【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前芯片的堆叠焊接，主要采用热压键合工艺(thermal compression bonding，tcb)，在压力和温度的同步作用下，原位进行焊接。目前主流的堆叠工艺都采用热压键合工艺(tcb)+非导电膜工艺(non-conductive film，ncf)的方式，非导电膜预先贴合在芯片表面，覆盖芯片表面上的焊接凸起，在焊接过程中，对芯片的背面施加压力并进行加热，非导电膜流动填充在芯片与基板之间，缓冲应力对芯片的影响，并保护焊接凸起，同时芯片的焊接凸起在压力和温度的共同作用下与基板上的焊接手指焊接在一起。
2、现有在热压键合工艺(tcb)+非导电膜工艺(non-conductive film，ncf)的过程中，通过焊接吸嘴吸附在芯片的背面施加压力，当芯片很薄，或者非导电膜厚度较厚时，会发生在芯片边缘非导电膜的挤出高度高于芯片表面，这样容易发生非导电膜污染芯片背面及焊接吸嘴表面。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是在封装的过程中，怎样防止非导电膜污染芯片背面及焊接吸嘴表面。
2、为此，本申请一些实施例提供了一种封装结构的形成方法，包括：
3、提供基板，所述基板包括相对的上表面和下表面；
4、提供第一芯片，所述第一芯片包括相对的功能面和背面，所述第一芯片的功能面上具有凸起的若干第一焊接凸起以及覆盖所述若干第一焊接凸起的第一非导电膜；
5、提供伪基
6、将所述伪基底的水平部分中间区域的下表面粘附在所述第一芯片的背面上；
7、通过焊接吸嘴吸附所述伪基底的背面，将所述伪基底的下表面上粘附的第一芯片的功能面向下对准贴装在所述基板的上表面上；
8、进行焊接过程，进行焊接过程时进行加热并通过所述焊接吸嘴加压，使所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板，进行焊接过程中所述第一非导电膜处于熔融状态，且所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面。
9、在一些实施例中，所述基板的上表面具有若干第一焊接手指，所述基板的下表面具有若干第二焊接手指，所述基板中具有连接线路，所述基板上表面的部分第一焊接手指通过所述连接线路与所述基板下表面的第二焊接手指电连接；还包括：形成包覆所述第一芯片和基板上表面的塑封层，所述塑封层暴露出所述伪基底的上表面；在所述第二焊接手指的表面上形成外接凸起。
10、在一些实施例中，所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第一焊接凸起为凸起于所述第一芯片的功能面上的焊料层或者所述第一焊接凸起包括凸起于所述第一芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层；所述第一非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
11、在一些实施例中，所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热，所述第一非导电膜呈熔融状态，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指接触；继续施加压力并提高加热的温度，所述第一非导电膜熔融挤压流出，同时所述第一焊接凸起上的焊料层被挤压变形，当达到所述焊料层的熔化温度后，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起，此时所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面，对所述第一焊接凸起上的焊料层的挤压变形停止。
12、在一些实施例中，所述基板的上表面上贴装有第二芯片，所述第二芯片包括相对的功能面和背面，所述第二芯片的功能面上具有凸起的若干第二焊接凸起以及覆盖所述若干第二焊接凸起的第二非导电膜，所述第二芯片的背面具有连接焊盘；所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面贴装的第二芯片背面的连接焊盘焊接在一起；且在所述进行焊接的过程中，所述第二非导电膜处于熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板的上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第二芯片和第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第二焊接凸起为凸起于所述第二芯片的功能面上的焊料层或者所述第二焊接凸起包括凸起于所述第二芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层，所述第一非导电膜和第二非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
13、在一些实施例中，所述第二芯片的数量为一个或多个，且所述第二芯片的数量为多个时，多个所述第二芯片沿竖直方向依次堆叠；所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热，所述第二非导电膜和第一非导电膜呈熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指接触，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述第二芯片的背面上的连接焊盘接触，且当所述第二芯片为多个时，位于上层的所述第二芯片上的第二焊接凸起与位于下层的所述第二芯片背面的连接焊盘接触；继续施加压力并提高加热的温度，所述第二非导电膜和第一非导电膜熔融挤压流出，同时所述第二焊接凸起上的焊料层和第一焊接凸起上的焊料层被挤压变形，当达到所述焊料层的熔化温度后，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述第二芯片的背面上的连接焊盘焊接在一起，且当所述第二芯片为多个时，位于上层的所述第二芯片上的第二焊接凸起与位于下层的所述第二芯片背面的连接焊盘焊接在一起，此时所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面，对所述第一焊接凸起上的焊料层以及所述第一焊接凸起上的焊料层的挤压变形停止。
14、在一些实施例中，所述基板的上表面还具有支撑手指，所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面的支撑手指的表面。
15、在一些实施例中，在所述伪基底中间区域的下表面粘贴粘附层，所述伪基底的水平部分中间区域的下表面通过所述粘附层粘附在所述第一芯片的背面上。
16、本申请一些实施例还提供了一种封装结构，包括：
17、基板，所述基板包括相对的上表面和下表面；
18、第一芯片，所述第一芯片包括相对的功能面和背面，所述第一芯片的功能面上具有凸起的若干第一焊接凸起以及覆盖所述若干第一焊接凸起的第一非导电膜，所述第一芯片的功能面向下对准贴装在所述基板的上表面上；
19、伪基底，所述伪基底包括相连接的水平部分和垂直部分，所述水平部分包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域，所述垂直部分凸起于所述水平部分的边缘区域下表面上，所述伪基底的水平部分中间区域的下表面粘附在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板的上表面具有若干第一焊接手指，所述基板的下表面具有若干第二焊接手指，所述基板中具有连接线路，所述基板上表面的部分第一焊接手指通过所述连接线路与所述基板下表面的第二焊接手指电连接；还包括：形成包覆所述第一芯片和基板上表面的塑封层，所述塑封层暴露出所述伪基底的上表面；
