【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其是涉及一种发光二极管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
1、具有微小尺寸和矩阵化的微发光二极管(micro led)在显示方面的应用越来越重要，尤其是在穿戴产品和高分辨显示器方面，比lcd和oled更具有优势。
2、但是，由于微发光二极管的尺寸较小，对应结构更精细、驱动精度要求更高，其受外界干扰信号(电磁干扰信号)的影响相对较大，微小的电磁干扰信号就可能会使得微发光二极管发光不稳定，出现闪烁现象，严重影响发光效果并降低了使用寿命。
3、因此，目前亟需一种微发光二极管的防电磁干扰技术方案。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管的防电磁干扰技术方案，旨在解决外界电磁干扰信号对发光二极管的电学性能的影响。
2、本专利技术提供一种发光二极管，至少包括：
3、外延结构层，包括依次设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；
4、第一导电层，设置在所述外延结构层远离所述第一半导体层的一侧；
5、第一介电层，覆盖所述外延结构层及所述第一导电层；
6、第一电极，与所述第一半导体层电连接；
7、第二电极，与所述第二半导体层电连接；
8、第二导电层，与所述第一电极及所述第二电极中的一个电连接，并配合所述外延结构层或所述第一导电层形成电容，所述电容与所述发光二极管并联。
9、在上述发光二极管中，第二导电层配合外延结构层或第一
10、可选地，所述第二导电层与所述第一电极电连接，所述第二导电层配合所述第一导电层形成所述电容。
11、可选地，所述第二导电层与所述第二电极电连接，所述第二导电层配合所述第一半导体层形成所述电容。
12、可选地，所述第一电极穿过所述第一介电层、所述第一导电层及所述第二半导体层及所述有源层与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接。
13、可选地，所述发光二极管还包括衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面，所述外延结构层、所述第一导电层依次层叠设置在所述衬底的正面上，所述第一介电层设置在所述第一导电层上及所述衬底的正面上并覆盖所述外延结构层及所述第一导电层，所述第一电极设置在所述衬底的背面上并通过所述衬底与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接。
14、可选地，所述第一导电层及所述第二导电层分别包括透明导电层。
15、可选地，所述发光二极管还包括：
16、第二介电层，覆盖所述第二导电层、所述第一电极及所述第二电极；
17、第一焊盘，穿过所述第二介电层与所述第一电极电连接；
18、第二焊盘，穿过所述第二介电层与所述第二电极电连接。
19、一种发光二极管的制作方法，包括：
20、形成外延结构层，所述外延结构层包括依次设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；
21、形成第一导电层，所述第一导电层设置在所述外延结构层远离所述第一半导体层的一侧；
22、形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述外延结构层及所述第一导电层；
23、形成第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一介电层上；
24、形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接；
25、其中，所述第一电极及所述第二电极中的一个与所述第二导电层电连接，所述第二导电层配合所述外延结构层或所述第一导电层形成电容，所述电容与所述发光二极管并联。
26、在上述发光二极管的制作方法中，通过第二导电层配合外延结构层或第一导电层形成与发光二极管并联的电容，该电容可作为滤波电容，对发光二极管上施加的驱动信号进行滤波处理，可有效滤除杂散的电磁干扰信号，提高了发光二极管的发光稳定性，抑制了闪烁现象，并提高了发光二极管的使用寿命。
27、可选地，所述形成第一介电层的步骤，包括：
28、沿着所述第一电极的窗口，刻蚀所述第一导电层及所述外延结构层，形成第一接触孔，所述第一接触孔依次穿过所述第一导电层、所述第二半导体层及所述有源层并暴露出所述第一半导体层；
29、形成第一介电材料层，所述第一介电材料层覆盖所述外延结构层及所述第一导电层，所述第一介电材料层填满所述第一接触孔；
30、对所述第一介电材料层进行表面平坦化处理，得到所述第一介电层。
31、可选地，所述形成第一电极和第二电极的步骤，包括：
32、刻蚀所述第二导电层，至少暴露出所述第二电极的窗口对应的所述第一介电层；
33、刻蚀形成第二接触孔和第三接触孔，所述第二接触孔依次穿过所述第二导电层及所述第一接触孔中的所述第一介电层并暴露出所述第一半导体层，所述第三接触孔穿过所述第二电极的窗口对应的所述第一介电层并暴露出所述第一导电层；
34、形成金属层并刻蚀，所述金属层覆盖所述第二导电层、暴露的所述第一介电层及暴露的所述第一导电层并填满所述第二接触孔和所述第三接触孔，得到相互独立的所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极依次穿过所述第二导电层及所述第一接触孔中的所述第一介电层并与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接；
35、其中，所述第一电极与所述第二导电层电连接，所述第二导电层配合所述第一导电层形成所述电容。
36、可选地，所述形成第一电极和第二电极的步骤，包括：
37、刻蚀所述第二导电层，至少暴露出所述第一电极的窗口对应的所述第一介电层；
38、刻蚀形成第二接触孔和第三接触孔，所述第二接触孔穿过所述第一接触孔中的所述第一介电层并暴露出所述第一半导体层，所述第三接触孔依次穿过所述第二导电层及所述第一介电层并暴露出所述第一导电层；
39、形成金属层并刻蚀，所述金属层覆盖所述第二导电层、暴露的所述第一介电层及暴露的所述第一导电层并填满所述第二接触孔和所述第三接触孔，得到相互独立的所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极穿过所述第一接触孔中的所述第一介电层并与所述第一半导体层电连接，所述第二电极依次穿过所述第二导电层及所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接；
40、其中，所述第二电极与所述第二导电层电连接，所述第二导电层配合所述第一半导体层形成所述电容。
41、一种显示面板，包括：
42、基板；以及
43、如上述任一项所述的发光二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二导电层与所述第一电极电连接，所述第二导电层配合所述第一导电层形成所述电容。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二导电层与所述第二电极电连接，所述第二导电层配合所述第一半导体层形成所述电容。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极穿过所述第一介电层、所述第一导电层及所述第二半导体层及所述有源层与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面，所述外延结构层、所述第一导电层依次层叠设置在所述衬底的正面上，所述第一介电层设置在所述第一导电层上及所述衬底的正面上并覆盖所述外延结构层及所述第一导电层，所述第一电极设置在所述衬底的背面上并通过所述衬底与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连
6.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层分别包括透明导电层。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
8.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成第一介电层的步骤，包括：
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成第一电极和第二电极的步骤，包括：
11.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成第一电极和第二电极的步骤，包括：
12.一种显示面板，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二导电层与所述第一电极电连接，所述第二导电层配合所述第一导电层形成所述电容。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二导电层与所述第二电极电连接，所述第二导电层配合所述第一半导体层形成所述电容。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极穿过所述第一介电层、所述第一导电层及所述第二半导体层及所述有源层与所述第一半导体层电连接，所述第二电极穿过所述第一介电层并通过所述第一导电层与所述第二半导体层电连接。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面，所述外延结构层、所述第一导电层依次层叠设置在所述衬底的正面上，所述第一介电层设置在所述第一导电层上及所述衬底的正面上并覆盖所述外...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰升友，袁山富，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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