【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。
技术介绍
1、背接触太阳能电池中，电极结构都处于电池的背光面，向光面没有电极遮挡，因此，其具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前高效率太阳能电池的重要发展方向之一。
2、然而，现有的背接触太阳能电池的制备方法中，存在着较为严重的绕镀问题，若不清除绕镀，会使得制备得到的背接触太阳能电池的性能欠佳。若清除绕镀，不仅增加了工序，而且增加了制备难度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，旨在解决现有背接触太阳能电池的制备方法中，绕镀较为严重的问题。
2、本专利技术的第一方面，提供一种背接触太阳能电池的制备方法，包括：
3、提供衬底；所述衬底包括相对的第一侧和第二侧；
4、在所述衬底的第一侧上依次制备第一背面钝化层和第一导电层；
5、对所述第一背面钝化层和第一导电层进行图形化处理，使得所述衬底的第一侧的部分表面裸露；
6、在第一侧裸露的部分表面以及剩余的第一导电层上制备第二背面钝化层；
7、在所述衬底的第二侧上制备正面减反层。
8、本专利技术实施例中，在衬底的第二侧制备了第一背面钝化层、第一导电层、第二背面钝化层之后，再在衬底的第一侧制备正面减反层，第一背面钝化层、第一导电层和第二背面钝化层相当于增大了衬底的厚度，因此在制备正面减反层的过程中，难以产生下绕，可以从很大程度上减少绕镀
9、可选的，所述在所述衬底的第一侧上依次制备第一背面钝化层和第一导电层，包括：
10、在所述衬底的第一侧上依次制备第一背面钝化层和n型导电层；
11、所述在所述衬底的第二侧上制备正面减反层之前，所述方法还包括：
12、在所述衬底的第二侧上制备正面钝化层；
13、所述在所述衬底的第二侧上制备正面减反层，包括：
14、在所述正面钝化层上制备所述正面减反层；
15、所述方法还包括：制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层。
16、可选的，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
17、在所述正面钝化层上制备所述正面减反层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层。
18、可选的，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
19、在所述正面钝化层上制备正面减反层之前，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层。
20、可选的，所述第一背面钝化层、所述第一导电层、所述第二背面钝化层、所述正面减反层均采用等离子体沉积方式制备。
21、可选的，所述p型导电层、所述正面钝化层，均采用等离子体沉积方式制备。
22、可选的，所述对所述第一背面钝化层和第一导电层进行图形化处理，使得所述衬底的第一侧的部分表面裸露之前，所述方法还包括：
23、在所述第一导电层上制备激光吸收层；
24、所述对所述第一背面钝化层和第一导电层进行图形化处理，使得所述衬底的第一侧的部分表面裸露，包括：
25、采用激光，对所述激光吸收层、所述第一背面钝化层和所述第一导电层进行图形化处理，使得所述衬底的第一侧的部分表面裸露；
26、所述在第一侧裸露的部分表面以及剩余的第一导电层上制备第二背面钝化层，包括：
27、在第一侧裸露的部分表面以及剩余的激光吸收层上，制备第二背面钝化层。
28、本专利技术的第二方面，提供一种背接触太阳能电池，包括：
29、衬底；所述衬底包括相对的第一侧和第二侧；
30、第一背面钝化层，层叠在所述衬底的第一侧的部分区域；
31、第一导电层，层叠在所述第一背面钝化层上；
32、第二背面钝化层，层叠在所述衬底的第一侧的剩余区域，以及部分所述第一导电层上；
33、正面减反层，层叠在所述衬底的第二侧；
34、所述衬底的第一侧上、所述第一背面钝化层上、所述第一导电层上、所述第二背面钝化层上均没有所述正面减反层的材料。
35、可选的，所述背接触太阳能电池还包括：正面钝化层，位于所述衬底和所述正面减反层之间；
36、所述第一导电层为n型导电层；
37、所述背接触太阳能电池还包括：
38、p型导电层，层叠在所述第二背面钝化层上；
39、所述p型导电层上没有所述正面减反层的材料，和/或，所述p型导电层靠近所述第二背面钝化层的表面的平整度，小于或等于4nm。
40、可选的，所述第一背面钝化层、所述第一导电层、所述第二背面钝化层，三者的总厚度为68nm至180nm。
41、可选的，所述第一背面钝化层的厚度为30nm至80nm；
42、所述第一导电层的厚度为8nm至20nm；
43、所述第二背面钝化层的厚度为30nm至80nm。
44、可选的，所述衬底为n型衬底，所述背接触太阳能电池的光电转化效率，大于或等于26.5％。
45、本专利技术的第三方面，提供一种光伏组件，包括：若干个任一前述的背接触太阳能电池。
46、上述背接触太阳能电池的制备方法、背接触太阳能电池和光伏组件，三者具有相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。
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1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一侧上依次制备第一背面钝化层和第一导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
5.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一背面钝化层、所述第一导电层、所述第二背面钝化层、所述正面减反层均采用等离子体沉积方式制备。
6.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述p型导电层、所述正面钝化层，均采用等离子体沉积方式制备。
7.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述第一背面钝化层和第一导电层进行图形化处理，使得所述衬底的第一侧的
8.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：正面钝化层，位于所述衬底和所述正面减反层之间；
10.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一背面钝化层、所述第一导电层、所述第二背面钝化层，三者的总厚度为68nm至180nm。
11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一背面钝化层的厚度为30nm至80nm；
12.根据权利要求8至11中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述衬底为n型衬底，所述背接触太阳能电池的光电转化效率，大于或等于26.5％。
13.一种光伏组件，其特征在于，包括：若干个权利要求8至12中任一所述的背接触太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一侧上依次制备第一背面钝化层和第一导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备完所述正面钝化层之后，在所述第二背面钝化层上制备p型导电层包括：
5.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一背面钝化层、所述第一导电层、所述第二背面钝化层、所述正面减反层均采用等离子体沉积方式制备。
6.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述p型导电层、所述正面钝化层，均采用等离子体沉积方式制备。
7.根据权利要求1至4中任一所...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲喆，张开旺，卢俊雄，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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