【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种晶圆追踪方法及系统。
技术介绍
1、在晶圆制备过程中，晶圆要经过上千道工序，几百台工艺机台才能完成芯片制造。每一个工艺异常均可造成晶圆缺陷，比如机台报警导致缺陷。圆生产过程中的缺陷会对晶圆的最终良率造成很大的影响，低良产品不仅会导致客户拒收，同时影响公司形象，对公司也会造成经济损失。因此，通常会在出货前进行最终的电性测试，根据测试结果来决定是否满足出货良率要求。但光靠最终测试来决定产品是否能出货，不仅周期长，且浪费资源。为此通常会在中间制程工艺中添加良率检测站点，一发现异常及时止损；但是在中间工艺检测到缺陷时，由于整体工艺没有走完，无法如最终电性测试那样直观判断是否对最终良率有影响。
2、但是，对于有缺陷的晶圆不一定全部进行报废。比如，当由于晶圆表面的灰尘造成晶圆的缺陷时，当而灰尘尺寸很小，晶圆能够正常使用时，则该缺陷晶圆还可以保留。因此，该缺陷晶圆继续进行后续的工艺。但是，如果该缺陷晶圆在后续的工艺中，聚集的灰尘越来越多，或者或者聚集的灰尘尺寸越来越大时，已经严重影响晶圆的正常使用，则该晶圆被报废。目前，对于生产模式为在线的全自动化生产(即，inline生产模式)时，当缺陷晶圆达到报废的标准，如果继续在生产线上流经不同的工序，不仅会污染机台，对后续的晶圆产生污染，造成产能浪费，成本增加，影响晶圆生产的良率。
3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆追踪方法及系统，以解决当缺陷晶圆达到报废的标准，如果继续在生产线上流经不同的工序，不仅会污染机台，对后续的晶圆产生污染，造成产能浪费，成本增加，影响晶圆生产的良率的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆追踪方法，包括：
3、s1：获取缺陷晶圆的影响因子，并构建缺陷晶圆的杀伤力模型；
4、s2：获取被追踪缺陷晶圆的影响因子；
5、s3：基于所述杀伤力模型和被追踪缺陷晶圆的影响因子，获取被追踪缺陷晶圆的杀伤力；
6、s4：基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废。
7、优选地，在所述s1中，所述缺陷晶圆的影响因子包括技术节点、工艺平台、图形、形貌、类型、数量和尺寸。
8、优选地，在所述s4中，基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废：
9、当杀伤力大于等于设定值，则判定该被追踪缺陷晶圆报废；
10、当杀伤力小于设定值时，则判定该被追踪缺陷晶圆不报废。
11、优选地，在所述s4之后，该晶圆追踪方法还包括：
12、基于杀伤力模型和缺陷晶圆的杀伤力，获取缺陷晶圆高杀伤力影响因子和低杀伤力影响因子。
13、优选地，在所述s2中，所述被追踪缺陷晶圆的判断方法包括以下步骤：
14、s101：获取晶圆被确认为缺陷晶圆的工序站点序列；
15、s102：判断晶圆当前流通工艺站点序列与晶圆被确认为缺陷晶圆的工序站点序列的大小；
16、s103：若晶圆当前流通工艺站点序列大于晶圆被确认为缺陷晶圆的工序站点序列，则该晶圆为被追踪缺陷晶圆。
17、优选地，若晶圆当前流通工艺站点序列等于晶圆被确认为缺陷晶圆的工序站点序列，则该晶圆不被列为被追踪缺陷晶圆。
18、优选地，在所述s103中，若该缺陷晶圆为被追踪缺陷晶圆，则对该被追踪缺陷晶圆进行标记，并发出报警信号。
19、优选地，所述缺陷晶圆来自于生产执行系统中被判定为有缺陷的晶圆。
20、基于相同的专利技术思想，本专利技术还提供了一种晶圆追踪系统，包括：
21、处理器；
22、存储器，其上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序；
23、其中，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述所述的晶圆追踪方法。
24、优选地，该晶圆追踪系统还包括：
25、报警模块，连接至所述处理器，用于若该缺陷晶圆为被追踪缺陷晶圆，则对该被追踪缺陷晶圆进行标记，并发出报警信号。
26、与现有技术相比，本专利技术的晶圆追踪方法具有如下优点：
