【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、根据电子工业的快速发展和用户的需求，电子设备变得更加紧凑和轻便。因此，可能需要用于电子设备中的具有高集成度的半导体器件，因此，半导体器件中的组件的设计规则已经减少。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供一种具有改善的电气连接的半导体器件。
2、本专利技术构思的实施例的各方面不限于上述方面，本领域普通技术人员可以从以下描述中清楚地理解未提及的其他方面。
3、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和围绕所述单元区域的连接区域；多个单元器件隔离层，所述多个单元器件隔离层位于所述衬底的所述单元区域中，并且在所述衬底的所述单元区域中限定多个有源区域；单元字线，所述单元字线在所述衬底的所述单元区域上跨所述多个有源区域沿第一水平方向延伸；单元位线，所述单元位线包括单元金属导电图案，所述单元金属导电图案在所述衬底的所述单元区域上沿第二水平方向延伸，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；以及连接位线，所述连接位线包括连接金属导电图案，所述连接金属导电图案在所述衬底的所述连接区域上沿所述第二水平方向延伸。所述连接位线的顶表面可以位于等于或低于所述单元位线的顶表面的垂直高度。所述连接金属导电图案在垂直方向上的高度可以等于或大于所述单元金属导电图案在所述垂直方向上的高度。
4、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和围绕所述单元区域的连接区
5、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和围绕所述单元区域的连接区域；单元器件隔离层，所述单元器件隔离层位于所述衬底的所述单元区域中，并且在所述衬底的所述单元区域中限定有源区域；单元字线，所述单元字线在所述衬底的所述单元区域上跨所述有源区域沿第一水平方向延伸；单元位线，所述单元位线在所述衬底的所述单元区域上沿第二水平方向延伸，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；以及连接位线，所述连接位线在所述衬底的所述连接区域上沿所述第二水平方向延伸。所述单元位线可以包括单元导电半导体图案和位于所述单元导电半导体图案上的单元金属导电图案。所述连接位线可以包括连接导电半导体图案和位于所述连接导电半导体图案上的连接金属导电图案。所述单元导电半导体图案和所述连接导电半导体图案均可以包括多晶硅。所述连接导电半导体图案的顶表面可以位于等于或低于所述单元导电半导体图案的顶表面的垂直高度。所述连接金属导电图案的顶表面与所述单元金属导电图案的顶表面之间的垂直高度差可以等于或小于所述连接金属导电图案的底表面与所述单元金属导电图案的底表面之间的垂直高度差。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接位线在所述垂直方向上的厚度小于所述单元位线在所述垂直方向上的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述连接导电半导体图案的顶表面位于等于或低于所述单元导电半导体图案的顶表面的垂直高度。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述连接导电半导体图案的底表面位于等于或高于所述单元导电半导体图案的底表面的垂直高度。
13.
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，
15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述连接位线在所述垂直方向上的高度小于所述单元位线在所述垂直方向上的高度。
16.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
17.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，
18.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述连接导电半导体图案的底表面位于等于或高于所述单元导电半导体图案的底表面的垂直高度。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述连接位线在垂直方向上的高度小于所述单元位线在所述垂直方向上的高度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接位线在所述垂直方向上的厚度小于所述单元位线在所述垂直方向上的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述连接导电半导体图案的顶表面位于等于或低于所述单元导电半导体图案的顶表面的垂直高度。
12....
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。