【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种电平转换电路及模数转换器。
技术介绍
1、对于一个中高压电平转换电路，其实现的功能是完成低电平到高电平转换。目前实现中高压电平转换的方法有很多，最常用的是由一组交叉耦合pmos和一组作为开关管的nmos以及一组反相器构成，通过输入电平控制pmos管和nmos管的工作状态(导通或者截止)，从而输出高电平。但是随着转换高电平电压的提高，对mos管的耐压要求也会随着提高。
2、具体地，电平转换提升时，需要将第一电源电压的高电平转换提升为第二电源电压的高电平，但是由于mos管耐压值的限定，无法基于耐压值刚好为第二电源电压的mos管设计一级反相器或者交叉耦合上下拉结构来实现电平的转换提升，而更多mos管的耐压值可能大于或者小于第二电源电压，这使得对应电平转换电路的应用受到限制。
3、因此，目前亟需一种能灵活基于多个耐压值不等于第二电源电压的mos管来设计电平转换技术方案，以有效地将第一电源电压的高电平转换提升为第二电源电压的高电平。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种电平转换技术方案，结合第一反相模块、第二反相模块及交叉耦合上下拉模块设计电平转换电路，基于交叉耦合上下拉模块与第一反相模块及第二反相模块分别级联的结构设计，上拉时的第二电源电压的耐压可通过级联的两个下拉管进行分散承担，如此，基于耐压值大于第二电源电压的上拉管及耐压值小于第二电源电压的两个下拉管的级联组合设计，快速有效地实现了第一
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供的技术方案如下。
3、一种电平转换电路，包括：
4、第一反相模块，接输入信号，对所述输入信号进行反相处理，得到第一反相信号；
5、第二反相模块，与所述第一反相模块级联，对所述第一反相信号进行反相处理，得到第二反相信号；
6、交叉耦合上下拉模块，与所述第一反相模块及所述第二反相模块分别级联，基于所述第一反相信号及所述第二反相信号的上下拉控制，产生输出信号；
7、其中，当所述输入信号为第一电源电压的高电平时，所述输出信号被上拉为第二电源电压的高电平，当所述输入信号为低电平时，所述输出信号被下拉为低电平，所述第二电源电压大于所述第一电源电压。
8、可选地，所述第一反相模块包括第一nmos管及第一pmos管，所述第一nmos管的源极及衬底分别接地，所述第一nmos管的栅极接所述输入信号，所述第一nmos管的漏极接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的栅极接所述第一nmos管的栅极，所述第一pmos管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第一nmos管的漏极输出所述第一反相信号。
9、可选地，所述第一nmos管的耐压值及所述第一pmos管的耐压值分别大于所述第一电源电压。
10、可选地，所述第二反相模块包括第二nmos管及第二pmos管，所述第二nmos管的源极及衬底分别接地，所述第二nmos管的栅极接所述第一反相信号，所述第二nmos管的漏极接所述第二pmos管的漏极，所述第二pmos管的栅极接所述第二nmos管的栅极，所述第二pmos管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第二nmos管的漏极输出所述第二反相信号。
11、可选地，所述第二nmos管的耐压值及所述第二pmos管的耐压值分别大于所述第一电源电压。
12、可选地，所述交叉耦合上下拉模块包括第三nmos管、第四nmos管、第三pmos管及第四pmos管，所述第三nmos管的源极及衬底分别接所述第一反相信号，所述第三nmos管的栅极接所述第一电源电压，所述第三nmos管的漏极接所述第三pmos管的漏极，所述第三pmos管的栅极接所述第四pmos管的漏极，所述第三pmos管的源极及衬底分别接所述第二电源电压，所述第四nmos管的源极及衬底分别接所述第二反相信号，所述第四nmos管的栅极接所述第三nmos管的栅极，所述第四nmos管的漏极接所述第四pmos管的漏极，所述第四pmos管的栅极接所述第三pmos管的漏极，所述第四pmos管的源极及衬底分别接所述第二电源电压，所述第四pmos管的漏极产生所述输出信号。
13、可选地，所述第三nmos管的耐压值及所述第四nmos管的耐压值分别大于所述第二电源电压与所述第一电源电压之间的差值，所述第三pmos管的耐压值及所述第四pmos管的耐压值分别大于所述第二电源电压。
14、一种模数转换器，包括如上述中任一项所述的电平转换电路，基于所述电平转换电路对所述输入信号的高电平进行转换提升。
15、如上所述，本专利技术提供的电平转换电路及模数转换器，至少具有以下有益效果：
16、结合第一反相模块、第二反相模块及交叉耦合上下拉模块设计电平转换电路，交叉耦合上下拉模块与第一反相模块及第二反相模块分别级联，在交叉耦合上下拉模块的上拉管导通时，通过截止的对应下拉管与第一反相模块或者第二反相模块中截止的下拉管对第二电源电压的耐压进行级联分散，如此，通过交叉耦合上下拉模块中耐压值大于第二电源电压的上拉管，及两个耐压值小于第二电源电压的下拉管的级联分散，即可快速有效地基于输入的第一电源电压上拉输出第二电源电压，且不需要对应耐压值刚好为第二电源电压的管子，简单高效地实现了第一电源电压的高电平到第二电源电压的高电平的转换提升。
