【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微波射频领域，尤其是涉及一种高谐波抑制放大器。
技术介绍
1、随着无线通信的快速发展和普及，射频领域对收发组件的要求也越来越高。在电子对抗中，为了增加设备的灵敏度，防止各个部件之间的相互影响，对系统的谐波提出更高的要求。当射频信号经过放大，输出的信号中包含许多谐波分量，尤其是饱和输出功率时，谐波分量会更大。这些谐波中的二次谐波，许多频率是属于带内的，使用滤波器是无法将谐波滤掉的。因此，如何抑制放大器的二次谐波十分重要。
技术实现思路
1、为了解决如何抑制放大器的二次谐波的问题，本技术提供了一种高谐波抑制放大器。
2、第一方面，本技术提供一种高谐波抑制放大器，采用如下的技术方案：
3、包括第一巴伦、第一放大器、第二放大器、以及第二巴伦；
4、所述第一巴伦的输入端为所述高谐波抑制放大器的输入端；
5、所述第一巴伦的输出端分别与所述第一放大器和所述第二放大器的输入端连接，用于将输入的射频信号转换为幅值相同且相位相差180度的第一信号和第二信号；
6、所述第一放大器的输出端与所述第二巴伦的输入端连接，用于对所述第一信号进行放大，获得放大后的第一信号；
7、所述第二放大器的输出端与所述第二巴伦的输入端连接，用于对所述第二信号进行放大，获得放大后的第二信号；
8、所述第二巴伦的输入端分别与所述第一放大器和所述第二放大器的输出端连接，用于将所述放大后的第一信号和所述放大后的第二信号合并为一路信号；>
9、所述第二巴伦的输出端为所述高谐波抑制放大器的输出端。
10、通过采用上述技术方案，采用新的电路结构，将巴伦和放大器一起使用，第一巴伦将输入的射频信号转换为幅值相同且相位相差180°的两路信号，通过两个放大器分别对这两路信号进行放大，放大后的两路信号相位差为180°，再经过第二巴伦合成为一路信号，使二次谐波分量被相互抵消一部分，从而使二次谐波分量变小，即使输入功率较大，放大器在饱和输出时，仍然可以使二次谐波分量保持较低的水平。
11、可选的，所述第一放大器和所述第二放大器为电路结构相同的两级放大器。
12、可选的，所述两级放大器包括输入匹配网络、电流复用网络、第一级有源偏置网络、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第二级匹配网络、输出匹配网络；
13、所述第一巴伦的输出端与所述输入匹配网络的输入端连接，所述输入匹配网络的输出端分别与所述第一负反馈网络的第一输入端和所述第二级匹配网络的输入端连接；
14、所述第一级有源偏置网络的输出端与所述第一负反馈网络的第二输入端连接，所述第一负反馈网络的输出端与所述电流复用网络的输入端连接，所述电流复用网络的输出端与所述第二负反馈网络的第一输入端连接；
15、所述第二级匹配网络的第一输出端与所述第二负反馈网络的第二输入端连接；所述第二级匹配网络的第二输出端与所述第二负反馈网络的第三输入端连接；
16、所述第二负反馈网络的输出端与所述输出匹配网络的输入端连接； 所述输出匹配网络的输出端与所述第二巴伦的输入端连接。
17、可选的，所述输入匹配网络包括电感l1、电容c1、电感l2；
18、所述电感l1的一端为所述输入匹配网络的输入端，所述电感l1的另一端与所述电容c1的一端连接；
19、所述电容c1的另一端与所述电感l2的一端连接，所述电感l2的另一端为所述输入匹配网络的输出端。
20、通过采用上述技术方案，两级放大器采用输入匹配网络，可以对输入信号进行阻抗匹配，可以实现信号的良好传输，提高电路或系统的性能。
21、可选的，所述第一级有源偏置网络包括电阻r3和晶体管fet3；
22、所述电阻r3的一端接地，所述电阻r3的另一端与晶体管fet3的源级连接，所述晶体管fet3的栅极与漏极短路连接，所述晶体管fet3的漏极为所述第一级有源偏置网络的输出端。
23、通过采用上述技术方案，两级放大器采用有源偏置网络，可以降低电路对工艺波动的敏感度，增加电路的稳定性，同时提高电路的线性度。
24、可选的，所述第一负反馈网络包括电阻r1、电感l7、电容c2、电感l6；
25、所述电阻r1的一端为所述第一负反馈网络的第一输入端；所述电阻r1的另一端为所述第一负反馈网络的第二输入端；
26、所述电阻r1的另一端还与所述电感l7的一端连接，所述电感l7的另一端与所述电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端与所述电感l6的一端连接，所述电感l6的另一端为所述第一负反馈网络的输出端。
27、通过采用上述技术方案，两级放大器采用负反馈结构，将一部分输出信号与输入信号进行相位逆转并回馈到系统中，以减小系统的非线性失真、提高频率响应和稳定性，可以改善放大器的增益，增加增益的平坦度，增加带宽。
28、可选的，所述第二级匹配网络包括电感l9、电感l10、电感l11、电容c3；
29、所述电感l9的一端为所述第二级匹配网络的输入端，所述电感l9的另一端与所述电容c3的一端连接；
