薄膜式转印材料制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜式转印材料，该薄膜式转印材料在应用于微影蚀刻制程时，在曝光前除去支撑体膜之后不存在沾染光阻剂层残留物的现象，所以能够提高清晰度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜式转印材料。
技术介绍
通常，薄膜状的感旋光性转印材料，代表性地使用干膜形态(以下称 为"干膜光阻剂")。干膜光阻剂通常用于印刷线路板、印刷电路基板、IC封装、金属脱模成像等，通常包括支撑体膜、光阻剂层、保护膜三层。干膜光阻剂依据反应原理不同又分为负型和正型，负型干膜光阻剂 是在曝光部分发生光交联反应，未曝光部分则被碱洗掉而留下光阻剂图案；正型干膜光阻剂是在曝光部位发生光分解性反应，由碱显影，留下 未曝光部位而形成光阻剂图案。关于正型干膜光阻剂，光阻剂层包括碱可溶性树脂以及由光发生反 应的感旋光性化合物，随着由光阻剂液形成为薄膜，具有一定的黏附性。干膜光阻剂中，从支撑体膜到光阻剂层的支撑体的作用，使得具有 黏附性的光阻剂层在曝光时操作变得容易。另一方面，保护膜则形成于 光阻剂层未形成有支撑体膜的表面，致能防止光阻剂层损伤的作用。列举使用这样的干膜光阻剂，作为一示例，列举使用正型干膜光阻 剂形成图案的方法的例子，要经过以下的制程在涂敷于印刷电路基板 上时，先剥离保护膜，层压到镀铜薄膜迭层板上后，盖上想要图案的屏 蔽照射紫外线以进行曝光，使用适宜的溶剂洗掉曝光部分而显影。通常， 在光阻剂层上附着有支撑体膜的条件下进行曝光，由此即使不考虑刻意 从光阻剂层剥离支撑体膜也可以。但是，在某些正型干膜光阻剂的情况，光阻剂层中有可能存在会形 成薄膜的残留溶剂，为了挥发该溶剂，有时也会剥离支撑体膜后进行曝 光。将这种干膜光阻剂利用于电路图案的形成时，有可能进行二次薄膜 的剥离，第一次是保护膜的剥离，第二次是支撑体膜的剥离。在如上述剥离薄膜之后就存在薄膜上留有残留物的问题。尤其是在 曝光前剥离支撑体膜后对其进行曝光的情况，残留物的问题有可能变得 更加严重。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式中，提供一种薄膜式转印材料，该薄膜式转印 材料在应用于微影蚀刻制程时，不会因薄膜的剥离而发生光阻剂残留物。本专利技术的另一实施方式中，提供一种薄膜式转印材料，该薄膜式转 印材料在应用于微影蚀刻制程时，在曝光前除去支撑体膜后不存在沾染 光阻剂层残留物的现象，所以能够提高清晰度。本专利技术的一实施方式中，提供一种薄膜式转印材料，包括支撑体膜、 光分解性光阻剂层、以及保护膜，以下定义的第一黏附力为0.1kg/100xl00mm2以下，第二黏附力为0.1kg/100xl00mm2以下，并且第二黏附力具有小于第一黏附力的值。第一黏附力在由铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)涂布成厚度 2000人且宽度100xl00mn^的玻璃基板上，以速度2.0m/min、温度110°C、 加热滚轮压力10-90psi的条件层压薄膜式转印材料后，从光阻剂层脱模 支撑体膜所需的力。第二黏附力将薄膜式转印材料裁断成宽度100xl00mi^后，从光阻 剂层仅脱模保护膜所需的力。此处，黏附力是使用万能材料试验机(UTM， Instron公司制造)来测定脱模时剥离强度的值。本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料中，第一黏附力可为 0.05-0.07kg/100xl00mm2，第二黏附力为0.05-0.07kg/100x 100mm2。本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料中，光分解性光阻剂层可包括 碱溶性树脂和偶氮系感旋光性化合物。此时，碱溶性树脂可为酚醛清漆树脂。依据适宜的实施方式，碱溶性树脂可为甲酚酚醛清漆树脂。此时，甲酚酚醛清漆树脂可以是重量平均分子量(由凝胶渗透层析法(gel permeation chromatography, GPC)测定)为2，000-30,000的树脂。再者，甲 酚酚醛清漆树脂可为间/对甲酚的含量以4:6-6:4的重量基准比例混合的 树脂。另外，甲酚酚醛清漆树脂也可为重量平均分子量(由GPC测定)为 8,000-30,000的甲酚酚醛清漆树脂与重量平均分子量(由GPC测定)为 2,000-8,000的甲酚酚醛清漆树脂以7:3-9:1的重量比混合的树脂。