【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装结构及封装方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)工业经历了快速发展。ic制造中的技术进步已产生了几代ic，并且每一代制造出比上一代更小且更复杂的半导体芯片。半导体芯片需要进行封装形成半导体封装结构，以实现对于半导体芯片的保护以及进一步实现其功能。随着半导体芯片结构的发展与进步，本领域技术人员同样需要发展半导体芯片的封装技术，以提高半导体封装结构的质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及封装方法，以提高半导体封装结构的质量。
2、为此，本专利技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
3、半导体裸芯；
4、塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体裸芯的侧面并暴露出所述半导体裸芯正面的焊盘；
5、再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接；
6、盖帽结构，所述盖帽结构包覆所述再布线结构，并且所述盖帽结构与所述再布线结构之间充满空气介质；以及，
7、引脚，所述引脚穿过所述盖帽结构与所述再布线结构电性连接。
8、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述再布线结构的表面，所述绝缘保护层的绝缘强度大于所述空气介质的绝缘强度。
9、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述绝缘保护层的材质包括聚酰亚胺。
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11、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述盖帽结构的材质包括金属，所述半导体封装结构还包括：绝缘隔离层和散热结构，所述绝缘隔离层位于所述引脚和所述盖帽结构之间，以使得所述引脚和所述盖帽结构之间电绝缘，所述散热结构位于所述盖帽结构上。
12、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构还包括粘附层，所述盖帽结构具有朝向所述再布线结构的内表面，所述粘附层位于所述内表面上。
13、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构还包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑所述再布线结构。
14、本专利技术还提供一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
15、提供芯片单元，所述芯片单元包括半导体裸芯以及覆盖所述半导体裸芯的侧面的塑封层并暴露出所述半导体裸芯正面的焊盘；
16、通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接；
17、去除所述光阻层以使得所述再布线结构独立在空气介质中；
18、在所述芯片单元上形成盖帽结构，所述盖帽结构包覆所述再布线结构，并且所述盖帽结构与所述再布线结构之间充满所述空气介质；
19、在所述盖帽结构中形成开口，以暴露出部分所述再布线结构；以及，
20、在所述开口中形成引脚，所述引脚与所述再布线结构电性连接。
21、可选的，在所述的半导体封装方法中，通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接包括：
22、在所述芯片单元上形成第一光阻层，所述第一光阻层中具有第一开槽，所述第一开槽暴露出部分所述焊盘；
23、在所述第一开槽中填充所述第一再布线层，所述第一再布线层与所述焊盘电性连接；
24、在所述第一再布线层上形成第二光阻层，所述第二光阻层中具有第二开槽，所述第二开槽暴露出部分所述第一再布线层；以及，
25、在所述第二开槽中形成第一导电柱，所述第一导电柱与所述第一再布线层电性连接；
26、其中，所述再布线结构包括所述第一再布线层和所述第一导电柱，所述光阻层包括所述第一光阻层和所述第二光阻层。
27、可选的，在所述的半导体封装方法中，通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接还包括：
28、在所述第二光阻层上形成第三光阻层，所述第三光阻层中具有第三开槽，所述第三开槽暴露出所述第一导电柱；
29、在所述第三开槽中填充所述第二再布线层，所述第二再布线层与所述第一导电柱电性连接；
30、在所述第二再布线层上形成第四光阻层，所述第四光阻层中具有第四开槽，所述第四开槽暴露出部分所述第二再布线层；以及，
31、在所述第四开槽中形成第二导电柱，所述第二导电柱与所述第二再布线层电性连接；
32、其中，所述再布线结构还包括所述第二再布线层和所述第二导电柱，所述光阻层还包括所述第三光阻和所述第四光阻层。
33、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述第二光阻层中还具有通道，所述通道暴露出部分所述第一再布线层或者部分所述芯片单元；
34、在所述第二开槽中形成所述第一导电柱之前或者在所述第二开槽中形成所述第一导电柱之后或者在所述第二开槽中形成所述第一导电柱的同时，在所述通道中形成支撑结构。
35、可选的，在所述的半导体封装方法中，在去除所述光阻层以使得所述再布线结构独立在空气介质中之后，在所述芯片单元上形成盖帽结构之前，所述半导体封装方法还包括：
36、形成绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述再布线结构的表面，所述绝缘保护层的绝缘强度大于所述空气介质的绝缘强度。
37、可选的，在所述的半导体封装方法中，通过喷涂工艺或者旋涂工艺形成所述绝缘保护层。
38、可选的，在所述的半导体封装方法中，在所述芯片单元上形成盖帽结构，所述盖帽结构包覆所述再布线结构，并且所述盖帽结构与所述再布线结构之间充满所述空气介质包括：
