【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，更具体地说，它涉及一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统。
技术介绍
1、在各种应用中，温度补偿晶体振荡器（tcxo）被广泛使用，以提供稳定和准确的频率参考。然而，在某些应用中，例如低频和高精度的应用，传统的tcxo可能无法满足要求。在这些情况下，需要一种低电容放大器系统级设计方法，以提高低频振荡器的精度和可靠性。
2、在测试高精度温补低频振荡器电路的设计中使用放大器的情况，由于放大器输入电容的影响，当电容与低频振荡器的输入电阻并联后，会导致低频振荡果，对电路器的谐振点发生改变，扩大温度的损耗，降低温补增益，影响低频振荡器的性能和测试结稳定性造成破坏。为保证低频放大器的稳定性，一般的处理方法是使用低电容探头及连接器、pcb上使用短线、避免信号走线下方的巨大接地层等方式减少这类问题，减小放大器的输入电容，极大程度避免谐振点因放大器而漂移，提高电路的稳定性。
3、原有的pcb设计如图1所示：包括输入电压的正端（vin+）、输出电压的负端（vin-）、电容和放大器，输入电压的正端（vin+）、输出电压的负端（vin-）、电容和放大器之间均通过电信连接。
4、上述中，pcb上使用运放时，通常会引入由运放带来的输入电容，这些电容的容值很容易达到pf的数量级，从而影响测试电路的输入阻抗，降低电路稳定性。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种将输入电容减小到低至0.5pf、具备500gω的高输入阻抗
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，包括输入电压正端（vin+）、输入电压负端（vin-）、输入电容（cin）、输入电阻（rin）、输出电阻（rout）、输入电压（vout）和系统单元，
4、输入电压正端（vin+）、输入电压负端（vin-）、输入电容（cin）、输入电阻（rin）、输出电阻（rout）、输入电压（vout）和系统单元耦合，
5、系统单元包括运放单元、传输单元和pcb单元，
6、运放单元、传输单元和pcb单元耦合，
7、运放单元包括输入信号（in）、输出信号（out）和放大器，放大器均与输入信号（in）和输出信号（out）耦合，
8、传输单元上包括sic 器件和寄生电容，
9、sic 器件，用于提高整个电路的效率；
10、寄生电容包括有效输入电容（ciss）、输出电容（coss）和反向传输电容（crss），
11、有效输入电容（ciss）、输出电容（coss）和反向传输电容（crss）耦合，
12、有效输入电容（ciss）由栅漏电容（cgd）和栅源电容（cgs）并联而成，
13、输出电容（coss）由漏源电容（cds）和栅漏电容（cgd）并联而成，
14、反向传输电容（crss），用于增强sic 器件的抗干扰能力，
15、pcb单元包括开路电压（voc）和接地端（gnd）和运算单元，
16、开路电压（voc）和接地端（gnd）和运算单元耦合，
17、运算单元，用于降低低电容放大器的寄生电容。
18、本专利技术进一步设置为：所述有效输入电容（ciss）和输出电容（coss）之差的运算公式为：栅源电容（cgs）= 有效输入电容（ciss） - 反向传输电容（crss）。
19、本专利技术进一步设置为：所述输出电容（coss）和反向传输电容（crss）之差的运算公式为：漏源电容（cds） = 输出电容（coss） - 反向传输电容（crss）。
20、本专利技术进一步设置为：所述寄生电容的响应速度的运算公式为：tg （时间常数）=rres × 栅源电容（cgs），其中rres为反向饱和电流与栅源电压的乘积。
21、本专利技术进一步设置为：所述运算单元的计算公式为：c=ε*ε0*s/d；其中c为电容，ε为材料的相对介电常数，ε0为真空介电常数，s为等效极板的面积，d为等效极板的距离。
22、通过采用上述技术方案，本专利技术的有益效果为：
23、通过系统单元内的栅源电容（cgs）= 有效输入电容（ciss） - 反向传输电容（crss）、漏源电容（cds） = 输出电容（coss） - 反向传输电容（crss）和tg （时间常数）=rres × 栅源电容（cgs），将输入电容（cin）减小到低至0.5pf，并具备500gω的高输入阻抗，从而实现低电容放大器的功能特性，在低频振荡器电路中稳定谐振点，减小器件误差，满足高精度测试测量的需求，极大提高电路输出的精度和可靠性，进而高于市场其他器件的带宽增益和提高应用于半导体测量的高精度和高稳定性。
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1.一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，包括输入电压正端（Vin+）、输入电压负端（Vin-）、输入电容（Cin）、输入电阻（Rin）、输出电阻（Rout）、输入电压（Vout）和系统单元，
2.根据权利要求1所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，所述有效输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）之差的运算公式为：栅源电容（Cgs）= 有效输入电容（Ciss） - 反向传输电容（Crss）。
3.根据权利要求2所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，所述输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）之差的运算公式为：漏源电容（Cds） =输出电容（Coss） - 反向传输电容（Crss）。
4.根据权利要求3所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，所述寄生电容的响应速度的运算公式为：Tg （时间常数）= Rres × 栅源电容（Cgs），其中Rres为反向饱和电流与栅源电压的乘积。
5.根据权利要求4所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放
...【技术特征摘要】
1.一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，包括输入电压正端（vin+）、输入电压负端（vin-）、输入电容（cin）、输入电阻（rin）、输出电阻（rout）、输入电压（vout）和系统单元，
2.根据权利要求1所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，所述有效输入电容（ciss）和输出电容（coss）之差的运算公式为：栅源电容（cgs）= 有效输入电容（ciss） - 反向传输电容（crss）。
3.根据权利要求2所述的一种用于温补低频振荡器的低电容放大器处理系统，其特征在于，所述输出电容（coss）和反向传输...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文奇，钟政，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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