【技术实现步骤摘要】
本揭露关于半导体结构。
技术介绍
1、电子行业已经历对愈来愈小且愈来愈快速电子装置的不断增长的需求，该些电子装置能够同时支援较大数目个愈来愈复杂且更精细的功能。因此，半导体行业中存在制造低成本、高效能且低功率的集成电路(integrated circuit，ic)的持续趋势。迄今为止，这些目标很大部分上通过按比例缩放半导体ic尺寸(例如，最小特征大小)且借此改良生产效率及减低关联成本已达成。然而，此类缩放亦已引入增大的复杂性至半导体制造工艺。因此，半导体ic及装置上的继续进步的实现需要半导体制造工艺及技术的类似进步。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一主动区；一栅极材料层，位于该主动区且具有一凹入表面，其中该凹入表面包括一第一边缘处的一第一角状物、一第二边缘处的一第二角状物及位于该第一角状物与该第二角状物之间的一谷；及一衬里，覆盖该栅极材料层的该第一角状物、该第二角状物及该谷上方。
2、根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一金属栅极材料层；及一金属衬里，覆盖该金属栅极材料层，其中该金属栅极材料层及该金属衬里形成一金属栅极，其中该金属栅极材料层包含具有一最低点的一倾斜上表面，该金属衬里沿着具有一栅极界面面积的一栅极界面接触该倾斜上表面，其中该金属栅极材料层在该倾斜上表面的该最低点处的一水平截面具有一截面面积；且该栅极界面面积大于该截面面积。
3、根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一主动区；及一导电栅极，覆盖该主动
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1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该栅极材料层包含具有一最低点的一倾斜上表面；
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，其中该栅极界面面积比该截面面积大出1.05至1.4倍。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该衬里具有一倾斜顶表面，该互连件具有一接触界面与该衬里的该倾斜顶表面接触，该接触界面自一上端延伸至一下端且界定一接触界面面积，其中该互连件在该接触界面的该上端处的一水平截面具有一互连件截面面积，且其中该接触界面面积大于该互连件截面面积。
6.一种半导体结构，其特征在于，包含：
7.一种半导体结构，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，其中该栅极界面面积比该插塞截面面积大出1.05至1.4倍。
9.如权利要求7或权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，其中该衬里具有一倾斜顶表面，且其中该半导体结构进一步包含：
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该栅极材料层包含具有一最低点的一倾斜上表面；
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，其中该栅极界面面积比该截面面积大出1.05至1.4倍。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该衬里具有一倾斜顶表面，该互连件具有一接触界面与该衬里的该倾斜顶表面接触，该接触界面自一上端延伸至一下端且界定一接触界面面积，其中该互连件在该接触界面的该上端...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷立炜，潘姿文，林育贤，杨鈤笙，赵士傑，梁家铭，林益安，陈嘉仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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