溶解变形用药液及溶解变形处理方法技术

本发明专利技术的目的在于提供溶解变形用药液及溶解变形处理方法。其中，所述溶解变形用药液可以对有机膜图案进行均匀的溶解变形处理。本发明专利技术为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。另外，本发明专利技术为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。特别是涉 及形成于基板上的有机膜图案的溶解变形用药液及溶解变形处理方 法。
技术介绍
目前，有如下技术在半导体晶片、LCD(液晶显示器，Liquid Crystal Display)基板或其它基板上形成有机膜图案后，利用以该有机膜图案为 掩模的蚀刻，对底膜即基板进行图案加工，由此形成配线电路等。需 要说明的是，在底膜加工之后，有机膜图案通过剥离处理而除去。另外，还有如下技术例如专利文献1、 2、 3所示，在加工底膜 后使有机膜图案变形，以变形后的有机膜图案为掩模，再次对底膜进 行加工，其后，除去有机膜图案。更具体而言，在专利文献1、 2、 3所述的方法中，首先，将通过 使有机膜图案溶解而变形的溶解变形处理作为主要的处理来进行。其 后，以变形后的有机膜图案为掩模，再次对底膜进行加工，其后，除 去有机膜图案。需要说明的是，使有机膜图案溶解变形的处理为使有机膜图案回 流的处理。因此，溶解变形处理也称为溶解变形回流处理、溶解回流 处理或简单称为回流处理。另外，溶解变形处理基本上通过将基板暴露在气体氛围中来进行。 因此，也称为气体氛围处理。另外，为了使溶解变形处理稳定化， 一般进行预先将基板温度调 节为适当的处理温度的温度调节处理(主要是冷却)。另外，为了烘焙溶 解变形处理后的有机膜图案， 一般也进行加热处理。现有的溶解变形处理(或气体氛围处理)中，使用例如醇类(R-OH)、烷氧基醇类、醚类(R-O-R、 Ar-O-R 、 Ar-O-Ar)、酯类、酮类、二醇类、 亚垸基二醇类、二醇醚类等有机溶剂(R表示垸基或取代垸基，Ar表示 苯基或苯基以外的芳香环)。通过将基板暴露在使含有这些有机溶剂的 溶液气化的气体氛围中来进行溶解变形处理。更具体而言，通过将基 板暴露在利用加热而蒸发的蒸气、或由使用惰性气体的起泡产生的蒸 气中来进行。在该溶解变形处理中，有机膜图案通过溶剂浸透到有机 膜图案的内部而溶解，产生液化以及流动化。专利文献1:日本特开2002-334830号公报 专利文献2:日本特开2005-159292号公报 专利文献3:日本特开2005-159342号公报
技术实现思路
但是，有机膜图案的溶解变形处理中，通常可以引起达到5 2(Him 的变形，根据情况也可以为100nm以上的变形。但是，由于变形量大， 因此溶解变形(回流)不均匀时，有时难以使有机膜图案精度良好地变形 为目标形状。因此，在对回流后的有机膜图案的形状要求一定程度的 精度时，需要更均匀地进行回流。另外，在将有机膜图案应用于光刻工序的减少时，在通道部的源 极、漏极形成掩模用的有机膜图案(此时为抗蚀剂图案)中，尤其是使分 离成通道部附近的源极、漏极2个的抗蚀剂图案变形为目标形状，在 相互连接的处理中使用溶解变形处理。但是，存在如下问题为了使 抗蚀剂图案的连接可靠，最好使由溶解变形处理引起的变形量增大，但通道部以外的配线部等的源极、漏极用抗蚀剂图案也大幅度地溶解 变形。为了避免该问题，需要采取以2阶段形成抗蚀剂膜厚或在溶解 变形处理前除去2阶段的抗蚀剂图案中较薄的一个等对策。但是，该 情况也仅能控制在溶解变形处理中面积扩大这一方面，因此，需要通 过正确地控制处理时间，以使面积不扩大到需要以上，从而精度良好 地控制变形。另外，通过湿蚀刻处理，可以在有机膜图案的表层上形成变质层。 作为湿蚀刻处理，例如在有机膜图案的底层为Al膜的情况下，使用磷 酸/硝酸/醋酸的混合药液等。对于存在该变质层的有机膜图案，即使在 现有的通常的溶剂中进行溶解变形处理，也存在不均匀地回流的情况。另外，除湿蚀刻以外，有机膜图案的变质层，有时也通过有机膜 图案的表层因时间放置劣化、热氧化及热固化中的至少任一种因素而 发生变质来形成。另外，例如有时通过由干蚀刻引起的沉积，在有机 膜图案的表面上形成堆积层。这些情况下，如果在现有的通常的溶剂 中进行溶解变形处理，则有时不均匀地进行回流。总之，在有机膜图案上形成变质层或堆积层(以下，将它们统称为 阻碍层)时，如果在通常的溶剂中进行溶解变形处理，则由于阻碍溶解 变形处理，因此，回流变得不均匀。本专利技术是为了解决如上所述的问题点而进行的，其目的在于，提 供一种溶解变形用药液，其可以通过溶解变形处理使有机膜图案精度 良好地变形为目标形状。更优选其目的在于，提供可以对具有阻碍层 的有机膜图案进行均匀的溶解变形处理的溶解变形用药液。