速度v的控制，若δh＝2δr，提升速度v合理；若δr>1/2δh，提升速度v过高，需将提升速度v降低；若δr＜1/2δh，提升速度v过低，需将提升速度v上升。
9、作为优选，单晶硅拉晶收尾的高度变化δh，包括晶体提升高度和液位下降高度的总和。
10、作为优选，所述开始收尾的半径r1≥180mm。
11、作为优选，在拉晶收尾初期，控制拉晶拉速为0.2～0.5mm/min。
12、作为优选，单晶硅拉晶收尾的高度变化δh，采用激光光斑经过图像处理算法，提取两个光斑的边缘，计算出两个激光光斑中心的距离，从而得到单晶硅开始收尾时到硅液面的距离。
13、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术通过的公式能快速计算出单晶硅拉晶收尾接触硅液面的半径r2，再通过δh与2倍的(r1-r2)进行比较，来控制晶体提拉时的速度，保证晶体提拉速度的稳定性，提升晶体拉晶收尾品质稳定的可控性。
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1.一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，其方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：单晶硅拉晶收尾的高度变化Δh，包括晶体提升高度和液位下降高度的总和。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：所述开始收尾的半径R1≥180mm。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：在拉晶收尾初期，控制拉晶拉速为0.2～0.5mm/min。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：单晶硅拉晶收尾的高度变化Δh，采用激光光斑经过图像处理算法，提取两个光斑的边缘，计算出两个激光光斑中心的距离，从而得到单晶硅开始收尾时到硅液面的距离。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，其方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：单晶硅拉晶收尾的高度变化δh，包括晶体提升高度和液位下降高度的总和。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，其特征在于：所述开始收尾的半径r1≥180mm。
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