【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体的器件设计及其制造，尤指一种半导体器件及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请提供了一种半导体器件，降低半导体层和源漏之间的接触电阻。
3、本公开实施例提供一种半导体器件，包括：设置在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管；
4、所述第一晶体管包括：第一电极、设置在所述第一电极背离所述衬底一侧的第二电极、设置在所述第二电极背离所述第一电极一侧的第一半导体层和设置在所述第一半导体层背离所述第二电极一侧的第一栅电极；所述第一半导体层连接所述第一电极和所述第二电极；
5、所述第二晶体管包括：设置在所述第一栅电极背离所述衬底一侧的第三电极、设置在所述第三电极背离所述第一栅电极一侧的第二半导体层和设置在所述第二半导体层背离所述第三电极一侧的第二栅电极；所述第二半导体层连接所述第三电极和所述第一栅电极；
6、其中，所述第一半导体层包括延伸方向与所述衬底交叉的第一半导体子层，
7、所述第二半导体层包括延伸方向与所述衬底交叉的第四半导体子层，以及，由所述第四半导体子层的一端向平行于衬底方向延伸的第五半导体子层，以及，由所述第四半导体子层的另一端向平行于衬底且背离所述第五半导体子层的方向延伸的第六半导体子层。
8、在一些实施例中，所述第一电极与所述第二半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
9、在一些实施例中，所述第二电极与所述第三半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第一半导体子层朝向所述第三半导体子层一侧连接。
10、在一些实施例中，所述第一栅电极与所述第五半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
11、在一些实施例中，所述第三电极与所述第六半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第四半导体子层朝向所述第六半导体子层一侧连接。
12、在一些实施例中，所述第一晶体管还包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层背离所述衬底一侧的表面，所述第一栅电极覆盖所述第一栅极绝缘层背离所述衬底一侧的表面。
13、在一些实施例中，所述第一栅电极包括平行于所述衬底的第一平行部和由所述第一平行部向所述衬底方向延伸的第一倾斜部。
14、在一些实施例中，所述第二栅电极包括平行于所述衬底的第二平行部和由所述第二平行部向所述衬底方向延伸的第二倾斜部。
15、在一些实施例中，所述第二晶体管还包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层背离所述衬底一侧的表面，所述第二栅电极覆盖所述第二栅极绝缘层背离所述衬底一侧的表面。
16、在一些实施例中，所述半导体器件包括至少一层存储单元阵列，所述存储单元阵列包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个存储单元，所述第一方向和第二方向交叉且均平行于所述衬底，所述存储单元包括所述第一晶体管和所述第二晶体管，同行的存储单元的第一电极连接形成沿第一方向延伸的第一位线，同列的存储单元的第二电极连接形成沿第二方向延伸的第一字线，同列的存储单元的第三电极连接形成沿第二方向延伸的第二位线，同行的存储单元的第二栅电极连接到同一第二字线。
17、本公开实施例提供一种电子设备，包括上述任一所述的半导体器件。
18、本公开实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括：
19、提供衬底，在所述衬底上形成第一电极，在所述第一电极远离所述衬底一侧形成第二电极；
20、形成第一沟槽，所述第一沟槽的底壁暴露所述第一电极，侧壁暴露所述第二电极；
21、依次沉积第一半导体薄膜、第一栅绝缘薄膜和第一导电薄膜，所述第一半导体薄膜覆盖所述第二电极远离衬底一侧的表面和所述第一沟槽的内壁，所述第一栅绝缘薄膜覆盖所述第一半导体薄膜背离所述衬底的一侧的表面，所述第一导电薄膜填充所述第一沟槽；
22、形成第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第一半导体薄膜、第一栅绝缘薄膜和第一导电薄膜，所述第二沟槽将所述第一半导体薄膜、第一栅极绝缘薄膜和第一导电薄膜沿所述第二沟槽的底壁的延伸方向断开为两部分，形成覆盖所述第二电极远离衬底一侧的表面和所述第一沟槽的一侧壁和部分底壁的第一半导体层，覆盖所述第一半导体层的第一栅极绝缘层和覆盖所述第一栅极绝缘层的第一栅电极；
23、在所述第一栅电极远离所述衬底一侧形成第三电极；
24、形成第三沟槽，所述第三沟槽的底壁暴露所述第一栅电极，侧壁暴露所述第三电极；
25、依次沉积第二半导体薄膜、第二栅绝缘薄膜和第二导电薄膜，所述第二半导体薄膜覆盖所述第二电极远离衬底一侧的表面和所述第一沟槽的内壁，所述第二栅绝缘薄膜覆盖所述第二半导体薄膜背离所述衬底的一侧的表面，所述第二导电薄膜填充所述第三沟槽；
26、形成第四沟槽，所述第四沟槽贯穿所述第二半导体薄膜、第二栅绝缘薄膜和第二导电薄膜，所述第四沟槽将所述第二半导体薄膜、第二栅极绝缘薄膜和第二导电薄膜沿所述第三沟槽的底壁的延伸方向断开为两部分，形成覆盖所述第三电极远离衬底一侧的表面和所述第三沟槽的一侧壁和部分底壁的第二半导体层，覆盖所述第二半导体层的第二栅极绝缘层和覆盖所述第二栅极绝缘层的第二栅电极。