本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料中，偶氮系感旋光性化合物可 为从2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮-1，2-偶氮基萘醌-5-磺酸酯、2，3，4-三羟基二 苯甲酮-l，2-偶氮基萘醌-5-磺酸酯、(1--4-苯)-l，2-偶氮基萘醌-5-磺酸酯中所选出的一种以上。本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料中，光分解性光阻剂层可包括 从2，3，4-三羟基二苯甲酮、2，3,4，4'-四羟基二苯甲酮、l--4-苯中所选出的一种以上的增敏剂。本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料中，保护膜的厚度可为 15-30|im。本专利技术的另一实施方式中，提供利用本专利技术实施方式的薄膜式转印 材料来形成图案的显示组件基板。依据本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料，可得到在微影蚀刻制程 中能够提高制程稳定性和作业性，并且薄膜上不会残留有光阻剂层残留 物，从而提高了清晰度的光阻剂图案。具体实施例方式本专利技术一实施方式的薄膜式转印材料包含支撑体膜、光分解性光阻剂 层、以及保护膜，保护膜在制造过程以及滚轮加工制程中致能保护光阻剂层 的作用，在微影蚀刻制程中是将其剥离后在基板上层压光阻剂层。关于支撑体膜，是致能支撑光分解性光阻剂层膜的作用，通常在存在支 撑体膜的条件下进行曝光制程后进行显影、蚀刻等制程，然后在剥离时与光 阻剂层一起被剥离掉。但是，关于包括某些光分解性光阻剂层的薄膜式转印材料的情况，也有在由光阻剂液形成薄膜的过程中为要解决薄膜脆化的问题，使一部分溶剂残 留使其致能增塑剂功能的情况，并且由于其它理由有时也会在除去支撑体膜 后进行曝光。从这些角度来考虑，本专利技术的一实施方式中提供一种薄膜式转印材料， 其包括支撑体膜、光分解性光阻剂层、以及保护膜，以下定义的第一黏附力为0.1kg/100xl00mm2以下，第二黏附力为0.1kg/100xl00mm2以下，并且第 二黏附力具有小于第一黏附力的值。第一黏附力在由ITO涂布成厚度2000人且宽度100xl00mn^的玻璃基 板上，以速度2.0m/min、温度110°C、加热滚轮压力10-卯psi的条件层压薄 膜式转印材料后，从光阻剂层脱模支撑体膜所需的力。第二黏附力将薄膜式转印材料裁断成宽度100xl00mn^后，从光阻剂 层仅脱模保护膜所需的力。此时，黏附力是使用UTM(Instron公司制造)来测定脱模时剥离强度的值。此处，第一黏附力是光阻剂层-支撑体膜之间的黏附力，第二黏附力是保 护膜-光阻剂层之间的黏附力。如果第一黏附力大于0.1kg/100xl00mm2，则在微影蚀刻制程中层压薄膜 后，在曝光前剥离支撑体膜时，会有光阻剂层残留物残留到支撑体膜上的问题。另外，如果第二黏附力大于0.1kg/100xl00mm2，则在为了将薄膜式转印 材料应用于微影蚀刻制程而剥离保护膜时，有可能在保护膜上残留光阻剂层 残留物。另一方面，如果在剥离保护膜时发生支撑体膜的剥离是不允许的，所以 第一黏附力要具有大于第二黏附力的值。当考虑脱模性、光阻剂层之间的黏附力、以及除去其它薄膜时的稳定性 时，适当的是第一黏附力为0.05-0.07kg/100xl00mm2，第二黏附力为 0.05-0.07kg/画xl00mm2。只要满足如上所述范围的黏附力，则对其种类没有特别限制，本专利技术一 实施方式的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜式转印材料，其特征在于，包括支撑体膜、光分解性光阻剂层以及保护膜，　如以下所定义的第一黏附力为０．１ｋｇ／１００×１００ｍｍ↑［２］以下，第二黏附力为０．１ｋｇ／１００×１００ｍｍ↑［２］以下，并且第二黏附力具有小于第一黏附力 的值，第一黏附力：在由铟锡氧化物（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ，ＩＴＯ）涂布成厚度２０００＊且宽度１００×１００ｍｍ↑［２］的玻璃基板上，以速度２．０ｍ／ｍｉｎ、温度１１０℃、加热滚轮压力１０－９０ｐｓｉ的条件层压薄膜式转印材料后，从光分解性光阻剂层脱模支撑体膜所需的力，　第二黏附力：将薄膜式转印材料裁断成宽度１００×１００ｍｍ↑［２］后，从光分解性光阻剂层仅脱模保护膜所需的力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：文熙岏，李炳逸，
申请(专利权)人：可隆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]