【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种温度控制系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展以及集成电路制造尺寸的逐渐缩小，工艺制程对蚀刻工艺设备各参数的要求也越来越高。
2、在蚀刻设备的工艺过程中，反应腔上电极的温度稳定性直接决定着晶圆产品的工艺良率以及各晶圆之间工艺的可重复性。因此，如何保持反应腔上电极的温度稳定性成为决定晶圆工艺好坏的关键参数。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种温度控制系统，对蚀刻设备上电极的温度进行控制，提高上电极的温度稳定性。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供了一种温度控制系统，用于对蚀刻设备的上电极的温度进行控制，包括：加热装置，用于对输入的气体进行加热，并向所述上电极输送加热后的气体；温度监测器，用于监测所述上电极的温度；温控器，与所述温度监测器连接，用于根据所述上电极的温度对所述加热装置的加热功率进行控制。
3、在本申请的一些实施例中，所述温度控制系统还包括：第一保温罩，设于所述上电极上，且所述第一保温罩的顶面开设有进气口和第一出气口。
4、在本申请的一些实施例中，所述第一保温罩呈环状结构，所述第一保温罩的内环壁设置多个第一挡板，外环壁设置多个第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相互交错设置，且多个所述第一挡板和多个所述第二挡板形成连通的气体流道。
5、在本申请的一些实施例中，所述第一保温罩包括：两个呈半环状结构且连接但不连通的子保温罩；两个所述子保温罩的顶面均开设
6、在本申请的一些实施例中，所述进气口和所述第一出气口均为至少两个；所述温度监测器的温度监测点为至少四个。
7、在本申请的一些实施例中，所述第一挡板和所述第二挡板的长度均小于所述第一保温罩的环宽。
8、在本申请的一些实施例中，所述第一保温罩的顶面还设有安装孔；所述温度监测器的一端设于所述上电极中，另一端设于所述安装孔中。
9、在本申请的一些实施例中，所述温度控制系统还包括：第二保温罩，设于所述第一保温罩的顶面，且所述第二保温罩还设有第二出气口。
10、在本申请的一些实施例中，所述温度控制系统还包括：气体输送管道，设于所述第二保温罩中，且一端与所述加热装置的出口端连通，另一端与所述进气口连通。
11、在本申请的一些实施例中，所述加热装置包括：电连接的加热元件和功率调整器。
12、在本申请的一些实施例中，所述温度控制系统还包括：气体供应装置，用于向所述加热装置输送气体。
13、本申请技术方案的温度控制系统通过温度监测器对上电极的温度进行实时监测，并通过温控器基于监测获得的上电极的温度对加热装置的加热功率进行控制，进而可以实现对所述上电极的温度进行控制，以使上电极的温度保持在设定温度或者在设定温度上下小幅度波动。
14、进一步地，通过在上电极上设置带有气体流道的第一保温罩，不仅能够有效的延长高温气体在第一保温罩内的实际停留时间，提高上电极的升温效果，而且能较好地防止上电极的热量流失，起到保温效果。
15、进一步地，在第一保温罩上设置第二保温罩，可将第一保温罩与外界环境隔离，间接起到对上电极进行保温的作用。
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1.一种温度控制系统，用于对蚀刻设备的上电极的温度进行控制，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，还包括：第一保温罩，设于所述上电极上，且所述第一保温罩的顶面开设有进气口和第一出气口。
3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩呈环状结构，所述第一保温罩的内环壁设置多个第一挡板，外环壁设置多个第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相互交错设置，且多个所述第一挡板和多个所述第二挡板形成连通的气体流道。
4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩包括：
5.根据权利要求3或4所述的温度控制系统，其特征在于，所述进气口和所述第一出气口均为至少两个；所述温度监测器的温度监测点为至少四个。
6.根据权利要求3或4所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一挡板和所述第二挡板的长度均小于所述第一保温罩的环宽。
7.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩的顶面还设有安装孔；所述温度监测器的一端设于所述上电极中，另一端设于所述安装孔中
8.根据权利要求3或4所述的温度控制系统，其特征在于，还包括：第二保温罩，设于所述第一保温罩的顶面，且所述第二保温罩还设有第二出气口。
9.根据权利要求8所述的温度控制系统，其特征在于，所述温度控制系统还包括：气体输送管道，设于所述第二保温罩中，且一端与所述加热装置的出口端连通，另一端与所述进气口连通。
10.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述加热装置包括：电连接的加热元件和功率调整器。
11.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，还包括：气体供应装置，用于向所述加热装置输送气体。
...【技术特征摘要】
1.一种温度控制系统，用于对蚀刻设备的上电极的温度进行控制，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，还包括：第一保温罩，设于所述上电极上，且所述第一保温罩的顶面开设有进气口和第一出气口。
3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩呈环状结构，所述第一保温罩的内环壁设置多个第一挡板，外环壁设置多个第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相互交错设置，且多个所述第一挡板和多个所述第二挡板形成连通的气体流道。
4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一保温罩包括：
5.根据权利要求3或4所述的温度控制系统，其特征在于，所述进气口和所述第一出气口均为至少两个；所述温度监测器的温度监测点为至少四个。
6.根据权利要求3或4所述的温度控制系统，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：卫德强，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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