【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书总体涉及电子器件制造。更具体地，本说明书涉及使用与反应器框架配合的弹性物体的工艺气体围堵。
技术介绍
1、电子器件制造设备可包括多个腔室，诸如处理腔室和装载锁定腔室。这种电子器件制造设备可在传送腔室中采用机器人设备，该机器人设备被配置为在多个腔室之间运输基板。在一些情况下，多个基板将被一起传送。
技术实现思路
1、根据一个实施方式，提供了一种沉积室系统。一种沉积室系统，包括：反应器接口；导流件，该导流件附接到该反应器接口；反应器框架，该反应器框架设置在该反应器接口下方以固定基板；以及，弹性物体，该弹性物体具有对应于附接到该反应器框架的基部的第一端部和对应于在该反应器接口下方的压缩主体的第二端部，以用压缩力在该反应器接口与该反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。该导流件是用于将工艺气流引导到反应器中来对于装载在该反应器中的基板执行沉积工艺的上游导流件或在执行该沉积工艺之后将残余物引导出该反应器的下游导流件中的一者。
2、根据另一个实施方式，提供了一种装置。所述装置包括：反应器框架，所述反应器框架用于将基板固定在沉积室系统内；以及弹性物体，所述弹性物体具有对应于附接到所述反应器框架的基部的第一端部和对应于压缩主体的第二端部，以用压缩力在所述反应器框架与设置在所述反应器框架上方的反应器接口之间形成工艺气体围堵密封。
3、根据又一个实施方式，提供了一种方法。所述方法包括在沉积室系统的反应器框架处于脱离位置时将基板放置在所述沉积室系统的基座上。所述基板在所述基座
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1.一种沉积室系统，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述反应器框架包括掩模框架或阴影框架。
3.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统进一步包括基座，所述基座用于：
4.根据权利要求1所述的沉积室，进一步包括阴极，其中所述压缩力对应于在所述沉积工艺期间所述基板与所述阴极之间的目标间距，并且其中所述目标间距限定所述第二位置。
5.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩力在由形成所述工艺气体围堵密封的最小压缩力和所述弹性物体可承受的最大压缩力限定的力范围内，并且其中所述压缩力是用于执行所述沉积工艺的目标压缩力。
6.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环状形状、横截面对称叉尾形状或横截面翅片形状。
7.根据权利要求1所述的沉积室系统，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的沉积室系统，其中所述第一弹性物体和所述第二弹性物体是单个弹性物体的部分。
9.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ALD)室系
10.一种装置，包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述反应器框架包括掩模框架或阴影框架。
12.根据权利要求10所述的装置，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环状形状、横截面对称叉尾形状或横截面翅片形状。
13.根据权利要求10所述的装置，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ALD)系统。
14.根据权利要求10所述的装置，其中：
15.一种方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ALD)室系统。
17.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在将所述基板放置在所述基座上之前限定所述基板与所述阴极之间的所述间距，其中所述第二位置对应于所述间距。
18.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在移除所述残余物之后从所述沉积室系统移除所述基板，其中移除所述基板包括将所述基座从所述第二位置降低到所述第一位置。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉积室系统，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述反应器框架包括掩模框架或阴影框架。
3.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统进一步包括基座，所述基座用于：
4.根据权利要求1所述的沉积室，进一步包括阴极，其中所述压缩力对应于在所述沉积工艺期间所述基板与所述阴极之间的目标间距，并且其中所述目标间距限定所述第二位置。
5.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩力在由形成所述工艺气体围堵密封的最小压缩力和所述弹性物体可承受的最大压缩力限定的力范围内，并且其中所述压缩力是用于执行所述沉积工艺的目标压缩力。
6.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环状形状、横截面对称叉尾形状或横截面翅片形状。
7.根据权利要求1所述的沉积室系统，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的沉积室系统，其中所述第一弹性物体和所述第二弹性物体是单个弹性物体的部分。
9.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ald)室系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·霍，赵来，马诺哈拉·拉詹纳，孙光伟，许光秀，苏宗辉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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