【技术实现步骤摘要】
本申请涉及化学镀钯，尤其是涉及一种化学镀钯溶液及其应用。
技术介绍
1、化学镀镍钯金技术已经在印制线路板及ic载板制造中广泛使用。化学镀钯层作为化学镍和化学金之间的阻挡层，起到利于绑定及焊接的作用。
2、化学镀钯溶液包含钯盐、络合剂、还原剂、缓冲剂、稳定剂等。美国专利us7678183公开了用钯化合物为钯原、胺化合物为络合剂、次亚磷酸钠为还原剂、不饱和酸作为稳定剂的化学钯体系。日旷金属株式会社专利cn101228293a中，公开了用水溶性钯化合物为钯原、胺化合物或氨基羧酸为络合剂、bi或bi化合物为稳定剂的化学镀钯体系。安美特公司专利wo2016/097083a2公开了化学镀钯用可溶性钯盐、还原剂及芳香化合物。
3、以上化学镀钯的专利技术专利及目前市场上销售的化学镀钯溶液，都存在以下两个方面的问题：
4、1.镀钯溶液的稳定性差，容易分解析出钯；
5、2.镀钯溶液的使用寿命短，到后期的沉积速率低，更换频率快，成本高。
技术实现思路
1、为了改善相关技术中镀钯溶液的稳定性差、使用寿命短的问题，本申请提供一种化学镀钯溶液及其应用。
2、本申请提供的一种化学镀钯溶液采用如下的技术方案：
3、一种化学镀钯溶液，包括水溶性钯化合物、络合剂、ph缓冲剂、还原剂、加速剂以及铋化合物；
4、所述水溶性钯化合物以钯计，钯的质量浓度为0.5-1.0g/l；
5、所述络合剂包括乙二胺四乙酸及其盐的至少一种、乙二
6、所述ph缓冲剂的质量浓度为10-20g/l；
7、所述还原剂的质量浓度为2-10g/l；
8、所述铋化合物以铋元素计，铋的质量浓度为20-100ppm；
9、所述加速剂采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物中的至少一种，所述加速剂的质量浓度为0.4-0.8g/l。
10、本申请中的化学镀钯液中，络合剂采用乙二胺四乙酸及其盐的至少一种、乙二胺以及蛋氨酸的组合，例如乙二胺四乙酸、乙二胺以及蛋氨酸的组合；乙二胺四乙酸盐、乙二胺以及蛋氨酸的组合；乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸盐、乙二胺以及蛋氨酸的组合。其次，本申请的化学镀钯液还加入了特定质量浓度的铋化合物以及加速剂，铋化合物能够改善化学镀钯液的稳定性，加速剂采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物中的至少一种，可以提高沉积钯的速度，化学镀钯液使用到后期速率也不下降，增加化学镀钯液使用的寿命，同时提高化学镀钯液的稳定性，使化学镀钯液不分解。但是，加速剂的质量浓度过低时，化学镀钯液的后期镀钯速度下降，加速剂的质量浓度过高时，化学镀钯液。即，本申请特定质量浓度范围内的络合剂、铋化合物以及加速剂的配合，才能够在改善化学镀钯液稳定性的同时获得速度较高且稳定的镀钯速率。
11、对于ph缓冲剂，其作用是稳定化学镀钯液的ph，也有利于改善化学镀钯液的稳定性。对于还原剂，还原剂的质量浓度影响化学镀钯液的镀钯速率，当还原剂的质量浓度过低时，化学镀钯液的镀钯速率偏慢，而当还原剂的质量浓度过高时，化学镀钯液的镀钯速率存在难以控制不稳定的问题，影响镀钯层的沉积质量。
12、可选的，所述加速剂包括无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐以及噻唑类有机含硫化合物，所述无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物的重量比为(1-1.5)：(1-1.5)：(2-3)。
13、与采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物中的任意一种或者两种的组合物相比，本申请中，加速剂采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐以及噻唑类有机含硫化合物三者重量比为(1-1.5)：(1-1.5)：(2-3)范围内的组合物时，化学镀钯溶液的镀钯速率显著提高，且化学镀钯溶液的镀钯稳定性更好、使用寿命更长，镀钯层的厚度也更加均匀。
14、可选的，所述无机含硫化合物采用na2so3,na2s2o3,na2s4o6中的至少一种。
15、可选的，所述噻唑类有机含硫化合物采用氨基噻唑、甲氨基噻唑中的至少一种。
16、本申请中，噻唑类有机含硫化合物采用氨基噻唑、甲氨基噻唑等含有氨基的噻唑类有机含硫化合物，可进一步改善化学镀钯溶液的稳定性。
17、可选的，所述化学镀钯溶液的ph为7.0-7.4。
18、本申请中，化学镀钯溶液的ph控制在7.0-7.4之间，有利于提高化学镀钯溶液的稳定性。
19、可选的，所述水溶性钯化合物采用四氨基二氯化钯、氯化钯、硫酸四氨钯中的至少一种。
20、可选的，所述ph缓冲剂采用磷酸二氢钠、柠檬酸中的至少一种；所述还原剂采用次亚磷酸钠中的至少一种。
