【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及集成电路，尤其涉及一种过温保护电路和高边驱动芯片。
技术介绍
1、对于集成有功率管的控制芯片，功率管通常会流过较大电流，导致控制芯片发热，温度升高。因此，在控制芯片中的功率管电路内，通常会加入过温保护功能，通过将包含控制芯片温度信息的电信息与参考电信息进行比较，来判断控制芯片是否过温，以控制芯片的工作与否，从而达到保护芯片的目的。
2、现有的过温保护功能，通常是在靠近功率管的地方放置温度检测所用的三极管，给定三极管偏置电流后检测三极管的基射电压vbe，将三极管的基射电压vbe与参考电压进行比较，从而在功率管温度过高时将其关断，也即是检测功率管的绝对温度来进行保护。
3、然而，对于功率管集成于控制芯片外部而非控制芯片的内部的芯片来说，例如，功率管与控制芯片合封的电路，若采用上述现有技术，即使功率管因绝对温度过高而关断，芯片周围的温度仍然会因热量积累而升高，导致芯片损坏，影响芯片的可靠性。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种过温保护电路和高边驱动芯片，能够对功率管进行动态过温保护，提升功率管的可靠性，还能够避免芯片因热量累积而损坏，提升芯片的可靠性。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种过温保护电路，包括：第一温度电压检测支路、第二温度电压检测支路和保护支路。所述第一温度电压检测支路的输入端与控制芯片电连接，所述第二温度电压检测支路的输入端与功率管电连接，功率管集成于控制芯片外部，所述功率管的控制端电连接所述控制芯
3、所述第一温度电压检测支路用于采集第一温度电压，其中，所述第一温度电压为负温度系数电压，所述第一温度电压用于表征环境温度与预设阈值温度之和。所述第二温度电压检测支路用于采集第二温度电压，其中，所述第二温度电压为所述负温度系数电压，所述第二温度电压用于表征所述功率管的温度。所述保护支路用于在所述第二温度电压小于所述第一温度电压时，控制所述功率管关断。
4、在一些实施例中，保护支路包括第一比较器和与门。所述第一比较器的反相输入端电连接所述第一温度电压检测支路的输出端，所述第一比较器的正相输入端电连接所述第二温度电压检测支路的输出端，所述第一比较器的输出端电连接所述与门的第一输入端。
5、所述第一比较器用于比较所述第一温度电压和所述第二温度电压。所述与门用于在所述第二温度电压小于所述第一温度电压时，输出所述功率管的关断控制信号。
6、在一些实施例中，所述第一温度电压检测支路电连接于所述控制芯片内部远离所述功率管的一侧电路中。
7、在一些实施例中，所述第一温度电压检测支路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻和第一电压检测管，其中，所述第一电流源的输出电流与所述第三电流源的输出电流相等。
8、所述第一电流源的输入端、所述第二电流源的输入端与内部电源电压电连接，所述第一电流源的输出端电连接所述保护支路的第一输入端和所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端电连接所述第二电阻的第一端、所述第二电流源的输出端和所述第一电压检测管的输入端，所述第二电阻的第二端与所述第三电流源的输入端电连接，所述第三电流源的输出端、所述第一电压检测管的输出端和外部电源电压电连接，所述外部电源电压小于所述内部电源电压。
9、在一些实施例中，所述第一电压检测管为二极管或晶体管。
10、在一些实施例中，所述第二温度电压检测支路包括第四电流源和第二电压检测管。所述第四电流源的输入端与所述内部电源电压电连接，所述第四电流源的输出端、所述第二电压检测管的输入端与所述保护支路的第二输入端电连接，所述第二电压检测管的输出端与所述外部电源电压电连接，所述第二电压检测管的控制端电连接所述保护支路的输出端；其中，所述第四电流源的输出电流与所述第二电流源的输出电流相等。
11、在一些实施例中，所述第二电压检测管包括晶体管和体二极管，所述体二极管位于所述晶体管的内部。所述晶体管的第一端、所述体二极管的正极与所述第四电流源的输出端电连接，所述晶体管的第二端、所述体二极管的负极与所述外部电源电压电连接，所述晶体管的控制端与所述功率管的控制端电连接。
12、在一些实施例中，所述第一电流源、所述二电流源、所述第三电流源、所述第四电流源、所述第一电阻和所述第二电阻均为所述控制芯片的内部元器件。
13、在一些实施例中，所述保护支路还包括第二比较器，所述第二比较器的正相输入端与所述第二温度电压检测支路的输出端电连接，所述第二比较器的反相输入端与参考电压电连接，所述第二比较器的输出端与所述与门的第二输入端电连接。
14、所述第二比较器用于比较所述第二温度电压和所述参考电压，所述与门还用于在所述第二温度电压小于所述参考电压时，输出所述关断控制信号。
15、第二方面，本申请实施例提供了一种高边驱动芯片，包括控制芯片、集成于控制芯片外部的功率管和第一方面提供的任一过温保护电路。所述高边驱动芯片的第一输入端接收第一电压，所述高边驱动芯片的第二输入端接收第二电压，所述高边驱动芯片的输出端连接负载，所述第一电压大于第一预设电压，所述第二电压小于第二预设电压，所述第一预设电压大于或等于所述第二预设电压。
