用于固定器件的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种固定器件的装置和方法。该装置包括晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔，以及压力控制结构，其能够独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的压力。该方法包括提供晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔，独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个第一和第二孔中的流体压力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及固定装置，更具体地涉及晶片夹和压力控制结构。
技术介绍
近些年半导体集成电路(IC)工业经历了快速的发展。IC材料和设计的技术进步 已产生了多代IC，其中每一代比前一代都具有更小和更复杂的电路。通常通过加工半导体 晶片而制造这些IC。半导体晶片的加工可能需要用装置如晶片夹固定半导体晶片。然而， 目前的晶片固定装置可能导致晶片缺陷如应力缺陷或气泡缺陷，其可能导致IC失效或不 能使用。从而，虽然现有的晶片固定装置一般能够达到它们的目的，但是在每个方面还没有 完全符合要求。
技术实现思路
本专利技术的一种较广的形式包括一种装置，包括晶片夹，其具有延伸穿过其中的第 一和第二孔；压力控制结构，其能够独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间 改变每个第一和第二孔中的流体压力。本专利技术的另一种较广的形式包括一种制造半导体器件的方法，包括提供晶片夹， 该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；独立地并选择性地在环境压力之上和之下的 压力之间改变每个第一和第二孔中的流体压力。本专利技术的又一种较广的形式包括一种制造半导体器件的方法，包括提供具有顶 侧和底侧的晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；独立地并选择性地调节 流入或流出每个第一和第二孔的流体。附图说明本专利技术的方面通过以下的详细描述结合附图可以得到更好的理解。需要强调的 是，根据行业内的标准实践，各个特征没有按比例绘制。实际上，为了清楚的描述，各个特征 的尺寸可以任意地增加或减小。图1为根据本专利技术的各个方面的用于制造半导体器件的方法的流程图；图2为根据本专利技术的各个方面的器件固定装置的高层示意图；图3-5为根据本专利技术的各个方面的晶片夹的各个实施例的顶层视图，该晶片夹为 器件固定装置的部分；和图6-9为根据本专利技术的各个方面的制造半导体器件的高层侧视图。 具体实施例方式可以理解的是，下面的说明书提供了很多不同的实施例，例如，用于实现本专利技术的 不同特征。以下描述了元件和排列的具体例子以简化本说明书。当然，这些仅仅是例子， 并不作为限制。另外，以下的描述中第一特征在第二特征之上或上面的结构可以包括第一和第二特征直接接触的实施例，也可以包括附加的特征形成在第一和第二特征之间的实施 例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。为了简单和清楚的目的，各个特征任意地按不 同的比例绘制。图1示出了根据本专利技术的各个方面的用于独立和选择性的变化晶片夹中的多个 孔中的每一个的流体压力的方法100的流程图。参考图1，方法11开始于块13，其中提供 了晶片夹，该晶片夹具有在延伸穿过其中的第一和第二孔。方法11继续到块15，其中在第 一和第二孔中产生真空以将第一半导体晶片固定到晶片夹的顶侧。方法11继续到块17，其 中提供了位于第一晶片之上并与其对准的第二半导体晶片。方法11继续到块19，其中将第 一加压流体提供到第一孔以使得在第一孔之上第一晶片的部分与第二晶片的部分接触，从 而产生激活区。方法11继续到块21，其中将第二加压流体提供到第二孔以延伸激活区。参考图2，示出了器件固定装置33的高层示意图。器件固定装置33包括晶片夹 35，该晶片夹35包括非导电材料，如陶瓷材料。晶片夹35具有顶面(也成为顶侧)37和底 面(也成为底侧)38。顶面37和底面38都是相对平坦的，这样晶片夹35的厚度40在大约 0. 1微米(P m)到大约100 u m的范围内变化，例如，大约5 u m。晶片夹35的厚度40的变 化量也可以称为总厚度变量。晶片夹35也包括一个或多个孔(或开口)。为了简单和示意 的目的，图2中示出了三个孔42、44和46。孔42、44、46穿过晶片夹35延伸。孔42、44和 46分别具有尺寸48、50和52。在图2所示的实施例中，尺寸48、50和52在从大约0. 1毫 米(mm)到大约50mm的范围内，例如，大约0.5mm。可以理解的是，以上提供的值仅仅是示 例性的，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下可以使用可选择的值实现图2所示的实施 例。孔42通过通道60的端口 62连接到通道60。通道60还包括端口 64和66，其分 别连接到阀门74和76的顶端部分70和72。孔44通过通道80的端口 82连接到通道80。 通道80还包括端口 84和86，其分别连接到阀门94和96的顶端部分90和92。孔46通过 通道100的端口 102连接到通道100。通道100还包括端口 104和106，其分别连接到阀门 114和116的顶端部分110和112。每个阀门74、76、94、96、114和116也分别具有底端部分 120、122、124、126、128和130。