【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体刻蚀，尤其涉及一种半导体刻蚀机台和包含该机台的半导体刻蚀设备。
技术介绍
1、刻蚀是半导体制造工艺，微电子ic制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
2、现有技术中单片的磷酸机台在刻蚀工艺过程中晶圆背部会受到来自正面溢流磷酸的侵蚀，由于磷酸工艺的特性无法像一般工艺中常使用的去离子水对晶圆背部进行稀释来中和刻蚀这种方法，背部的过度刻蚀目前没有很好的办法进行解决。
技术实现思路
1、本技术主要提供了一种半导体刻蚀机台和包含该机台的半导体刻蚀设备，用以解决上述
技术介绍
中提出的晶圆背部过度刻蚀等技术问题。
2、本技术解决上述技术问题采用的技术方案为：
3、本技术第一方面提供了一种半导体刻蚀机台，所述机台包括：底座；若干夹具，所述夹具设置于所述底座上并被配置于固定晶圆；以及若干吹扫装置，所述吹扫装置设置于所述底座上并被配置于在所述晶圆下方沿所述底座的径向方向向外进行吹扫气体。
4、优选的，所述吹扫装置包括
5、优选的，所述夹具和所述吹扫装置的数量相同，且任一所述吹扫装置的吹扫方向均在相邻的两个所述夹具之间。
6、优选的，所述夹具和所述吹扫装置均设有六个，且六个所述夹具和所述吹扫装置均设置为中心对称的圆周阵列。
7、优选的，所述供气管和氮气源相连通。
8、优选的，所述氮气源提供的氮气满足压力10.1n/min。
9、优选的，所述吹扫端呈等腰梯形，且腰边沿所述底座的径向设置。
10、优选的，所述夹具包括从下至上竖直设置的第一夹持部和第二夹持部，且所述第一夹持部和所述第二夹持部之间形成有水平承载部以承载所述晶圆。
11、优选的，所述吹扫装置的高度低于所述第一夹持部的高度。
12、本技术第二方面提供了一种半导体刻蚀设备，所述设备包括所述的机台。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果为：
14、本技术中，晶圆下方设有吹扫装置，在刻蚀工艺过程中，吹扫装置沿底座的径向方向向外进行吹扫，在晶圆底部边缘形成空气墙，阻止磷酸等腐蚀性液体侵蚀晶圆底部。
15、以下将结合附图与具体的实施例对本技术进行详细的解释说明。
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1.一种半导体刻蚀机台，其特征在于，所述机台包括：
2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述吹扫装置包括吹扫端和供气管，所述吹扫端通过所述供气管设置于所述底座上；
3.根据权利要求1或2所述的机台，其特征在于，所述夹具和所述吹扫装置的数量相同，且任一所述吹扫装置的吹扫方向均在相邻的两个所述夹具之间。
4.根据权利要求3所述的机台，其特征在于，所述夹具和所述吹扫装置均设有六个，且六个所述夹具和所述吹扫装置均设置为中心对称的圆周阵列。
5.根据权利要求2所述的机台，其特征在于，所述供气管和氮气源相连通。
6.根据权利要求5所述的机台，其特征在于，所述氮气源提供的氮气满足压力10.1N/min。
7.根据权利要求2所述的机台，其特征在于，所述吹扫端呈等腰梯形，且腰边沿所述底座的径向设置。
8.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述夹具包括从下至上竖直设置的第一夹持部和第二夹持部，且所述第一夹持部和所述第二夹持部之间形成有水平承载部以承载所述晶圆。
9.根据权利要求8所述的机台，其特
10.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括如权利要求1至9中任一项所述的机台。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀机台，其特征在于，所述机台包括：
2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述吹扫装置包括吹扫端和供气管，所述吹扫端通过所述供气管设置于所述底座上；
3.根据权利要求1或2所述的机台，其特征在于，所述夹具和所述吹扫装置的数量相同，且任一所述吹扫装置的吹扫方向均在相邻的两个所述夹具之间。
4.根据权利要求3所述的机台，其特征在于，所述夹具和所述吹扫装置均设有六个，且六个所述夹具和所述吹扫装置均设置为中心对称的圆周阵列。
5.根据权利要求2所述的机台，其特征在于，所述供气管和氮气源相连通。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉祺，周海鹏，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：新型
国别省市：
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