30、所述电容c3的另一端与电感l10的一端连接，所述电感l10的另一端为所述第二级匹配网络的第一输出端；
31、所述电感l10的另一端还与电感l11的一端连接，所述电感l11的另一端为所述第二级匹配网络的第二输出端。
32、可选的，所述电流复用网络包括电感l8、电阻r5、电容c4、电容c5、电感l12、电感l13；
33、所述电感l8的一端为所述电流复用网络的输入端，所述电感l8的另一端与所述电阻r5的一端连接，所述电阻r5的另一端与所述电容c4的一端连接，所述电容c4的另一端接地；
34、所述电感l8的另一端还与所述电感l12的一端连接，所述电感l12的另一端与所述电容c5的一端连接，所述电容c5的另一端接地；
35、所述电感l12的另一端还与所述电感l13的一端连接，所述电感l13的另一端为所述电流复用网络的输出端。
36、通过采用上述技术方案，两级放大器采用电流复用网络，可以降低放大器的功耗和工艺波动，提高放大器的性能。
37、可选的，所述第二负反馈网络包括晶体管fet2、电容c6、电感l14、电感l15、电感l16、电感l17、电阻r8；
38、所述晶体管fet2的源极所述第二负反馈网络的第一输入端，所述晶体管fet2的栅极为所述第二负反馈网络的第三输入端，所述晶体管fet2的漏极与所述电感l16的一端连接，所述电感l16的另一端为所述第二负反馈网络的输出端；
39、所述电感l14的一端为所述第二负反馈网络的第二输入端，所述电感l14的另一端与所述电阻r8的一端连接；
40、所述电阻r8的另一端与所述电感l15的一端连接，所述电感l15的另一端与所述电容c6的一端连接；...
【技术保护点】
1.一种高谐波抑制放大器，其特征在于，包括第一巴伦、第一放大器、第二放大器、以及第二巴伦；
2.根据权利要求1所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器为电路结构相同的两级放大器。
3.根据权利要求2所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述两级放大器包括输入匹配网络、电流复用网络、第一级有源偏置网络、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第二级匹配网络、输出匹配网络；
4.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括电感L1、电容C1、电感L2；
5.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第一级有源偏置网络包括电阻R3和晶体管FET3；
6.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第一负反馈网络包括电阻R1、电感L7、电容C2、电感L6；
7.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第二级匹配网络包括电感L9、电感L10、电感L11、电容C3；
8.根据权利要求4所述的一种高谐波抑制放大
9.根据权利要求4所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第二负反馈网络包括晶体管FET2、电容C6、电感L14、电感L15、电感L16、电感L17、电阻R8；
10.根据权利要求4所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括电容C8和电感L18；
...【技术特征摘要】
1.一种高谐波抑制放大器，其特征在于，包括第一巴伦、第一放大器、第二放大器、以及第二巴伦；
2.根据权利要求1所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器为电路结构相同的两级放大器。
3.根据权利要求2所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述两级放大器包括输入匹配网络、电流复用网络、第一级有源偏置网络、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第二级匹配网络、输出匹配网络；
4.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括电感l1、电容c1、电感l2；
5.根据权利要求3所述的一种高谐波抑制放大器，其特征在于，所述第一级有源偏置网络包括电阻r3和晶体管fet3；
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：周阳，周鹏，王文，陈美玲，樊敏博，
申请(专利权)人：中科海高成都电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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