底端部分120、124和128通过通道145连接到真空源，如真 空泵140。底端部分122、126和130通过通道155连接到压力源，如压力泵150。通道60、 80、100，每个包括软管、管道、导管或其组合，以使得流体，如空气，流入或流出对应的孔42、 44和46。通道145和155与通道60、80和100类似，这样流体能够分别流入或流出真空泵 140和压力泵150。能够打开阀门74、76、94、96、114和116每个以使得自由流体流过其中， 或被关闭以使得没有流体流过其中。阀门74、76、94、96、114和116连接到控制器160，这样 控制器160能够独立地选择性地控制每个阀门74、76、94、96、114和116的打开和关闭。控 制器160可以为操作员，如技术员或工程师，电脑运行预加载程序，或其他适合用于自动控 制的器件。通道60、80、100、145和155，阀门 74、76、94、96、114和 116，真空泵 140，压力泵 150和控制器160的组合每个可以视作压力控制结构165的一个组件。压力控制结构165的各 个组件彼此联合工作以管理在孔42、44、46和真空泵140和压力泵150之间流动的流体。例 如，真空泵140能够用于产生吸力以使得流体167流向真空源140。也就是，真空泵140提 供真空。压力泵150能够用于产生压力以使得流体168从压力泵150流出。也就是，压力5泵150提供加压流体168。流体167和168包括空气。可选择地，流体167和168可以包括 其他适合的气体或液体。流体167和168可以是相同的或不同的。控制器169用于选择流体167和168的流动路径。在一个实施例中，控制器160 打开阀门74、96和114，并关闭阀门76、94和116。因此，流体167受压流出孔42，穿过通 道60，穿过打开的阀门74，并穿过通道145，流向真空泵140。因为阀门76关闭，因此压力 泵150提供的加压流体不能穿过阀门76，从而不能到达孔42。类似地，当压力泵150提供 的加压流体被阀门116切断时，流体受压从孔46流出，流向真空泵140。相对于孔44，因为 阀门94关闭了，所以真空泵140不迫使流体流出孔44并流向真空泵140。然而，因为阀门 96是打开的，所以压力泵150能够通过通道155和80向孔44提供加压流体。上述的具体 流动路径仅仅是示例性的，可以使用控制器打开或关闭阀门74、76、94、96、114和116来设 计其他的流动路径。继续上述例子，每个孔42、44和46具有其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及压力控制结构，其能够独立地并可选择地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的流体压力。

【技术特征摘要】
US 2009-3-31 12/414,861一种装置，包括晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及压力控制结构，其能够独立地并可选择地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的流体压力。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述压力控制结构用于在所述第一孔中产生真 空，同时将加压流体提供到所述第二孔。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述压力控制结构包括真空源，其与所述第一和第二孔通过各自的阀门流体交流；以及压力源，其与所述第一和第二孔通过各自的阀门流体交流，其中所述压力控制结构还包括控制器，其能够选择性地打开和关闭每个所述阀门。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述阀门包括第一、第二、第三和第四阀门，每个 所述阀门具有第一端部和第二端部。5.根据权利要求4所述的装置，还包括具有第一、第二和第三端口的第一通道，以及具 有第四、第五和第六端口的第二通道，所述第一和第二端口分别连接到所述第一和第三阀 门的第一端部，所述第四和第五端口分别连接到所述第二和第四阀门的第一端部，所述第 三和第六端口分别连接到所述第一和第二孔；其中所述真空源连接到所述第一和第二阀门的第二端部，所述压力源连接到所述第三 和第四阀门的第二端部。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶片夹包括第一槽和第二槽，所述第一孔位 于所述第一槽的部分上，所述第二孔位于所述第二槽的部分上，其中所述第一槽比所述第 二槽更接近于所述晶片夹的中心区域。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶片夹包括平坦的顶和底面，使得晶片夹的 厚度在大约0. 1 ii m到大约100 iim的范围中变化。8.—种制造半导体器件的方法，包括提供晶片夹，所述晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中 的流体压力。9.根据权利要求8所述的方法，其中通过同时使用真空源在所述第一孔中产生真空， 并且使用压力源向所述第二孔提供加压流体而实现独立地并选择性地改变流体压力，其中通过使第一流体从所述第一孔流向所述真空源而在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丙寅，喻中一，许哲颖，杜友伦，周大翔，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]