【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体域，尤其涉及一种半导体基底结构。
技术介绍
1、在半导体制造中，半导体的表面处理通常使用硅、碳或者是类金刚石碳(dlc)。例如，为了提高表面硬度和耐磨性，半导体基底的表面通常形成dlc保护层。但是，传统的半导体基底表面处理往往为了保证高硬度高耐磨而忽略了表面能量积聚的问题，表面能量积聚的能量越高，造成的产品性能越不稳定。
2、因此，有必要提供一种改进的半导体基底结构以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体基底结构，该半导体基底的表面层体具有良好附着力、高硬度、高耐磨性以及较低表面能量，从而获得稳定的表面性能。
2、为实现上述目的，本专利技术的半导体基底结构，包括：
3、半导体基底；
4、位于所述半导体基底之上的类金刚石碳层；
5、位于所述类金刚石碳层之上的掺杂层，所述掺杂层包括类金刚石碳和氟离子；以及
6、位于所述掺杂层之上的氟离子层。
7、与现有技术相比，本专利技术首先在半导体基底上形成类金刚石碳层，再在其上掺杂氟离子形成包括类金刚石碳和氟离子的掺杂层，继而，在掺杂层上形成氟离子层，也就是说，从外到内，半导体基底的表面层体依次是氟离子层、掺杂层(氟离子+类金刚石碳)、类金刚石碳层，该层体具有良好附着力、高硬度、高耐磨性，尤其是氟离子层以及掺杂层具有较低的表面能量，从而使表面更稳定，性能更佳。
8、较佳地，所述类金刚石碳层的厚度为12-30nm
9、较佳地，所述掺杂层的厚度为2-6nm。
10、较佳地，所述氟离子层的厚度为1-3nm。
11、类金刚石碳层的层体厚度最大以保持优良的高硬度高耐磨性，而掺杂层均匀分布有类金刚石碳和氟离子，结合在掺杂有两种物质的掺杂层上继续形成的氟离子层使表面能量较低。
12、较佳地，所述类金刚石碳层通过fcva方法沉积形成。
13、较佳地，所述掺杂层通过ibe/ecr将氟离子掺杂扩散到所述类金刚石碳层而成。
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1.一种半导体基底结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度为12-30nm。
3.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述掺杂层的厚度为2-6nm。
4.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述氟离子层的厚度为1-3nm。
5.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述类金刚石碳层通过FCVA方法沉积形成。
6.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述掺杂层通过IBE/ECR将氟离子掺杂扩散到所述类金刚石碳层而成。
【技术特征摘要】
1.一种半导体基底结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度为12-30nm。
3.如权利要求1所述的半导体基底结构，其特征在于：所述掺杂层的厚度为2-6nm。
4.如权利要求1所述的半导体基底结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁延刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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