【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，低温多晶硅(low temperature poly-silicon)技术凭借其高效能和高清晰等特点受到越来越广泛的应用。
2、采用低温多晶硅技术可以制成像素电路中的开关晶体管和驱动晶体管，由于开关晶体管和驱动晶体管在电路中的功能和作用不同，因此需要实现开关晶体管与驱动晶体管之间的特性差异化。
技术实现思路
1、本申请提供一种显示面板的制备方法及显示面板。
2、本申请实施例的第一方面提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
3、制备衬底；
4、在所述衬底的一侧形成像素电路层，所述像素电路层包括驱动晶体管和开关晶体管，采用高温退火工艺对所述驱动晶体管和所述开关晶体管进行处理，所述驱动晶体管的退火温度高于所述开关晶体管的退火温度；
5、在所述像素电路层背离所述衬底的一侧形成发光结构层。
6、在一个实施例中，采用高温退火工艺对所述驱动晶体管和所述开关晶体管进行处理的步骤包括：
7、在所述像素电路层上方设置遮光掩膜版，所述遮光掩膜版设有开口区，所述开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管；
8、利用激光照射所述遮光掩膜版，对驱动晶体管进行激光退火处理。
9、在一个实施例中，采用所述高温退火工艺对驱动晶体管进行处理前，在所述像素电路层背离所述衬底的一侧形成图案化的吸收层，所述吸收层
10、在一个实施例中，所述吸收层的材料为非晶硅或氮化硅。
11、在一个实施例中，所述高温退火工艺为激光退火或微波退火。
12、在一个实施例中，所述像素电路层还包括形成于所述驱动晶体管背离所述衬底一侧的图案化的电容绝缘层，所述电容绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管。
13、在一个实施例中，所述电容绝缘层的材料为氮化硅。
14、在一个实施例中，所述高温退火工艺为微波退火。
15、在一个实施例中，所述高温退火工艺对所述驱动晶体管的退火的温度范围为360℃～500℃。
16、本申请实施例的第二方面提供了一种显示面板，所述显示面板采用上述的制备方法制成。
17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用高温退火工艺对所述驱动晶体管和所述开关晶体管进行处理的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用所述高温退火工艺对所述驱动晶体管进行处理前，在所述像素电路层背离所述衬底的一侧形成图案化的吸收层，所述吸收层在所述衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述吸收层的材料为非晶硅或氮化硅。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述高温退火工艺为激光退火或微波退火。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述像素电路层还包括形成于所述驱动晶体管背离所述衬底一侧的图案化的电容绝缘层，所述电容绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述电容绝缘层的材料为氮化硅。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述高温退火工艺对所述驱动晶体管的退火的温度范围为360℃～500℃。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用上述权利要求1至9中的任一项所述的制备方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用高温退火工艺对所述驱动晶体管和所述开关晶体管进行处理的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用所述高温退火工艺对所述驱动晶体管进行处理前，在所述像素电路层背离所述衬底的一侧形成图案化的吸收层，所述吸收层在所述衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述吸收层的材料为非晶硅或氮化硅。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述高温退火工艺为激光退火或微波退火。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：宋尊庆，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。