【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及弹性波器件，特别涉及一种弹性波器件及其制备方法，和包含弹性波器件的弹性波装置。
技术介绍
1、弹性波器件是通带频率范围介于数十mhz～数ghz的高频滤波器。所述弹性波装置包含压电基板、设置于所述压电基板上表面的梳齿状的电极指的叉指换能器(interdigital transducer，idt)电极，也就是idt金属层。借由从电源侧的引线端子通过布线图案对idt金属层施加高频电场而激发弹性波，并通过压电效应将弹性波转换成高频电场，从而获得滤波器的特性。
2、其中，idt金属层的形貌对于得到具有稳定优良特性的滤波器而言是至关重要的。目前，idt金属层的图形形成工艺主要采用lift-off工艺(剥离工艺)，由于idt金属层是采用蒸镀的方式形成，因此不可避免会存在拖尾的情况(英文通常称之为“footing”，是指在光刻工艺中由于显影不充分等原因导致光刻胶图形底部宽大的现象)，该拖尾的存在会导致滤波器无法得到优秀的k值和q值。k值是指半导体材料的电导率与温度的关系,通常用来描述半导体材料的电学性质。q值是衡量电感器件的主要参数，是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。
3、因此，如何避免idt金属层出现拖尾，已然成为本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。
4、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术
1、本专利技术提供一种弹性波器件的制备方法，其包括下列步骤：在衬底上的部分区域形成光阻结构；在衬底和光阻结构上沉积形成idt金属层，idt金属层具有延伸脚；在idt金属层的表面设置自对准层，自对准层未完全覆盖延伸脚；去除未被自对准层覆盖的延伸脚和光阻结构；在idt金属层和衬底上形成调频介电层。
2、本专利技术还提供一种弹性波器件，其包括衬底、idt金属层、自对准层和调频介电层。
3、衬底具有相对的上表面和下表面。idt金属层位于衬底的上表面上。自对准层覆盖idt金属层的上表面和部分侧表面。调频介电层覆盖衬底、idt金属层和自对准层。
4、本专利技术还提供一种弹性波装置，其包括弹性波器件和电路基板。弹性波器件设置在电路基板上，弹性波器件可以采用前述中的弹性波器件。
5、本专利技术一实施例提供的一种弹性波装置、弹性波器件及其制备方法，通过加入自对准层的设置，可以有效去除idt金属层大部分的延伸脚(footing)，避免出现拖尾现象，使得制备的弹性波器件具有优良的产品特性。
6、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
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1.一种弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述弹性波器件的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料与所述IDT金属层的材料不同。
3.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层为氧化层。
4.根据权利要求1或3所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于氧化硅、氮化硅和聚乙烯构成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层为金属层，所述自对准层的金属的原子量大于所述IDT金属层的金属的原子量。
6.根据权利要求1或5所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于Au、Cu、Cr和Ni构成的群组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述调频介电层的材料包括SiO2。
8.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：在形成所述光阻结构的步骤之前还包括下列步骤：在所述衬底上设置抗反射
9.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述去除延伸脚的工艺为干法刻蚀工艺。
10.一种弹性波器件，其特征在于：所述弹性波器件包括：
11.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述IDT金属层具有上宽度和下宽度，所述上宽度和所述下宽度的比值范围为0.75:1～1:1。
12.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述IDT金属层的侧壁沿所述衬底的下表面到上表面的方向依次包括第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，所述第一侧壁凸出于所述第三侧壁，所述自对准层至少覆盖所述第三侧壁。
13.根据权利要求12所述的弹性波器件，其特征在于：所述第一侧壁和所述第二侧壁的长度之和与所述第三侧壁的长度的比值范围为1:1～1.3:1。
14.根据权利要求12所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层覆盖所述第二侧壁。
15.根据权利要求12所述的弹性波器件，其特征在于：所述第一侧壁与水平面的夹角和所述第三侧壁与水平面的夹角大于所述第二侧壁与水平面的夹角。
16.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层的材料与所述IDT金属层的材料不同。
17.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层为氧化层。
18.根据权利要求10或17所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于氧化硅、氮化硅和聚乙烯构成的群组中的至少一种。
19.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层为金属层，所述自对准层的金属的原子量大于所述IDT金属层的金属的原子量。
20.根据权利要求10或18所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于Au、Cu、Cr和Ni构成的群组中的至少一种。
21.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述自对准层的厚度范围为5～100nm。
22.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述弹性波器件还包括抗反射层，所述抗反射层位于所述IDT金属层和所述衬底之间。
23.一种弹性波装置，其特征在于，所述弹性波装置包括弹性波器件和电路基板，所述弹性波器件设置在所述电路基板上，所述弹性波器件采用如权利要求10～22中任一项所述的弹性波器件。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述弹性波器件的制备方法包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料与所述idt金属层的材料不同。
3.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层为氧化层。
4.根据权利要求1或3所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于氧化硅、氮化硅和聚乙烯构成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层为金属层，所述自对准层的金属的原子量大于所述idt金属层的金属的原子量。
6.根据权利要求1或5所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述自对准层的材料包括选自于au、cu、cr和ni构成的群组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述调频介电层的材料包括sio2。
8.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：在形成所述光阻结构的步骤之前还包括下列步骤：在所述衬底上设置抗反射层，所述抗反射层的材料包括金属材料。
9.根据权利要求1所述的弹性波器件的制备方法，其特征在于：所述去除延伸脚的工艺为干法刻蚀工艺。
10.一种弹性波器件，其特征在于：所述弹性波器件包括：
11.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述idt金属层具有上宽度和下宽度，所述上宽度和所述下宽度的比值范围为0.75:1～1:1。
12.根据权利要求10所述的弹性波器件，其特征在于：所述idt金属层的侧壁沿所述衬底的下表面到上表面的方向依次包括第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，所述第一侧壁凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹福松，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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