【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁控溅射镀膜，尤其涉及一种用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机。
技术介绍
1、氧化锡钢(indium tin oxide，简称ito)薄膜，为n型多晶态薄膜材料，透光率高、电阻率低，是目前在平板显示、触控等方面应用最广的透明导电材料。无论是lcd、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ito玻璃作为其透明导电基板，ito玻璃包括玻璃基板及层叠于玻璃基板上的ito膜，目前ito膜最常用的生产工艺为磁控溅射。
2、作为显示屏的主要材料，ito膜的低电阻率和高透光率性能一直是行业技术发展的追求，但是现有ito膜工艺对于膜的硬度、耐磨性能也有很高的追求，如公开号为cn104611676a的中国专利文献，就公开了一种磁控溅射镀膜设备及ito玻璃的制备方法，就公开了一种硬度较高的ito膜制备设备和工艺，通过该设备和工艺制备得到的ito膜具有较高的硬度和耐磨性能，但其透光率和电阻率不能完全满足市场需求。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种有利于保障产品质量、生产效率高的用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机，包括前处理室、镀膜室和后处理室，所述镀膜室一端与前处理室连接，另一端与后处理室连接，所述镀膜室连接有多组分子泵组，所述分子泵组启动时将所述镀膜室内隔离为多个连续排列的腔室，最靠近前处理室的腔室设为
4、作为上述技术方案的进一步改进：
5、所述依次交替排列的ito层镀膜腔室和疏松sio2层镀膜腔室设有两组以上。
6、最靠近所述后处理室的腔室设为疏松sio2层镀膜腔室。
7、所述前处理室包括用于对镀膜材料进行预处理的入口室和前过渡室。
8、所述前过渡室一端与入口室连接，另一端与所述镀膜室的sio2基层镀膜腔室连接。
9、所述后处理室包括用于对镀膜材料进行后处理的后过渡室和出口室。
10、所述后过渡室一端与所述镀膜室内最靠近的疏松sio2层镀膜腔室连接，另一端与所述出口室连接。
11、所述分子泵组设有两台分子泵。
12、与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
13、本专利技术的用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机，在镀膜室连接有多组分子泵组，分子泵组启动时将镀膜室内隔离为多个连续排列的腔室，最靠近前处理室的腔室设为sio2基层镀膜腔室，之后为依次交替排列的ito层镀膜腔室和疏松sio2层镀膜腔室，在镀膜材料从前处理室进入后将依次被镀上sio2基层和交替附着的ito层和疏松sio2层，疏松的sio2其透过率高，更有利于ito层的电子跃迁，从而在提高ito膜透光率的同时，降低其电阻率，整体提高ito膜的低阻高透性能；采用分子泵组作为镀膜室内各腔室的隔离设备，有利于保障低阻高透ito膜的产品质量，并且有利于提高生产效率。
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1.一种用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，包括前处理室(100)、镀膜室(200)和后处理室(300)，所述镀膜室(200)一端与前处理室(100)连接，另一端与后处理室(300)连接，其特征在于，所述镀膜室(200)连接有多组分子泵组(400)，所述分子泵组(400)启动时将所述镀膜室(200)内隔离为多个连续排列的腔室，最靠近前处理室(100)的腔室设为SiO2基层镀膜腔室(201)，之后为依次交替排列的ITO层镀膜腔室(202)和疏松SiO2层镀膜腔室(203)。
2.根据权利要求1所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述依次交替排列的ITO层镀膜腔室(202)和疏松SiO2层镀膜腔室(203)设有两组以上。
3.根据权利要求2所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：最靠近所述后处理室(300)的腔室设为疏松SiO2层镀膜腔室(203)。
4.根据权利要求3所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述前处理室(100)包括用于对镀膜材料进行预处理的入口室(101)和前过渡室(102)
5.根据权利要求3所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述前过渡室(102)一端与入口室(101)连接，另一端与所述镀膜室(200)的SiO2基层镀膜腔室(201)连接。
6.根据权利要求5所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述后处理室(300)包括用于对镀膜材料进行后处理的后过渡室(301)和出口室(302)。
7.根据权利要求6所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述后过渡室(301)一端与所述镀膜室(200)内最靠近的疏松SiO2层镀膜腔室(203)连接，另一端与所述出口室(302)连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制备低阻高透ITO膜的磁控溅射机，其特征在于：所述分子泵组(400)设有两台分子泵(401)。
...【技术特征摘要】
1.一种用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机，包括前处理室(100)、镀膜室(200)和后处理室(300)，所述镀膜室(200)一端与前处理室(100)连接，另一端与后处理室(300)连接，其特征在于，所述镀膜室(200)连接有多组分子泵组(400)，所述分子泵组(400)启动时将所述镀膜室(200)内隔离为多个连续排列的腔室，最靠近前处理室(100)的腔室设为sio2基层镀膜腔室(201)，之后为依次交替排列的ito层镀膜腔室(202)和疏松sio2层镀膜腔室(203)。
2.根据权利要求1所述的用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机，其特征在于：所述依次交替排列的ito层镀膜腔室(202)和疏松sio2层镀膜腔室(203)设有两组以上。
3.根据权利要求2所述的用于制备低阻高透ito膜的磁控溅射机，其特征在于：最靠近所述后处理室(300)的腔室设为疏松sio2层镀膜腔室(203)。
4.根据权利要求3所述的用于制备低阻高透...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，李俊杰，李新栓，寇立，薛闯，桂丹，刘柏桢，孙桂红，祝海生，梁红，黄乐，黄国兴，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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