薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法。该薄膜晶体管显示面板包括：绝缘基板；栅极线和数据线，在绝缘基板上彼此交叉地设置以使彼此电绝缘；公共线，设置在绝缘基板上且平行于栅极线；栅极绝缘膜，设置在栅极线和公共线上；接触孔，穿过设置在公共线上的栅极绝缘膜；多个公共电极，通过接触孔电连接到公共线并彼此平行地布置；以及多个像素电极，平行于公共电极布置。公共电极和像素电极的厚度小于数据线的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地，涉及能够减少或有效防止由布线(wiring line)之间的厚度差引起的图像质量退化来改 善显示质量的。
技术介绍
随着信息技术的进步，存在对更大且更薄的显示装置的不断需求。然而， 传统的阴极射线管(CRT)显示器不能满足该需求。因此，对平板显示装置 (诸如PDP (等离子体显示面板)、PLAC (等离子体寻址液晶显示面板)、 LCD (液晶显示器)和OLED (有机发光二极管))有较大的需求。具体地， 能够在各种电子设备中显示高分辨度图像的较轻且较薄的显示装置已经被 广泛地-使用。LCD是一种典型的平板显示器(FPD),并可以包括其上形成有电极的 两个显示面板和插设在这两个显示面板之间的液晶层。在LCD中，电压施 加到电极以重新排列液晶层中的液晶分子，从而调整通过液晶层的光的量。 这样，LCD显示图像。每个显示面板可以通过在绝缘基板上形成多个薄膜图案而形成。
技术实现思路
由于显示面板可以通过在绝缘基板上形成多个薄膜图案而制造，所以在 制造工艺中会存在缺点。例如，薄膜图案可以通过光刻工艺形成，该光刻工 艺包括光致抗蚀剂涂布工艺、掩模布置工艺、曝光工艺、烘烤工艺(baking process )、显影工艺和/或清洗工艺。整个制造时间和成本受到每步工艺影响。 因此，当工艺的数目相对的大时，制造时间和成本增加，而当工艺的数目减 少时，制造成本可以4皮有利地减少。然而，尽管已经发展了用于减少掩模工艺数目的技术以便减少制造成 本，但在制造显示面板中仍存在技术挑战。例如，在减少掩^t工艺的数目时6需要将每个组件形成为最优的形状。本专利技术的示范性实施例提供了一种能够减少或有效防止由布线之间的 厚度差引起的图像质量退化的薄膜晶体管显示面板，以改善显示质量。本专利技术的示范性实施例提供了一种制造能够减少或有效防止由布线之 间的厚度差引起的图像质量退化的薄膜晶体管显示面板的方法，以改善显示 质量。示范性实施例提供了 一种薄膜晶体管显示面板，该薄膜晶体管显示面板包括绝缘基板；栅极线和数据线，以网格形状设置在绝缘基板上以使彼此 电绝缘；公共线，设置在绝缘基板上并平行于栅极线；栅极绝缘膜，设置在 栅极线和公共线上；接触孔，穿过对应于公共线设置的栅极绝缘膜；多个公 共电极，通过接触孔电连接到公共线并彼此平行地布置；以及多个像素电极， 平行于公共电极布置。公共电极和像素电极的厚度小于数据线的厚度。公共电极和像素电极的每个可以以单层结构形成，数据线可以以多层结 构形成。公共电极和像素电极可以包括铜，数据线可以包括上层和下层，其中该 上层包括铜(Cu)和钼(Mo)的至少之一，该下层包括钼(Mo)、钛(Ti)、 铬(Cr)、鴒(W)和铝(Al)的至少之一。^^共电极、#>素电^1和*:据线的下层的每个可以具有小于约50纳米 (nm)的厚度，数据线的上层可以具有大于约1500A的厚度。薄膜晶体管显示面板还可以包括薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括连接 到栅极线的栅极电极、连接到数据线的源极电极以及连接到像素电极的漏极 电极，漏极电极的厚度可以小于源极电极的厚度。源极电极可以以多层结构形成，漏极电极可以以单层结构形成。漏极电极和连接电极的厚度可以小于源极电极的厚度。公共电极和像素电极可以交替地布置。薄膜晶体管显示面板还可以包括设置在像素电极和公共电极上的第一保护膜。薄膜晶体管显示面板还可以包括设置在数据线和第一保护膜上的第二保护膜。示范性实施例提供了 一种制造薄膜晶体管显示面板的方法，该方法包 括在绝缘基板上形成栅极线和平行于栅极线布置的公共线；在4册极线和7>共线上形成栅极绝缘膜；在设置在公共线上的栅极绝缘膜中形成接触孔；以 及形成通过接触孔电连接到公共线且彼此平行布置的多个公共电极、平行于 公共电极布置的多个像素电极以及与冲册极线交叉的数据线。乂>共电极和像素 电极的厚度小于数据线的厚度。公共电极和像素电极中的每个可以以单层结构形成，数据线可以以多层 结构形成。公共电极和像素电极可以包括铜，数据线可以包括上层和下层，其中该 上层包括铜(Cu)和钼(Mo)至少之一，该下层包括钼(Mo)、钛(Ti)、 铬(Cr)、鵠(W)和铝(Al)至少之一。该方法还可以包括形成薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括连接到栅极线 的栅极电极、连接到数据线的源极电极以及连接到像素电极的漏极电极，漏 极电极的厚度可以小于源极电极的厚度。源极电才及可以以多层结构形成，漏才及电才及可以以单层结构形成。公共电极和像素电极可以交替地布置。形成数据线、公共电极和像素电极可以包括在绝缘基板上依次形成第 一数据导电层和第二数据导电层；采用狭缝掩模或半色调掩模(halftone mask)在第一数据导电层和第二数据导电层上形成光致抗蚀剂图案；以及采 用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻第 一数据导电层和第二数据导电层。光致抗蚀剂图案可以包括形成有数据线的第 一 区域和形成有公共电极 和像素电极的第二区域，第二区域可以比第一区域薄。该方法还可以包括在像素电极和公共电极上形成第 一保护膜。该方法还可以包括在数据线和第 一保护膜上形成第二保护膜。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示范性实施例，本专利技术的上述和其它的 方面以及特征将变得更加明显，附图中图1是示出根据本专利技术的薄膜晶体管显示面板的示范性实施例的布局图2A是示出薄膜晶体管显示面板的沿图1的线IIa-IIa，的截面图； 图2B是示出薄膜晶体管显示面板的沿图1的线IIb-IIb，的截面图； 图3A和3B是示出制造图1中示出的薄膜晶体管显示面板的工艺的示8范性实施例的示图4A到图IIB是示出在制造根据本专利技术的薄膜晶体管显示面板的方法 的示范性实施例中的制造工艺的截面图12是示出根据本专利技术的薄膜晶体管显示面板的另一示范性实施例的 布局图13A是示出薄膜晶体管显示面板的沿图12的线XIIIa-XIIIa，的截面图；以及图13B是示出薄膜晶体管显示面板的沿图12的线xnib-xnib，的截面图。