【技术实现步骤摘要】
本技术涉及micro led显示,具体涉及一种多层膜结构的micro led显示芯片及其制备方法。
技术介绍
1、micro led作为新一代显示技术,具有高分辨率、高对比度、高亮度等特性,可广泛应用于ar、vr等可穿戴设备。相比于lcd和oled,在能耗、使用寿命、响应速度、热稳定性等方面具有较大优势,将在未来显示技术中发挥不可替代的作用。像素尺寸为微米级的micro-led阵列不仅能作为高密度光源,还可集成探测器,实时感知和采集空间三维环境和人体运动信息来实现高交互性。具有高速响应速度的micro-led将为高速、长距离的可见光通信打下坚实基础。
2、现有技术中,一种高压led芯片的制作方法(cn114400276a)中,蓝宝石衬底pss为上下两层结构,上层为氧化硅sio2,下层为蓝宝石al2o3。在蓝宝石al2o3图形化前,在蓝宝石al2o3上沉积一层氧化硅sio2,然后通过干法刻蚀做出蓝宝石衬底pss,使用该衬底作业高压led芯片,在电感耦合等离子体icp刻蚀桥接隔离槽后,对蓝宝石衬底pss进行腐蚀,将蓝宝石al2o3上方的氧化硅sio2去除。
3、现有技术中,一种micro-led芯片结构及其制备方法(cn116632034a),属于led半导体的
该micro-led芯片结构包括若干阵列分布的micro-led芯片,其特征在于,所述micro-led芯片包括衬底、micro-led主体和有源寻址驱动电路,所述micro-led主体包括自下而上依次沉积在所述衬底上的si掺杂n型gan层、
4、现有技术中,一种纵列全彩显示micro-led芯片及其制作方法(cn116564947a),该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层;红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本技术通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装,在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层,滤光层可以反射蓝绿光,红光可以透射过去,使得三种外延结构可以独立发光,形成了纵向排列的全彩显示micro-led。
5、现有技术中,一种micro led芯片及其制备方法(cn116544263a)。包括以下步骤:提供衬底,在衬底上生长氮化镓层,在氮化镓层上刻蚀周期性制备多个led阵列;提供填充层,填充层与led阵列的表面齐平;提供驱动芯片,填充层与驱动芯片键合;去除衬底和多余的氮化镓层,形成包括驱动芯片和led阵列的晶圆结构;在晶圆结构上形成光导层;在光导层上刻蚀形成多个反射部,以整合led阵列的显示位置。通过上述步骤,该技术是在光导层上刻蚀形成多个反射部,通过反射部的反射作用改变led阵列的发光方向,从而达到整个芯片上不同led阵列的显示位置均能够按照像素排列的需求排布的目的。
6、现有技术中,一种micro-led芯片及其制作方法(cn116137306a),包括p电极、n电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、gaas衬底;所述p电极在所述第一半导体层上并穿过所述钝化层;所述第一半导体层由gap窗口层和p-algainp限制层组成;所述第二半导体层由n-algainp限制层、gaas接触层、n-algainp电流扩展层和gaas牺牲层组成;所述n电极在所述gaas接触层上并穿过所述钝化层;所述gaas牺牲层被去除后,所述第二半导体层与所述gaas衬底之间呈镂空状态,外延层和gaas衬底分离后,外延层在靠近p电极一侧通过钝化层与gaas衬底连接;所述钝化层覆盖除所述p电极和n电极外的芯片表面,并覆盖靠近p电极一侧的芯片侧壁并与gaas衬底连接,靠近n电极一侧的侧壁露出,钝化层仅覆盖至gaas接触层;所述钝化层由聚酰亚胺组成。
7、与大尺寸led芯片相比,micro led芯片由于芯片尺寸和间距的限制,使其难以在高电压下工作。此外,micro-led芯片和驱动基板通过倒装键合工艺完成电性连接和物理连接。传统倒装键合技术中,需要去除衬底,使得micro led无法刻蚀隔离槽结构。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提供了一种具有多层膜结构的micro led显示芯片。
2、本技术提供了一种micro led芯片串联的结构,能够承受更高的工作电压。
3、本技术提供了一种具有支撑层结构的micro led芯片,包括第一芯片和第二芯片;
4、第一芯片和第二芯片均包括自下而上堆叠的透明导电层、p型氮化镓层、多量子阱和n型氮化镓层;
5、第一芯片和第二芯片均设置在从下而上堆叠的氧化物支撑层、第二增透膜和第一增透膜上;
6、第一芯片和第二芯片中,均在透明导电层上沉积有p电极,均在n型氮化镓层上沉积有n电极;
7、第一芯片和第二芯片上,除沉积p电极和n电极的位置外,均沉积有钝化层;
8、第一芯片的n电极与第二芯片的p电极相连。
9、进一步的,所述第一增透膜为氮化铝。
10、进一步的,所述第二增透膜为氧化铝。
11、进一步的,所述氧化物支撑层为二氧化硅。
12、进一步的,所述钝化层为二氧化硅。
13、进一步的,氧化物支撑层包括第一氧化物支撑层和第二氧化物支撑层;作为所述第一芯片和所述第二芯片的支撑结构。
14、进一步的,制作芯片的衬底包括第一衬底和第二衬底;所述第一衬底上依次生长氮化镓层和第一氧化物支撑层;
15、第二衬底上依次生长n型氮化镓层、多量子阱、p型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和第二氧化物支撑层。
16、本技术的多层膜结构的micro led显示芯片,可以通过如下步骤制备:
17、s1、提供第一衬底,所述第一衬底上依次生长氮化镓层和第一氧化物支撑层;
18、s2、提供第二衬底,所述第二衬底上依次生长n型氮化镓层、多量子阱、p型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和第二氧化物支撑层;
19、s3、所述第一衬底和所述第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,包括第一芯片和第二芯片;
2.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,所述第一增透膜(501)为氮化铝。
3.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,所述第二增透膜(601)为氧化铝。
4.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,所述氧化物支撑层为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,所述钝化层(703)为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,氧化物支撑层包括第一氧化物支撑层(701)和第二氧化物支撑层(702);作为所述第一芯片和所述第二芯片的支撑结构。
7.根据权利要求6所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,
8.根据权利要求7所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于,
9.根据权利要求7所述的
10.根据权利要求7所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片,其特征在于:氮化镓层(201)为未掺杂的氮化镓薄层,厚度为10nm。
...【技术特征摘要】
1.一种多层膜结构的micro led显示芯片,其特征在于,包括第一芯片和第二芯片;
2.根据权利要求1所述的多层膜结构的micro led显示芯片,其特征在于,所述第一增透膜(501)为氮化铝。
3.根据权利要求1所述的多层膜结构的micro led显示芯片,其特征在于,所述第二增透膜(601)为氧化铝。
4.根据权利要求1所述的多层膜结构的micro led显示芯片,其特征在于,所述氧化物支撑层为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的多层膜结构的micro led显示芯片,其特征在于,所述钝化层(703)为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的多层...
【专利技术属性】
技术研发人员:王洪,张威,谢军,
申请(专利权)人:中山市华南理工大学现代产业技术研究院,
类型:新型
国别省市:
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