39、提供一盖帽材料层，在所述盖帽材料层中形成一容置空间以形成所述盖帽结构；以及，
40、将所述盖帽结构粘贴在所述芯片单元上，所述盖帽结构包覆所述再布线结构，并且所述盖帽结构与所述再布线结构之间充满所述空气介质。
41、可选的，在所述的半导体封装方法中，提供一盖帽材料层，在所述盖帽材料层中形成一容置空间以形成所述盖帽结构之后，在所述芯片单元上形成盖帽结构还包括：在所述盖帽结构的内表面上形成粘附层；其中，将所述盖帽结构粘贴在所述芯片单元上时，所述盖帽结构的内表面朝向所述再布线结构。
42、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述盖帽结构的材质包括金属，在所述盖帽结构中形成开口，以暴露出部分所述再布线结构之后，在所述开口中形成引脚，所述引脚与所述再布线结构电性连接之前，所述半导体封装方法还包括：
43、在所述开口的侧壁上形成绝缘隔离层，以使得所述引脚和所述盖帽结构之间电绝缘。
44、可选的，在所述的半导体封装方法中，在所述开口中形成引脚之后或者在所述开口中形成引脚的同时，所述半导体封装方法还包括：
45、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述再布线结构的表面，所述绝缘保护层的绝缘强度大于所述空气介质的绝缘强度。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘保护层的材质包括聚酰亚胺。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖帽结构的材质包括塑封料、玻璃、陶瓷、金属和有机材料中的至少一种。
5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖帽结构的材质包括金属，所述半导体封装结构还包括：绝缘隔离层和散热结构，所述绝缘隔离层位于所述引脚和所述盖帽结构之间，以使得所述引脚和所述盖帽结构之间电绝缘，所述散热结构位于所述盖帽结构上。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括粘附层，所述盖帽结构具有朝向所述再布线结构的内表面，所述粘附层位于所述内表面上。
7.如权利要求1～3中任一项所述的
8.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接包括：
10.如权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接还包括：
11.如权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二光阻层中还具有通道，所述通道暴露出部分所述第一再布线层或者部分所述芯片单元；
12.如权利要求8～11中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在去除所述光阻层以使得所述再布线结构独立在空气介质中之后，在所述芯片单元上形成盖帽结构之前，所述半导体封装方法还包括：
13.如权利要求8～11中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述芯片单元上形成盖帽结构，所述盖帽结构包覆所述再布线结构，并且所述盖帽结构与所述再布线结构之间充满所述空气介质包括：
14.如权利要求13所述的半导体封装方法，其特征在于，提供一盖帽材料层，在所述盖帽材料层中形成一容置空间以形成所述盖帽结构之后，在所述芯片单元上形成盖帽结构还包括：在所述盖帽结构的内表面上形成粘附层；其中，将所述盖帽结构粘贴在所述芯片单元上时，所述盖帽结构的内表面朝向所述再布线结构。
15.如权利要求8～11中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述盖帽结构的材质包括金属，在所述盖帽结构中形成开口，以暴露出部分所述再布线结构之后，在所述开口中形成引脚，所述引脚与所述再布线结构电性连接之前，所述半导体封装方法还包括：
16.如权利要求15所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述开口中形成引脚之后或者在所述开口中形成引脚的同时，所述半导体封装方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述再布线结构的表面，所述绝缘保护层的绝缘强度大于所述空气介质的绝缘强度。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘保护层的材质包括聚酰亚胺。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖帽结构的材质包括塑封料、玻璃、陶瓷、金属和有机材料中的至少一种。
5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖帽结构的材质包括金属，所述半导体封装结构还包括：绝缘隔离层和散热结构，所述绝缘隔离层位于所述引脚和所述盖帽结构之间，以使得所述引脚和所述盖帽结构之间电绝缘，所述散热结构位于所述盖帽结构上。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括粘附层，所述盖帽结构具有朝向所述再布线结构的内表面，所述粘附层位于所述内表面上。
7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑所述再布线结构。
8.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，通过光阻层在所述芯片单元上形成再布线结构，所述再布线结构与所述半导体裸芯正面的焊盘电性连接包括：
10.如权利要求9所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨威源，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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