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1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一反相模块包括第一NMOS管及第一PMOS管，所述第一NMOS管的源极及衬底分别接地，所述第一NMOS管的栅极接所述输入信号，所述第一NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第一NMOS管的漏极输出所述第一反相信号。
3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管的耐压值及所述第一PMOS管的耐压值分别大于所述第一电源电压。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二反相模块包括第二NMOS管及第二PMOS管，所述第二NMOS管的源极及衬底分别接地，所述第二NMOS管的栅极接所述第一反相信号，所述第二NMOS管的漏极接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第二NMOS管的漏极输出所述第二反相信号。>
5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二NMOS管的耐压值及所述第二PMOS管的耐压值分别大于所述第一电源电压。
6.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述交叉耦合上下拉模块包括第三NMOS管、第四NMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管，所述第三NMOS管的源极及衬底分别接所述第一反相信号，所述第三NMOS管的栅极接所述第一电源电压，所述第三NMOS管的漏极接所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极及衬底分别接所述第二电源电压，所述第四NMOS管的源极及衬底分别接所述第二反相信号，所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的漏极接所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极及衬底分别接所述第二电源电压，所述第四PMOS管的漏极产生所述输出信号。
7.根据权利要求6所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三NMOS管的耐压值及所述第四NMOS管的耐压值分别大于所述第二电源电压与所述第一电源电压之间的差值，所述第三PMOS管的耐压值及所述第四PMOS管的耐压值分别大于所述第二电源电压。
8.一种模数转换器，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的电平转换电路，基于所述电平转换电路对所述输入信号的高电平进行转换提升。
...【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一反相模块包括第一nmos管及第一pmos管，所述第一nmos管的源极及衬底分别接地，所述第一nmos管的栅极接所述输入信号，所述第一nmos管的漏极接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的栅极接所述第一nmos管的栅极，所述第一pmos管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第一nmos管的漏极输出所述第一反相信号。
3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一nmos管的耐压值及所述第一pmos管的耐压值分别大于所述第一电源电压。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二反相模块包括第二nmos管及第二pmos管，所述第二nmos管的源极及衬底分别接地，所述第二nmos管的栅极接所述第一反相信号，所述第二nmos管的漏极接所述第二pmos管的漏极，所述第二pmos管的栅极接所述第二nmos管的栅极，所述第二pmos管的源极及衬底分别接所述第一电源电压，所述第二nmos管的漏极输出所述第二反相信号。
5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二nmos管的耐压值及所述第二pmos管的耐压值分别大于所述第一电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：马琦赟，雷郎成，高炜祺，詹勇，王忠焰，杜宇彬，胡永菲，刘林果，文荟麟，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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