【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件的缺陷检测方法和系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，对半导体器件的可靠性要求不断提高。通常，为了避免外界环境的杂质扩散进入集成电路内部对器件产生影响并提高芯片的抗腐蚀性能，在芯片制造的过程中淀积一层表面钝化膜。在形成钝化膜的过程中可能出现空洞(pinhole)和裂纹(crack)等缺陷，为了验证钝化膜的有效性和可靠性，需要进行的一系列检测和评估。
2、现有的钝化膜缺陷检测方法通常采用显微镜光学显微镜(om)或自动化光学检测系统(aoi)检测钝化膜表面是否存在空洞和裂纹等缺陷，但是可能出现检测失效，未检测出钝化膜中的空洞和裂纹，在封装过程完成后的后道测试中的成品测试环节(ft)才检测出钝化膜失效，使得缺陷检测周期过长，提高了半导体器件的制造成本。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种半导体器件的缺陷检测方法，包括：提供待检测的半导体器件，所述半导体器件包括监控区，所述监控区内设置有金属层，所述金属层上设置有钝化层；通过化学镀沉积化镀金属；当检测到所述钝化层的表面上和/或所述钝化层中沉积有所述化镀金属时，则确定所述钝化层存在缺陷。
3、
4、示例性地，所述钝化层覆盖所述金属层并且具有露出部分所述金属层的开口，所述化镀金属还沉积在所述开口中露出的所述金属层上。
5、示例性地，所述当检测到所述钝化层的表面上沉积有所述化镀金属时，则确定所述钝化层中具有缺陷包括：获取所述钝化层的图像；基于所述图像检测所述钝化层上是否存在所述化镀金属；当所述钝化层上存在所述化镀金属，则确定所述钝化层存在缺陷，所述缺陷暴露所述金属层。
6、示例性地，通过聚焦离子束技术获取所述钝化层的图像；和/或，通过扫描电镜获取所述钝化层的图像。
7、示例性地，当所述钝化层上存在所述化镀金属时，所述钝化层在所述化镀金属的位置存在缺陷。
8、示例性地，所述金属层包括台阶结构，所述钝化层覆盖所述台阶结构。
9、示例性地，所述半导体器件中具有多个芯片，多个所述芯片通过划片道分割开，所述监控区设置于所述划片道内。
10、根据本申请的另一方面，还提供一种半导体器件的缺陷检测系统，包括：化学镀设备，用于对待检测的半导体器件进行化学镀；图像获取设备，用于获取所述半导体器件的钝化层的图像；显示设备，用于显示所述图像。
11、根据本申请实施例的半导体器件的缺陷检测方法，在半导体器件的金属层上的钝化层上使用化学镀沉积化镀金属，当检测到钝化层的表面上沉积有化镀金属时，确定钝化层存在缺陷，提高了钝化层缺陷检测的准确度和可靠性，缩短了缺陷检测周期，从而降低了半导体器件的制造成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括金属互连结构，所述金属层包括所述金属互连结构的顶部金属层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层覆盖所述金属层并且具有露出部分所述金属层的开口，所述化镀金属还沉积在所述开口中露出的所述金属层上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当检测到所述钝化层的表面上和/或所述钝化层中沉积有所述化镀金属时，则确定所述钝化层中具有缺陷包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过聚焦离子束技术获取所述钝化层的图像；和/或，通过扫描电镜获取所述钝化层的图像。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述钝化层上存在所述化镀金属时，所述钝化层在所述化镀金属的位置存在缺陷。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层包括台阶结构，所述钝化层覆盖所述台阶结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件中具有多个芯片，多个所述芯片通过划片道分割
9.一种半导体器件的缺陷检测系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括金属互连结构，所述金属层包括所述金属互连结构的顶部金属层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层覆盖所述金属层并且具有露出部分所述金属层的开口，所述化镀金属还沉积在所述开口中露出的所述金属层上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当检测到所述钝化层的表面上和/或所述钝化层中沉积有所述化镀金属时，则确定所述钝化层中具有缺陷包括：
5.根据权利要求4所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨雪，眭小超，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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