3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第一焊接凸起为凸起于所述第一芯片的功能面上的焊料层或者所述第一焊接凸起包括凸起于所述第一芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层；所述第一非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热
5.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板的上表面上贴装有第二芯片，所述第二芯片包括相对的功能面和背面，所述第二芯片的功能面上具有凸起的若干第二焊接凸起以及覆盖所述若干第二焊接凸起的第二非导电膜，所述第二芯片的背面具有连接焊盘；所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面贴装的第二芯片背面的连接焊盘焊接在一起；且在所述进行焊接的过程中，所述第二非导电膜处于熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板的上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第二芯片和第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第二焊接凸起为凸起于所述第二芯片的功能面上的焊料层或者所述第二焊接凸起包括凸起于所述第二芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层，所述第一非导电膜和第二非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二芯片的数量为一个或多个，且所述第二芯片的数量为多个时，多个所述第二芯片沿竖直方向依次堆叠；所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热，所述第二非导电膜和第一非导电膜呈熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指接触，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述第二芯片的背面上的连接焊盘接触，且当所述第二芯片为多个时，位于上层的所述第二芯片上的第二焊接凸起与位于下层的所述第二芯片背面的连接焊盘接触；继续施加压力并提高加热的温度，所述第二非导电膜和第一非导电膜熔融挤压流出，同时所述第二焊接凸起上的焊料层和第一焊接凸起上的焊料层被挤压变形，当达到所述焊料层的熔化温度后，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述第二芯片的背面上的连接焊盘焊接在一起，且当所述第二芯片为多个时，位于上层的所述第二芯片上的第二焊接凸起与位于下层的所述第二芯片背面的连接焊盘焊接在一起，此时所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面，对所述第一焊接凸起上的焊料层以及所述第一焊接凸起上的焊料层的挤压变形停止。
7.如权利要求3或5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板的上表面还具有支撑手指，所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面的支撑手指的表面。
8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在所述伪基底中间区域的下表面粘贴粘附层，所述伪基底的水平部分中间区域的下表面通过所述粘附层粘附在所述第一芯片的背面上。
9.一种封装结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述基板的上表面具有若干第一焊接手指，所述基板的下表面具有若干第二焊接手指，所述基板中具有连接线路，所述基板上表面的部分第一焊接手指通过所述连接线路与所述基板下表面的...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板的上表面具有若干第一焊接手指，所述基板的下表面具有若干第二焊接手指，所述基板中具有连接线路，所述基板上表面的部分第一焊接手指通过所述连接线路与所述基板下表面的第二焊接手指电连接；还包括：形成包覆所述第一芯片和基板上表面的塑封层，所述塑封层暴露出所述伪基底的上表面；
3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第一焊接凸起为凸起于所述第一芯片的功能面上的焊料层或者所述第一焊接凸起包括凸起于所述第一芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层；所述第一非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热，所述第一非导电膜呈熔融状态，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指接触；继续施加压力并提高加热的温度，所述第一非导电膜熔融挤压流出，同时所述第一焊接凸起上的焊料层被挤压变形，当达到所述焊料层的熔化温度后，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指焊接在一起，此时所述伪基底的垂直部分的底部抵接在所述基板的上表面，对所述第一焊接凸起上的焊料层的挤压变形停止。
5.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板的上表面上贴装有第二芯片，所述第二芯片包括相对的功能面和背面，所述第二芯片的功能面上具有凸起的若干第二焊接凸起以及覆盖所述若干第二焊接凸起的第二非导电膜，所述第二芯片的背面具有连接焊盘；所述第一芯片上的第一焊接凸起焊接至所述基板包括：将所述第一芯片上的第一焊接凸起与所述基板上表面贴装的第二芯片背面的连接焊盘焊接在一起；且在所述进行焊接的过程中，所述第二非导电膜处于熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板的上表面相应的第一焊接手指焊接在一起；所述伪基底的垂直部分环绕在所述第二芯片和第一芯片的周围，并抵接在所述基板的上表面；所述第二焊接凸起为凸起于所述第二芯片的功能面上的焊料层或者所述第二焊接凸起包括凸起于所述第二芯片的功能面上的金属柱以及位于所述金属柱顶部表面上的焊料层，所述第一非导电膜和第二非导电膜的材料为热固化的树脂材料。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二芯片的数量为一个或多个，且所述第二芯片的数量为多个时，多个所述第二芯片沿竖直方向依次堆叠；所述进行焊接过程的过程包括：通过焊接吸嘴向所述第一芯片的背面施加压力，同时进行加热，所述第二非导电膜和第一非导电膜呈熔融状态，所述第二芯片的功能面上的第二焊接凸起与所述基板上表面相应的第一焊接手指接触，所述第一芯片的功能面上的第一焊接凸起与所述第二芯片的背面上的连接焊盘接触，且当所述第二芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德权，吴明敏，吉红斌，李昊一，
申请(专利权)人：通富通科南通微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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