21、可选的，所述铋化合物采用柠檬酸铋。
22、第二方面，本申请提供的一种化学镀钯溶液的镀钯工艺采用如下的技术方案：
23、一种化学镀钯溶液的镀钯工艺，包括以下步骤：
24、将化学镀钯溶液升温至50-70℃；
25、将完成化学沉镍处理后的电路板浸渍在温度为50-70℃的化学镀钯溶液中，沉钯10-15min。
26、采用本申请的化学镀钯溶液在50-70℃进行镀钯时，钯的沉积速率稳定，镀钯层厚度均匀性好。
27、第三方面，本申请提供的一种电路板采用如下的技术方案：
28、一种电路板，采用化学镀钯溶液的镀钯工艺进行镀钯。
29、综上所述，本申请至少包括以下有益技术效果：
30、1.本申请通过特定浓度范围内的络合剂、铋化合物以及加速剂等的配合，能够在提高镀钯速率的同时提高化学镀钯溶液的使用寿命与镀覆均匀性。
31、2.与采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物中的任意一种或者两种的组合物相比，本申请中，加速剂采用无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐以及噻唑类有机含硫化合物三者重量比为(1-1.5)：(1-1.5)：(2-3)范围内的组合物时，化学镀钯溶液的镀钯速率显著提高，且化学镀钯溶液的镀钯稳定性更好、使用寿命更长，镀钯层的厚度也更加均匀。
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1.一种化学镀钯溶液，其特征在于：包括水溶性钯化合物、络合剂、pH缓冲剂、还原剂、加速剂以及铋化合物；
2.根据权利要求1所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述加速剂包括无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐以及噻唑类有机含硫化合物，所述无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物的重量比为（1-1.5）：（1-1.5）：（2-3）。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述无机含硫化合物采用Na2SO3, Na2S2O3, Na2S4O6中的至少一种。
4.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述噻唑类有机含硫化合物采用氨基噻唑、甲氨基噻唑中的至少一种。
5.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述化学镀钯溶液的pH为7.0-7.4。
6.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述水溶性钯化合物采用四氨基二氯化钯、氯化钯、硫酸四氨钯中的至少一种。
7.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶
8.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述铋化合物采用柠檬酸铋。
9.一种化学镀钯溶液的镀钯工艺，其特征在于：包括以下步骤：
10.一种电路板，其特征在于:采用权利要求9所述的化学镀钯溶液的镀钯工艺对电路板进行镀钯。
...【技术特征摘要】
1.一种化学镀钯溶液，其特征在于：包括水溶性钯化合物、络合剂、ph缓冲剂、还原剂、加速剂以及铋化合物；
2.根据权利要求1所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述加速剂包括无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐以及噻唑类有机含硫化合物，所述无机含硫化合物、异硫脲丙磺酸内盐、噻唑类有机含硫化合物的重量比为（1-1.5）：（1-1.5）：（2-3）。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述无机含硫化合物采用na2so3, na2s2o3, na2s4o6中的至少一种。
4.根据权利要求1-2任意一项所述的一种化学镀钯溶液，其特征在于：所述噻唑类有机含硫化合物采用氨基噻唑、甲氨基噻唑中的至少一种。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴仕祥，简发明，
申请(专利权)人：珠海斯美特电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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