具体实施例方式本专利技术的优点和特征以及实现本专利技术的方法可以通过参照下面对优选 实施例的详细描述和附图而更容易理解。然而，本专利技术可以以多种不同的形 式实施，而不应被解释为仅限于此处所述的实施例。而是，提供这些实施例 是为了使本公开透彻和完整，并将本专利技术的概念充分传达给本领域的技术人 员，本专利技术仅由附加的权利要求书限定。整个说明书中相同的附图标记指代 相同的元件。应当理解，当称元件或层在另一元件或层上、或者连接到另一 元件或层时，它可以直接在另一元件或层上或直接连接到另一元件或层，或 者还可以存在插入的元件或层。相反，当称元件直接在或直接连接到 另一元件或层上时，不存在插入元件或层。如此处所用的，术语和/或包 括一个或多个所列相关项目的任何及所有组合。应当理解，虽然这里可^f吏用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组 件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限 于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区 域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分 可以在不背离本专利技术教导的前提下称为第二元件、组件、区域、层或部分。为便于描述此处可以使用诸如在…之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管显示面板，包括：　绝缘基板；　栅极线，设置在所述绝缘基板的第一表面上并沿第一方向延伸；　数据线，设置在所述绝缘基板的所述第一表面上，并沿基本垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述数据线和所述栅极线彼此电绝缘； 　公共线，设置在所述绝缘基板上并基本平行于所述栅极线延伸；　栅极绝缘膜，设置在所述栅极线和所述公共线上；　接触孔，设置为穿过所述栅极绝缘膜并暴露部分所述公共线；　多个公共电极，通过所述接触孔电连接到所述公共线，并布置 为沿所述第二方向延伸且彼此基本平行地设置；以及　多个像素电极，布置为基本平行于所述公共电极延伸，　其中所述公共电极和所述像素电极的第一厚度小于所述数据线的第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一表面 的第三方向上测量。

【技术特征摘要】
KR 2008-8-14 80044/081.一种薄膜晶体管显示面板，包括绝缘基板；栅极线，设置在所述绝缘基板的第一表面上并沿第一方向延伸；数据线，设置在所述绝缘基板的所述第一表面上，并沿基本垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述数据线和所述栅极线彼此电绝缘；公共线，设置在所述绝缘基板上并基本平行于所述栅极线延伸；栅极绝缘膜，设置在所述栅极线和所述公共线上；接触孔，设置为穿过所述栅极绝缘膜并暴露部分所述公共线；多个公共电极，通过所述接触孔电连接到所述公共线，并布置为沿所述第二方向延伸且彼此基本平行地设置；以及多个像素电极，布置为基本平行于所述公共电极延伸，其中所述公共电极和所述像素电极的第一厚度小于所述数据线的第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一表面的第三方向上测量。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板，其中所述^^共电极和所述 像素电极的每个包括单层结构；以及所述数据线包括多层结构。3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管显示面板，其中 所述公共电极和所述像素电极包括铜；以及所述数据线包括上层和下层，该上层包括铜和钼至少之一，该下层包括 钼、钛、铬、鴒和铝的至少之一。4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管显示面板，其中 所述公共电极、所述像素电极和所述数据线的所述下层中的每个具有小于约50纳米的厚度；以及所述数据线的所述上层具有大于约1500A的厚度。5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板，还包括 薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括连接到所述4册极线的斥册极电极、连接到所述数据线的源极电极以及连接到所述像素电极的漏极电极，其中所述漏极电极的第三厚度小于所述源极电极的第四厚度，所述第三厚度和所述第四厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一表面的所述第 三方向上测量。6. 如权利要求5所述的薄膜晶体管显示面板，其中 所述源极电极包括多层结构；以及 所述漏极电极包括单层结构。7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板，还包括 薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括连接到所述栅极线的栅极电极、连接到所述数据线的源极电极以及连接到所述像素电极的漏极电极；以及 连接所述像素电极和所述漏极电极的单个连接电极，所述连接电极、所述{象素电极和所述漏极电极是连续的构件；其中所述漏极电极和所述连接电极的第三厚度小于所述源极电极的第四厚度，所述第三厚度和所述第四厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一表面的所述第三方向上测量。8. 如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板，其中所述公共电极和所述 像素电极沿所述第一方向交替地布置。9. 如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板，还包括第一保护膜，该第 一保护膜直接设置在所述像素电极和所述7>共电极上并接触所述像素电极 和所述7^共电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊昊，金雄权，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]