27、本专利技术通过设置s1：获取缺陷晶圆的影响因子，并构建缺陷晶圆的杀伤力模型；s2：获取被追踪缺陷晶圆的影响因子；s3：基于所述杀伤力模型和被追踪缺陷晶圆的影响因子，获取被追踪缺陷晶圆的杀伤力；s4：基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪的缺陷晶圆是否报废。由此，本专利技术提供的晶圆追踪方法，通过获取生产执行系统(即，mes系统)中缺陷晶圆的影响因子，构建缺陷晶圆的杀伤力模型，将获取的被追踪缺陷晶圆的缺陷输入计算机执行系统时，可以通过杀伤力模型直接输出缺陷晶圆的杀伤力的数值，从而能够依据杀伤力数值判断该晶圆报废的概率，进而能够直接判断出该被追踪缺陷晶圆是否报废，对于inline生产模式，能够及时将报废的晶圆剔除生产线，避免达到报废标准的缺陷晶圆污染机台，对后续的晶圆产生污染，节约了产能，降低了晶圆生产成本，防止影响晶圆生产的良率，提高了判断被追踪缺陷晶圆是否报废的效率。
28、另外，通过获取缺陷晶圆的杀伤力；基于杀伤力模型和缺陷晶圆的杀伤力，获取缺陷晶圆的影响因子对缺陷晶圆影响的大小，能够反推以获取高杀伤力影响因子和低杀伤力影响因子。并基于高杀伤力影响因子和低杀伤力影响因子来指导晶圆的生产，能够预测造成晶圆报废的影响因子，以便于降低晶圆报废的报废率，从而能够提高晶圆生产的良率。
29、本专利技术提供的晶圆的追踪系统与本专利技术提供的缺陷晶圆的追踪方法属于同一专利技术构思，因此，本专利技术提供的晶圆的追踪系统至少具有本专利技术提供的缺陷晶圆的追踪方法的所有优点，因此，能够避免达到报废标准的缺陷晶圆污染机台，对后续的晶圆产生污染，节约了产能，降低了晶圆生产成本，防止影响晶圆生产的良率，提高了判断被追踪缺陷晶圆是否报废的效率。同时，也能够预测造成晶圆报废的影响因子，以便于降低晶圆报废的报废率，从而能够提高晶圆生产的良率。
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1.一种晶圆追踪方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S1中，所述缺陷晶圆的影响因子包括技术节点、工艺平台、图形、形貌、类型、数量和尺寸。
3.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S4中，基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废：
4.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S4之后，该晶圆追踪方法还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S2中，所述被追踪缺陷晶圆的判断方法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的晶圆追踪方法，其特征在于，若晶圆当前流通工艺站点序列等于晶圆被确认为缺陷晶圆的工序站点序列，则该晶圆不被列为被追踪缺陷晶圆。
7.根据权利要求5所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S103中，若该缺陷晶圆为被追踪缺陷晶圆，则对该被追踪缺陷晶圆进行标记，并发出报警信号。
8.根据权利要求5所述的晶圆追踪方法，其特征在于，所述缺陷晶圆来自于生产执行系统中被判定为有缺陷的晶
9.一种晶圆追踪系统，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆追踪系统，其特征在于，该晶圆追踪系统还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆追踪方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s1中，所述缺陷晶圆的影响因子包括技术节点、工艺平台、图形、形貌、类型、数量和尺寸。
3.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s4中，基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废：
4.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s4之后，该晶圆追踪方法还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s2中，所述被追踪缺陷晶圆的判断方法包括以下步骤：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：胡向华，庄均珺，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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