本发之一为一种溶解变形用药液，其用于有机膜图案的溶解变形 处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。6另外，本专利技术之一为一种溶解变形用药液，其用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。根据本专利技术，可以通过溶解变形处理使有机膜图案精度良好地变形为目标形状。另外，根据本专利技术，可以对具有阻碍层的有机膜图案进行均匀的溶解变形处理。附图说明图1是表示利用实施方式中的溶解变形处理方法制造液晶显示装置的TFT基板的一系列工序的图。图2是表示用于实施例及比较例的评价基板的截面结构的图。图3是表示通过实施溶解变形处理有机膜图案的平面形状及截面形状变化的情形的图。图4是表示通过对形成有变质层的有机膜图案实施溶解变形处理有机膜图案的形状变化的情形的图。图5是表示实施方式中制造液晶显示装置的TFT基板的一系列工序的图。图6是表示实施方式中制造液晶显示装置的TFT基板的一系列工序的图。标号说明1基板2导电膜3有机膜4有机膜图案(第1有机膜图案)5有机膜图案(第2有机膜图案)6半导体膜7有机膜图案(第3有机膜图案)711 玻璃基板12 Al膜13有机膜图案20有机膜图案30有机膜图案32变质层2001 栅极配线2002层间绝缘膜2003 半导体膜2004漏极配线用金属膜2005抗蚀剂图案2006连接抗蚀剂掩模2007 半导体岛3001 栅极配线3002层间绝缘膜3003 半导体膜3004漏极配线用金属膜3005有机膜图案3006连接抗蚀剂掩模3007 半导体岛具体实施例方式如上所述，在有机膜图案上形成阻碍层时，难以使有机膜图案均匀地溶解变形(回流)。因此，期望开发一种即使存在阻碍层也可以使有机膜图案均匀地溶解变形的溶解变形用药液。因此，本专利技术人进行了潜心研究，结果发现，使用含有酰胺类及腈类中的至少任一种的溶解变形用药液进行溶解变形处理时，即使为具有阻碍层的有机膜图案，也可以均匀地溶解变形。8艮P，本专利技术为一种溶解变形用药液，其用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。首先，对酰胺类、腈类进行说明。作为酰胺类，可列举N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、正丁基乙酰胺等。其中，从得到的容易程度及使用容易程度方面考虑，特别优选为N,N-二甲基乙酰胺。这些酰胺类可以仅使用1种，也可以混合2种以上使用。作为腈类，可列举乙腈、丙腈、3-氨基丙腈、异丁腈、正丁腈、戊腈、苄腈等。另外，可以是它们的混合物。其中，从得到的容易程度及使用容易程度方面考虑，特别优选为乙腈。这些腈类可以仅使用1种，也可以混合2种以上使用。溶解变形用药液含有酰胺类及腈类中的任一种即可，也可以两者都含有。另外，在欲调节回流速度(溶解变形的速度)时、或欲减少有机成分量时，在溶解变形用药液中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-20 2008-212172;JP 2008-8-20 2008-2121731.一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。2. 如权利要求1所述的溶解变形用药液，其中，至少含有所述酰 胺类，该酰胺类为N,N-二甲基乙酰胺。3. 如权利要求1或2所述的溶解变形用药液，其中，至少含有所 述腈类，该腈类为乙腈。4. 如权利要求1所述的溶解变形用药液，其中，所述药液还含有水。5. —种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中， 至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。6. 如权利要求5所述的溶解变形用药液，其中，该含氮的碱成分 为胺类。7. 如权利要求6所述的溶解变形用药液，其中，所述胺类为选自 单乙醇胺、异丙醇胺、N-甲基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、吗啉中的 至少1种。8. 如权利要求5 7中任一项所述的溶解变形用药液，其中，所述 溶解变形用溶剂含有醇类、醚类、酯类、酮类、二醇醚类、酰胺类及 腈类中的至少l种。9. 如权利要求8所述的溶解变形用药液，其中，所述溶解变形用 溶剂含有丙二醇单甲醚...

【专利技术属性】
技术研发人员：城户秀作，安江秀国，西嶋佳孝，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]