【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试管理，具体为一种半导体测试管理系统。
技术介绍
1、半导体测试管理系统是一种专门用于半导体制造过程中的测试环节的管理软件。它主要负责对半导体设备的测试流程进行监控、调度、数据分析和报告生成等任务，以确保半导体产品的质量和性能符合预期标准。半导体测试管理系统在半导体行业中具有重要的地位，因为它直接影响到产品的成本、产量和上市时间。半导体测试管理系统通过对测试流程的优化和自动化，减少人工干预，降低生产成本，提高生产效率，能够实时分析和处理，发现并解决半导体产品潜在的质量问题，确保产品质量稳定可靠，为企业管理层提供全面、准确的数据支持，提高管理水平，降低运营风险，加快产品上市速度。随着半导体技术的不断发展和市场竞争的加剧，半导体测试管理系统将成为半导体企业提升核心竞争力的关键工具。随着半导体器件关键尺寸的微缩，对缺陷的容忍度变低，这就要求测试系统能够处理大量的数据并精确地识别缺陷，这对传统测试系统来说是一个挑战。
2、目前，传统半导体测试管理系统在适应新型芯片设计和测试需求方面不够灵活，尤其是在面对新型封装技术时，需要对测试流程进行较大的调整，难以与其他生产环节或信息系统实现高度集成，这影响了数据的流通性和生产的协同效率，在测试流程的管理、数据分析和决策支持方面，自动化程度还有待提高。
技术实现思路
1、（一）解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种半导体测试管理系统，具备测试管理灵活适用性高、智能自动化集成数据协同效率
3、（二）技术方案
4、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：半导体测试管理系统，包括多维数据模块、测试分析模块和报告管理模块；
5、所述多维数据模块包括芯片数据单元、工艺数据单元和电气数据单元，所述芯片数据单元通过网络连接光学测量仪器采集芯片数据集，并进行编号后传输至工艺数据单元和电气数据单元，所述工艺数据单元通过网络连接缺陷检测设备标记芯片数据集，并组成工艺数据集，所述电气数据单元通过网络连接电性测试设备标记芯片数据集，并组成功能数据集，所述多维数据模块通过网络连接测试分析模块；
6、所述测试分析模块包括量测分析单元、缺陷分析单元、电性分析单元和统计分析单元，所述量测分析单元根据芯片数据集计算生成量测数据组，并通过网络连接统计分析单元，所述缺陷分析单元根据芯片数据集和工艺数据集计算生成缺陷数据组，并通过网络连接统计分析单元，所述电性分析单元根据芯片数据集和功能数据集计算生成电性数据组，并通过网络连接统计分析单元，所述统计分析单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组，计算生成良品指数，所述测试分析模块通过网络连接报告管理模块；
7、所述报告管理模块包括制程管理单元和封装质控单元，所述制程管理单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组生成图文报告，并通过网络传输至中央控制系统，所述封装质控单元根据良品指数生成图表，并通过网络传输至中央控制系统。
8、优选的，所述芯片数据单元根据芯片数据集特征对半导体芯片覆膜薄厚和结构尺寸数据进行编号，所述芯片数据集编号为、、、...。
9、优选的，所述工艺数据单元根据芯片数据集对半导体晶圆表面和电路结构中的缺陷数据进行标记，并组成工艺数据集，所述工艺数据集编号为。
10、优选的，所述电气数据单元根据芯片数据集对测试图案化晶圆电气特性异常数据进行标记，并组成功能数据集，所述功能数据集编号为。
11、优选的，所述量测分析单元根据芯片数据集计算生成量测数据组，其计算公式如下：
12、
13、
14、公式中，表示量测数据组，表示芯片数据集中所有半导体芯片覆膜平均薄厚和平均结构尺寸数据，表示芯片数据集中半导体芯片的总数量，表示芯片数据集中单个半导体芯片覆膜薄厚和结构尺寸与平均数据的差值，表示芯片数据集中每个半导体芯片覆膜薄厚和结构尺寸数据偏离平均数据的大小波动程度。
15、优选的，所述缺陷分析单元根据芯片数据集和工艺数据集计算生成缺陷数据组，其计算公式如下：
16、
17、公式中，表示缺陷数据组，表示芯片数据集中未被缺陷检测设备检测标记的合格半导体芯片数量，表示工艺数据集中半导体晶圆表面缺陷和电路结构缺陷的总数量，表示工艺缺陷的半导体数量与合格半导体芯片数量的比值。
18、优选的，所述电性分析单元根据芯片数据集和功能数据集计算生成电性数据组，其计算公式如下：
19、
20、公式中，表示电性数据组，表示芯片数据集中未被电性测试设备检测标记的合格半导体芯片数量，表示功能数据集中半导体晶圆电气特性异常的总数量，表示电气特性异常的半导体数量与合格半导体芯片数量的比值。
21、优选的，所述统计分析单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组，计算生成良品指数，其计算公式如下：
22、
23、公式中，表示良品指数，表示良品指数计算公式中的固定容差参数，表示测量数据组的权重指数，表示缺陷数据组的权重指数，表示电性数据组的权重指数，表示量测数据组、缺陷数据组和电性数据组在不同权重加持下计算的出的平均加权值。
24、优选的，所述制程管理单元根据量测数据组、缺陷数据组，电性数据组生成图文报告，针对半导体芯片生产制作的每个环节进行检测，并将检测报告网络传输至中央控制系统。
25、优选的，所述封装质控单元根据每批次样本的良品指数生成折线图，并通过网络传输至中央控制系统。
