【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其是涉及一种金属层断裂的测试结构及测试金属层断裂的方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，为了减小连线电阻，减小面积，增加集成度，芯片制造往往采取多层布局布线。同层之间器件是由金属线来连接的，不同层次之间的金属是由via(金属插塞)来连接的。
2、在半导体制作过程中，制作完成后的半导体结构需要经过一系列功能测试，测试pass后才能出厂。在一些半导体结构的测试中，出现半导体结构良率低的情况，经过对不良的半导体结构进行切片发现，是位于顶层金属层下方的次顶层金属层出现了断裂，造成了次顶层金属层的功能缺失。
3、经过专利技术人的研究发现，次顶层金属层出现断裂是由于顶层金属层的金属线之间的介质层中出现裂纹，裂纹延升到位于顶层金属层下方的次顶层金属层中，导致次顶层金属侧出现断裂，从而造成了次顶层金属层的功能缺失。一旦未能测试到会造成严重的后果。甚至，即便能通过测试管控住质量，但是如果在测试之前已经大量生产，很难在此返工，因此浪费了资源，又加大了后续的测试工作量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种金属层断裂的测试结构及测试金属层断裂的方法，可以测试次顶层金属层是否出现断裂，从而可以提高半导体结构的质量，还减少资源的浪费以及减少工作量。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种金属层断裂的测试结构，包括：
3、顶层金属层，所述顶层金属层包括多个间隔的顶层金属线，多个所述顶层金属线之间通过介质层隔开；>
4、次顶层金属层，所述次顶层金属层位于所述顶层金属层的下方，所述次顶层金属层包括多个间隔的次顶层金属线，多个所述次顶层金属线之间通过介质层隔开，同时，多个所述次顶层金属线依次通过连接线连接在一起；以及
5、第一金属焊垫和第二金属焊垫，所述第一金属焊盘和第二金属焊盘分别连接在第一个所述次顶层金属线的首端和最后一个所述次顶层金属线的尾端。
6、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，所述顶层金属层和所述次顶层金属层之间通过介质层隔开。
7、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，相邻所述顶层金属线之间的距离均相同。
8、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，多个所述顶层金属线均相互平行。
9、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，多个所述次顶层金属线均相互平行。
10、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，多个所述顶层金属线与多个所述次顶层金属线均相互垂直。
11、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，多个所述顶层金属线的厚度与相邻顶层金属线之间的距离的比值大于或等于2。
12、可选的，在所述的金属层断裂的测试结构中，所述第一金属焊垫和第二金属焊垫均包括铝焊垫。
13、相应地，本专利技术还提供了一种使用金属层断裂的测试结构测试金属层断裂测试方法，包括：
14、向所述第一金属焊垫和第二金属焊垫分别施加一定的电压；
15、测试所述第一金属焊垫和第二金属焊垫之间的电阻；以及
16、当所述电阻的阻值在设定值之外，则判断次顶层金属层出现断裂。
17、可选的，在所述的金属层断裂的测试方法中，当所述电阻的阻值在设定值内，则判断金属层的质量合格。
18、在本专利技术提供的金属层断裂的测试结构及测试金属层断裂的方法中，测试结构包括：顶层金属层，顶层金属层包括多个间隔的顶层金属线，多个顶层金属线之间通过介质层隔开；次顶层金属层，次顶层金属层位于顶层金属层的下方，次顶层金属层包括多个间隔的次顶层金属线，多个次顶层金属线之间通过介质层隔开，同时，多个次顶层金属线依次通过连接线连接在一起；以及第一金属焊垫和第二金属焊垫，第一金属焊盘和第二金属焊盘分别连接在第一个次顶层金属线的首端和最后一个次顶层金属线的尾端。金属层断裂的测试方法包括：向第一金属焊垫和第二金属焊垫分别施加一定的电压；测试第一金属焊垫和第二金属焊垫之间的电阻；以及当电阻的阻值在设定值之外，则判断次顶层金属层出现断裂。本专利技术能够在大量生产之前，测试出半导体结构的次顶层金属层是否出现断裂，从而提高了半导体结构的质量，还减少了资源的浪费以及减少了工作量。
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1.一种金属层断裂的测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，所述顶层金属层和所述次顶层金属层之间通过介质层隔开。
3.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，相邻所述顶层金属线之间的距离均相同。
4.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述顶层金属线均相互平行。
5.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述次顶层金属线均相互平行。
6.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述顶层金属线与多个所述次顶层金属线均相互垂直。
7.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述顶层金属线的厚度与相邻顶层金属线之间的距离的比值大于或等于2。
8.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，所述第一金属焊垫和第二金属焊垫均包括铝焊垫。
9.一种使用如权利要求1～8任一项所述的金属层断裂的测试结构金属层断裂的测试方法，其特征在于，包括：
10.如权利
...【技术特征摘要】
1.一种金属层断裂的测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，所述顶层金属层和所述次顶层金属层之间通过介质层隔开。
3.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，相邻所述顶层金属线之间的距离均相同。
4.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述顶层金属线均相互平行。
5.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于，多个所述次顶层金属线均相互平行。
6.如权利要求1所述的金属层断裂的测试结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，侠磊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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