27、本申请实施例包括一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：设置在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括：第一电极、设置在所述第一电极背离所述衬底一侧的第二电极、设置在所述第二电极背离所述第一电极一侧的第一半导体层和设置在所述第一半导体层背离所述第二电极一侧的第一栅电极；所述第一半导体层连接所述第一电极和所述第二电极；所述第二晶体管包括：设置在所述第一栅电极背离所述衬底一侧的第三电极、设置在所述第三电极背离所述第一栅电极一侧的第二半导体层和设置在所述第二半导体层背离所述第三电极一侧的第二栅电极；所述第二半导体层连接所述第三电极和所述第一栅电极；其中，所述第一半导体层包括延伸方向与所述衬底交叉的第一半导体子层，以及，由所述第一半导体子层的一端向平行于衬底方向延伸的第二半导体子层，以及，由所述第一半导体子层的另一端向平行于衬底且背离所述第二半导体子层的方向延伸的第三半导体子层；所述第二半导体层包括延伸方向与所述衬底交叉的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极与所述第二半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极与所述第三半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第一半导体子层朝向所述第三半导体子层一侧连接。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极与所述第五半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极与所述第六半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第四半导体子层朝向所述第六半导体子层一侧连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管还包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层背离所述衬底一侧的表面，所述第一栅电极覆盖所述第一栅极绝缘层背离所述衬底一侧的表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极包括平行于所述衬底的
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层背离所述衬底一侧的表面，所述第二栅电极覆盖所述第二栅极绝缘层背离所述衬底一侧的表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅电极包括平行于所述衬底的第二平行部和由所述第二平行部向所述衬底方向延伸的第二倾斜部。
10.根据权利要求1至9任一所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少一层存储单元阵列，所述存储单元阵列包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个存储单元，所述第一方向和第二方向交叉且均平行于所述衬底，所述存储单元包括所述第一晶体管和所述第二晶体管，同行的存储单元的第一电极连接形成沿第一方向延伸的第一位线，同列的存储单元的第二电极连接形成沿第二方向延伸的第一字线，同列的存储单元的第三电极连接形成沿第二方向延伸的第二位线，同行的存储单元的第二栅电极连接到同一第二字线。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至10任一所述的半导体器件。
12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极与所述第二半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极与所述第三半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第一半导体子层朝向所述第三半导体子层一侧连接。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极与所述第五半导体子层朝向所述衬底一侧连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极与所述第六半导体子层朝向所述衬底一侧连接，以及，与所述第四半导体子层朝向所述第六半导体子层一侧连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管还包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层背离所述衬底一侧的表面，所述第一栅电极覆盖所述第一栅极绝缘层背离所述衬底一侧的表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极包括平行于所述衬底的第一平行部和由所述第一平行部向所述衬底方向延...
【专利技术属性】
技术研发人员：金美晨，李相惇，康卜文，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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