26、与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体测试管理系统，具备以下有益效果：
27、1、本专利技术通过多维数据模块设置芯片数据单元网络连接光学测量仪器采集芯片数据集，工艺数据单元和电气数据单元通过缺陷检测设备和电性测试设备标记芯片数据集，并组成工艺数据集和功能数据集，测试分析模块设置量测分析单元、缺陷分析单元、电性分析单元和统计分析单元，量测分析单元根据芯片数据集计算生成量测数据组，数字化评估同一批次样本数据中覆膜薄厚质量和结构尺寸，缺陷分析单元根据芯片数据集和工艺数据集计算生成缺陷数据组，在工艺制作环节把控半导体晶圆表面和电路结构是否出现颗粒污染、表面划伤、开短路等缺陷，及时有效的发现影响半导体芯片低良品率的关键原因，电性分析单元根据芯片数据集和功能数据集计算生成电性数据组，进一步筛选出在使用功能上存在问题的芯片，统计分析单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组，计算生成良品指数，归一化计算出每批次样本的良品数量，多维数据模块可以任意增加或减少不同的测试步骤，针对新型复杂生产技术时，测试管理灵活适用性高。
28、2、本专利技术通过报告管理模块设置制程管理单元和封装质控单元，制程管理单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组生成图文报告，针对半导体芯片生产制作的每个环节进行检测，并将本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.半导体测试管理系统，其特征在于：包括多维数据模块、测试分析模块和报告管理模块；
2.根据权利要求1所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述芯片数据单元根据芯片数据集特征对半导体芯片覆膜薄厚和结构尺寸数据进行编号，所述芯片数据集编号为、、、...。
3.根据权利要求2所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述工艺数据单元根据芯片数据集对半导体晶圆表面和电路结构中的缺陷数据进行标记，并组成工艺数据集，所述工艺数据集编号为。
4.根据权利要求3所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述电气数据单元根据芯片数据集对测试图案化晶圆电气特性异常数据进行标记，并组成功能数据集，所述功能数据集编号为。
5.根据权利要求4所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述量测分析单元根据芯片数据集计算生成量测数据组，其计算公式如下：
6.根据权利要求5所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述缺陷分析单元根据芯片数据集和工艺数据集计算生成缺陷数据组，其计算公式如下：
7.根据权利要求6所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述电
8.根据权利要求7所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述统计分析单元根据量测数据组、缺陷数据组和电性数据组，计算生成良品指数，其计算公式如下：
9.根据权利要求7所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述制程管理单元根据量测数据组、缺陷数据组，电性数据组生成图文报告，针对半导体芯片生产制作的每个环节进行检测，并将检测报告网络传输至中央控制系统。
10.根据权利要求8所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述封装质控单元根据每批次样本的良品指数生成折线图，并通过网络传输至中央控制系统。
...【技术特征摘要】
1.半导体测试管理系统，其特征在于：包括多维数据模块、测试分析模块和报告管理模块；
2.根据权利要求1所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述芯片数据单元根据芯片数据集特征对半导体芯片覆膜薄厚和结构尺寸数据进行编号，所述芯片数据集编号为、、、...。
3.根据权利要求2所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述工艺数据单元根据芯片数据集对半导体晶圆表面和电路结构中的缺陷数据进行标记，并组成工艺数据集，所述工艺数据集编号为。
4.根据权利要求3所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述电气数据单元根据芯片数据集对测试图案化晶圆电气特性异常数据进行标记，并组成功能数据集，所述功能数据集编号为。
5.根据权利要求4所述的半导体测试管理系统，其特征在于：所述量测分析单元根据芯片数据集计算生成量测数据组，其计算公式如下：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：许海渐，王海荣，申凡平，孙军伟，
申请(专利权)人：南通优睿半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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