16、本申请实施例的技术方案中，过温保护电路包括第一温度电压检测支路、第二温度电压检测支路和保护支路，第一温度电压检测支路的输入端与控制芯片电连接，第二温度电压检测支路的输入端与功率管电连接，功率管集成于控制芯片外部，功率管的控制端电连接控制芯片的输出端；第一温度电压检测支路的输出端与保护支路的第一输入端电连接，第二温度电压检测支路的输出端与保护支路的第二输入端电连接，保护支路的输出端与功率管的控制端电连接。通过第一温度电压检测支路能够采集到用于表征环境温度与预设阈值温度之和的第一温度电压，第二温度电压检测支路能够采集到用于表征功率管的温度第二温度电压，由于第一温度电压和第二温度电压均为负温度系数电压，因此保护支路能够在第二温度电压小于第一温度电压时，控制功率管关断，如此，过温保护电路能够比较功率管温度和环境温度，由于环境温度是动态变化的，因此，可以对功率管进行动态过温保护，提升功率管的可靠性，还能够避免芯片因热量累积而损坏，提升芯片的可靠性。
17、上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：第一温度电压检测支路、第二温度电压检测支路和保护支路；
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述保护支路包括第一比较器和与门；
3.根据权利要求1或2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度电压检测支路电连接于所述控制芯片内部远离所述功率管的一侧电路中。
4.根据权利要求1或2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度电压检测支路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻和第一电压检测管，其中，所述第一电流源的输出电流与所述第三电流源的输出电流相等；
5.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一电压检测管为二极管或晶体管。
6.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二温度电压检测支路包括第四电流源和第二电压检测管；
7.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二电压检测管包括晶体管和体二极管，所述体二极管位于所述晶体管的内部；
8.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述第
9.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述保护支路还包括第二比较器，所述第二比较器的正相输入端与所述第二温度电压检测支路的输出端电连接，所述第二比较器的反相输入端与参考电压电连接，所述第二比较器的输出端与所述与门的第二输入端电连接；
10.一种高边驱动芯片，其特征在于，包括控制芯片、集成于所述控制芯片外部的功率管和权利要求1-9任一项所述的过温保护电路，所述高边驱动芯片的第一输入端接收第一电压，所述高边驱动芯片的第二输入端接收第二电压，所述高边驱动芯片的输出端连接负载，所述第一电压大于第一预设电压，所述第二电压小于第二预设电压，所述第一预设电压大于或等于所述第二预设电压。
...【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：第一温度电压检测支路、第二温度电压检测支路和保护支路；
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述保护支路包括第一比较器和与门；
3.根据权利要求1或2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度电压检测支路电连接于所述控制芯片内部远离所述功率管的一侧电路中。
4.根据权利要求1或2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度电压检测支路包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻和第一电压检测管，其中，所述第一电流源的输出电流与所述第三电流源的输出电流相等；
5.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一电压检测管为二极管或晶体管。
6.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二温度电压检测支路包括第四电流源和第二电压检测管；
7.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：刁基东，张鹏亮，王柳，
申请(专利权)人：珠海楠欣半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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