【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信、传感及微波，尤其是涉及一种高频器件封装组件和高频器件。
技术介绍
1、随着通信技术的发展，特别是光通信技术的发展，对器件的高频特性有了越来越高的要求，器件的带宽已经从ghz量级进入到10ghz量级，在一些特殊的引用场景下甚至已经超过100ghz。针对于高频器件的发展需要，关于高频芯片的研究十分广泛，但是单独的高频芯片无法使用，需配合各项封装结构后才可以在实际的通信系统中装配使用。高频器件在工作时，需要由高频连接器终端输入微波信号接入芯片，或者由芯片产生微波信号输出到高频连接器终端。实现高频连接器终端和芯片之间的高性能高频连接是实现高频芯片封装为高频器件并系统应用的关键步骤。
2、相关技术的高频器件封装结构中，一般采用金丝或金带连接高频连接器终端和芯片，可以基本满足ghz量级到10ghz量级的高频连接需要。但是在高于50ghz甚至100ghz量级的使用场景下，金丝或金带在封装中引入的寄生电容和寄生电感将更加不能忽略，限制了高频器件的带宽。并且，键合过程中难以控制金丝或金带的长度和姿态，增加了寄生参数的随机性，进一步降低了器件封装的工艺可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种高频器件封装组件，降低了金丝键合或金带键合引入的寄生电感和寄生电容的影响，提升封装后高频器件的带宽性能，并增强了器件封装的工艺可靠性。
2、本专利技术实施例还提出了一种具有上述封装组件的高频器
3、本专利技术实施例的高频器件封装组件，包括：高频连接器终端，所述高频连接器终端用于高频微波信号的输入和输出；传输线，所述传输线用于高频微波信号的过渡传输，所述传输线的第一侧面上设有信号传输电极；高频芯片，所述高频芯片用于高频微波信号的接收和发射，所述高频芯片的第一侧面上设有高频电极，所述传输线的第一侧面的一部分朝向所述高频连接器终端并通过倒装焊的方式使所述信号传输电极与所述高频连接器终端电连，所述传输线的第一侧面的另一部分朝向所述高频芯片的第一侧面并通过倒装焊的方式使所述信号传输电极与所述高频电极电连。
4、本专利技术实施例的高频器件封装组件使用传输线配合倒装焊的连接方式在高频连接器终端与高频芯片之间建立信号连接，取代了相关技术中常见的金丝键合或金带键合，降低了封装过程引入的封装寄生参数对高频器件高频性能的影响，提高了对封装寄生参数的可控性，提升了封装后高频器件的带宽性能和工艺可靠性。
5、在一些实施例中，所述高频连接器终端包括外导体和内导体，所述外导体设有通孔，所述内导体穿设于所述通孔中，所述内导体的轴向与所述通孔的轴向重合，所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述传输线通过倒装焊的方式与所述外导体和所述内导体中的每一者电连。
6、在一些实施例中，所述外导体上加工出台阶面以使所述内导体的一部分暴露，所述台阶面朝上，所述内导体的顶部与所述台阶面平齐。
7、在一些实施例中，所述台阶面与所述高频芯片的第一侧面平齐。
8、在一些实施例中，所述传输线的第一侧面朝下，所述高频芯片的第一侧面朝上。
9、在一些实施例中，所述传输线包括第一焊接部和第二焊接部，所述第一焊接部位于所述台阶面的上方并与所述外导体和所述内导体中的每一者焊接，所述第二焊接部位于所述高频芯片的上方并与所述高频芯片的高频电极焊接。
10、在一些实施例中，所述高频芯片与所述射频器终端间隔设置。
11、在一些实施例中，所述高频芯片与所述射频器终端接触。
12、在一些实施例中，所述传输线为微带线、带状线或共面传输线。
13、本专利技术实施例的高频器件，包括根据上述任一项实施例所述的高频器件封装组件。
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1.一种高频器件封装组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述高频连接器终端包括外导体和内导体，所述外导体设有通孔，所述内导体穿设于所述通孔中，所述内导体的轴向与所述通孔的轴向重合，所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述传输线通过倒装焊的方式与所述外导体和所述内导体中的每一者电连。
3.根据权利要求2所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述外导体上加工出台阶面以使所述内导体的一部分暴露，所述台阶面朝上，所述内导体的顶部与所述台阶面平齐。
4.根据权利要求3所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述台阶面与所述高频芯片的第一侧面平齐。
5.根据权利要求1所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述传输线的第一侧面朝下，所述高频芯片的第一侧面朝上。
6.根据权利要求1-5所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述传输线包括第一焊接部和第二焊接部，所述第一焊接部位于所述台阶面的上方并与所述外导体和所述内导体中的每一者焊接，所述第二焊接部位于所述高频芯片的上方并与所述高频芯片的高频电极焊接。>
7.根据权利要求1-5中任一项所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述高频芯片与所述射频器终端间隔设置。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述高频芯片与所述射频器终端接触。
9.根据权利要求1所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述传输线为微带线、带状线或共面传输线。
10.一种高频器件，其特征在于，包括根据权利要求1-9中任一项所述的高频器件封装组件。
...【技术特征摘要】
1.一种高频器件封装组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述高频连接器终端包括外导体和内导体，所述外导体设有通孔，所述内导体穿设于所述通孔中，所述内导体的轴向与所述通孔的轴向重合，所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述传输线通过倒装焊的方式与所述外导体和所述内导体中的每一者电连。
3.根据权利要求2所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述外导体上加工出台阶面以使所述内导体的一部分暴露，所述台阶面朝上，所述内导体的顶部与所述台阶面平齐。
4.根据权利要求3所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述台阶面与所述高频芯片的第一侧面平齐。
5.根据权利要求1所述的高频器件封装组件，其特征在于，所述传输线的第一侧面朝下，所述高频...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹克奇，刘宇，张心研，陈佳，林玮，王健，文花顺，孙雨舟，李明，祝宁华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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