【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频微波领域，尤其涉及一种加载短路枝节线的大功率移相器电路。
技术介绍
1、现有开关线式二极管移相器结构需要4个pin二极管，导致移相损耗会较大。如图1所示的开关线式二极管移相器电路结构图，移相器的差相移仅取决于l1和l2这两条不同传输路径的路径差，但是l1和l2并不能随意选取，对于断开的微波传输线，如果其电长度加上pin二极管的等效电抗后，总的电长度与工作频率半波长的整数倍接近时，就会产生微波谐振现象，导致移相器的损耗急剧增加，相移精度急剧变差。
2、对于现有加载线式二极管移相器，如图2所示，其只适合用于小移相范围的移相位。对于大移相范围的移相位，其工作带宽和端口驻波性能不好，必须采用多个小移相范围的移相位串联使用，因此需要的pin二极管比较多，电路占用面积比较大，器件损耗也会比较大。移相器电路设计时，一般在90°以下的小移相范围，才采用加载线式移相器形式。
3、目前在很多雷达的应用上都存在大相移加小相移的组合。针对这种情况，如果单纯用开关线式二极管移相器加载线式移相器组合，这将大大增加整个移相器的损耗，影响整个系统链路的性能。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种加载短路枝节线的大功率移相器电路。
2、为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：
3、本专利技术的实施例提供一种加载短路枝节线的大功率移相器电路，包括等效射频电路，包括等效射频电路，其中，所述等效射频电路包括移相
4、所述移相单元具有第一节点，所述移相单元的一端与所述调相单元一的一端、所述第四pin二极管的阳极以及第一射频信号端口连接，所述移相单元的另一端与所述调相单元二的一端、所述第一电容的另一端以及所述第二射频信号端口连接；
5、所述匹配单元连接在所述第一节点和地之间；
6、所述调相单元一连接在所述第四pin二极管的阳极与地之间，所述调相单元一包括一个或m个第一调相子单元，所述第一调相子单元包括第一微带线和第一pin二极管，所述第一微带线的第一端与所述第一pin二极管的阳极相连，所述第一微带线的第二端较所述第一pin二极管的阴极靠近所述第四pin二极管的阳极，m为大于的正整数；
7、所述调相单元二连接在所述第一电容的另一端与地之间，所述调相单元二包括一个或m个第二调相子单元，所述第二调相子单元包括第二微带线和第三pin二极管，所述第二微带线的第一端与所述第三pin二极管的阳极相连，所述第二微带线的第二端较所述第三pin二极管的阴极靠近所述第一电容的另一端；
8、若所述调相单元一包括一个第一调相子单元且所述调相单元二包括一个第二调相子单元，所述第二微带线与所述第一微带线相同，所述第三pin二极管与所述第一pin二极管相同；
9、若所述调相单元一包括m个第一调相子单元且所述调相单元二包括m个第二调相子单元，则第n个第一调相子单元的第一微带线的第一端与第n+1个第一调相子单元的第一微带线的第二端相连，则第n个第二调相子单元的第二微带线的第一端与第n+1个第一调相子单元的第二微带线的第二端相连；所述第n个第二调相子单元的第一微带线与所述第n个第一调相子单元的第一微带线相同，所述第n个第二调相子单元的第三pin二极管与所述第n个第一调相子单元的第一pin二极管相同，n为大于等于且小于m的正整数。
10、进一步地，所述移相单元包括第三微带线和第四微带线，所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端连接，所述第一节点位于所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端之间，所述第三微带线的另一端与所述第一微带线的第二端、所述第四pin二极管的阳极以及所述第一射频信号端口连接，所述第四微带线的另一端与所述第二微带线的第二端、所述第一电容的另一端以及所述第二射频信号端口连接。
11、进一步地，所述匹配单元包括第一电感和第二pin二极管，所述第一电感的一端和第二pin二极管的阳极连接，所述第一电感的另一端较第二pin二极管的阴极靠近所述第一节点。
12、进一步地，还包括控制单元一；
13、若所述调相单元一包括一个第一调相子单元且所述调相单元二包括一个第二调相子单元，则所述控制单元一包括一个控制子单元，所述控制子单元的一端与所述第一调相子单元的另一端以及所述第二调相子单元的另一端连接，且所述控制子单元的另一端接地；
14、若所述调相单元一包括m个第一调相子单元且所述调相单元二包括m个第二调相子单元，则所述控制单元一包括m个所述控制子单元，则第n个控制子单元的一端与所述第n个第一调相子单元的另一端以及所述第n个第二调相子单元的另一端连接，且所述第n个控制子单元的另一端接地。
15、进一步地，所述控制子单元包括电阻一、第二电容和第二电感和第一控制电源，所述第二电容的一端和所述第一pin二极管的阴极连接，所述第二电容的另一端接地，所述第二电感的一端和所述第一pin二极管的阴极连接，所述第二电感的另一端与所述电阻一连接，所述电阻一的另一端和所述第一控制电源连接。
16、进一步地，还包括控制单元二，所述控制单元二连接在所述匹配单元的另一端与地之间；
17、所述控制单元二包括电阻二、第三电容、第三电感和第二控制电源，所述第三电容的一端和所述第二pin二极管的阴极连接，所述第三电容的另一端接地，所述第三电感的一端和所述第二pin二极管的阴极连接，所述第三电感的另一端和所述电阻二的一端连接，所述电阻二的另一端和所述第二控制电源连接。
18、进一步地，还包括控制单元三，所述控制单元三的一端连接在所述第四pin二极管的阴极和所述第一电容的一端之间，所述控制单元三的另一端接地；
