【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种应用于otp器件的多层膜结构。
技术介绍
1、一次可编程(one time programming，otp)器件是一种非易失性存储(non-volatile memory，nvm)器件，相对于可多次性编程的存储器件，otp器件的编程过程是不可逆的，因其工艺简单、成本低廉得到了广泛的应用。
2、对于otp器件，其在高温高压条件下的数据保持能力至关重要。通常，otp器件的栅极上会覆盖绝缘层(例如，二氧化硅(sio2)层)，该绝缘层对otp器件的数据保持能力直接相关。
3、然而，仅仅在栅极上覆盖绝缘层，依然难以阻止存储的电荷越过绝缘层逃逸，因此，亟待提供一种器件结构能够降低otp器件电荷的逃逸，提高其数据保持能力。
技术实现思路
1、本申请提供了一种应用于otp器件的多层膜结构，可以解决相关技术中提供的otp器件存在电荷逃逸的问题，该多层膜结构包括：
2、衬底层；
3、氧化层，所述氧化层形成于所述衬底层上；
4、多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述氧化层上；
5、sro层，所述sro层形成于所述多晶硅层上；
6、金属硅化物层，所述金属硅化物层形成于所述sro层上；
7、氮化硅层，所述氮化硅层形成于所述金属硅化物层上。
8、在一些实施例中，所述多晶硅层用于制作所述otp器件的浮栅。
9、在一些实施例中，所述sro层是采用lpcvd工艺
10、在一些实施例中，在所述sro层的制作过程中，退火工艺的温度为850摄氏度至120摄氏度。
11、在一些实施例中，所述氮化硅层上还形成有氮氧化硅层。
12、在一些实施例中，所述衬底层中形成有掺杂区。
13、在一些实施例中，所述掺杂区为阱区。
14、本申请技术方案，至少包括如下优点：
15、通过在多晶硅层和金属硅化物层之间形成sro层，由于sro层对可移动的离子的扩散有锁定效应，可以有效抑制诸如纳、硼以及氟等离子的扩散，避免多晶硅层里电子被吸引逃逸，从而提高了otp器件的数据保持能力；进一步的，本申请实施例通过在金属硅化物层上形成氮氧化硅层，从而能够避免上层的诸如硼、磷等离子渗入器件，造成otp失效，提高了器件的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种应用于OTP器件的多层膜结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层膜结构，其特征在于，所述多晶硅层用于制作所述OTP器件的浮栅。
3.根据权利要求2所述的多层膜结构，其特征在于，所述SRO层是采用LPCVD工艺或PECVD工艺沉积后，通过退火工艺处理后形成。
4.根据权利要求3所述的多层膜结构，其特征在于，在所述SRO层的制作过程中，退火工艺的温度为850摄氏度至120摄氏度。
5.根据权利要求1至4任一所述的多层膜结构，其特征在于，所述氮化硅层上还形成有氮氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的多层膜结构，其特征在于，所述衬底层中形成有掺杂区。
7.根据权利要求6所述的多层膜结构，其特征在于，所述掺杂区为阱区。
【技术特征摘要】
1.一种应用于otp器件的多层膜结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层膜结构，其特征在于，所述多晶硅层用于制作所述otp器件的浮栅。
3.根据权利要求2所述的多层膜结构，其特征在于，所述sro层是采用lpcvd工艺或pecvd工艺沉积后，通过退火工艺处理后形成。
4.根据权利要求3所述的多层膜结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵广轩，陈昊，王晓日，吕穿江，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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