19、所述控制单元三包括第五电感、电阻三和控制电源，所述第五电感的一端连接在所述第四pin二极管的阴极和所述第一电容的一端之间，所述第五电感的另一端和所述电阻三的一端连接，所述电阻三的另一端和所述控制电源连接。
20、进一步地，还包括直流馈电单元，所述直流馈电单元一端与所述移相单元的一端、所述调相单元二的一端以及所述第一电容的另一端连接，所述直流馈电单元的另一端接地。
21、进一步地，所述直流馈电单元包括第四电感和供电电压，所述第四电感的一端和所述第四微带线的另一端、所述第二微带线的第二端以及所述第一电容的另一端连接，所述第四电感的另一端和所述供电电压连接。
22、本专利技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
23、本专利技术提出加载短路枝节线的大功率移相器电路，在一个移相结构中不仅可以实现大相位和小相位的组合移相，且全本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，包括等效射频电路，其中，
2.根据权利要求1所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述移相单元包括第三微带线和第四微带线，所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端连接，所述第一节点位于所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端之间，所述第三微带线的另一端与所述第一微带线的第二端、所述第四PIN二极管的阳极以及所述第一射频信号端口连接，所述第四微带线的另一端与所述第二微带线的第二端、所述第一电容的另一端以及所述第二射频信号端口连接。
3.根据权利要求2所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述匹配单元包括第一电感和第二PIN二极管，所述第一电感的一端和第二PIN二极管的阳极连接，所述第一电感的另一端较第二PIN二极管的阴极靠近所述第一节点。
4.根据权利要求1-3任一项所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，还包括控制单元一；
5.根据权利要求4所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述控制子单元包括电阻一、第二电容和第二电感
6.根据权利要求1-3任一项所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，还包括控制单元二，所述控制单元二连接在所述匹配单元的另一端与地之间；
7.根据权利要求1-3任一项所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，还包括控制单元三，所述控制单元三的一端连接在所述第四PIN二极管的阴极和所述第一电容的一端之间，所述控制单元三的另一端接地；
8.根据权利要求1-3任一项所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，还包括直流馈电单元，所述直流馈电单元的一端与所述移相单元的一端、所述调相单元二的一端以及所述第一电容的另一端连接，所述直流馈电单元的另一端接地。
9.根据权利要求8所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述直流馈电单元包括第四电感和供电电压，所述第四电感的一端和所述第四微带线的另一端、所述第二微带线的第二端以及所述第一电容的另一端连接，所述第四电感的另一端和所述供电电压连接。
...【技术特征摘要】
1.一种加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，包括等效射频电路，其中，
2.根据权利要求1所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述移相单元包括第三微带线和第四微带线，所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端连接，所述第一节点位于所述第三微带线的一端和所述第四微带线的一端之间，所述第三微带线的另一端与所述第一微带线的第二端、所述第四pin二极管的阳极以及所述第一射频信号端口连接，所述第四微带线的另一端与所述第二微带线的第二端、所述第一电容的另一端以及所述第二射频信号端口连接。
3.根据权利要求2所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述匹配单元包括第一电感和第二pin二极管，所述第一电感的一端和第二pin二极管的阳极连接，所述第一电感的另一端较第二pin二极管的阴极靠近所述第一节点。
4.根据权利要求1-3任一项所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，还包括控制单元一；
5.根据权利要求4所述的加载短路枝节线的大功率移相器电路，其特征在于，所述控制子单元包括电阻一、第二电容和第二电感和第一控制电源，所述第二电容的一端和所述第一pin二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，方家兴，陈吉，路烜，杨实，
申请(专利权)人：南通至晟微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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