【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、功率半导体组件由于其自身具有驱动电路简单、驱动功率小、高输入阻抗和开关速度、良好的热稳定性和高频特性等一系列优点获得了广泛的应用。作为功率半导体组件的一个性能指针，需要降低组件的导通电阻。为了使功率半导体组件具有较低的导通电阻，在现有技术中，通常采用的技术手段是金属化晶圆背面。具体来说，金属化晶圆背面的步骤包括：背面研磨、表面处理、清洗、背面金属化等步骤。在背面金属化步骤中，一般利用浸泡式电镀工艺，将整个晶圆浸入电镀液中对晶圆背面进行电镀，而晶圆正面则需贴附胶带作为保护以隔绝电镀液。然而，在电镀过程中，晶圆正面的胶带会不断被电镀液侵蚀，长时间电镀导致胶带外围密合处被腐蚀穿透后，电镀液将沿着切割道空隙渗透至整个晶圆正面，形成切割道污染，进而影响晶圆质量。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体封装结构包括：半导体衬底、多个沟槽栅极结构、金属接垫、钝化层、聚合物层、凸块下金属层(ubm层)以及背金属层。半导体衬底具有彼此相对的第一表面与第二表面。第一表面定义有组件区、密封环区以及切割道区，且密封环区位于组件区与切割道区之间。多个沟槽栅极结构配置在组件区的半导体衬底中。金属接垫配置在组件区的半导体衬底上。钝化层覆盖密封环区的密封环结构及金属接垫的顶面的第一部分。聚合物层覆盖钝化层且从组件区延伸至切割道区。聚合物层具有开口以暴露出金属接垫的顶面的第二部分。ubm层配置在开口中且延伸覆盖聚合物层的部分顶面。背金属层配置在半导体
2、于一实施例中，聚合物层与钝化层为不同材质的介电材料。
3、于一实施例中，钝化层覆盖密封环结构的顶面与侧壁。
4、于一实施例中，聚合物层具直接接触金属接垫的第三部分，而第三部分位于第一部分与第二部分之间。
5、于一实施例中，组件区包括第一组件区与第二组件区，第一组件区中的多个沟槽栅极结构与第二组件区的多个沟槽栅极结构彼此电性隔离。第一组件区中的源极掺杂区与第二组件区的源极掺杂区彼此电性隔离。
6、于一实施例中，组件区包括第一垂直式功率组件与第二垂直式功率组件。第一垂直式功率组件与第二垂直式功率组件为共享背金属层作为漏极的共漏结构。
7、本专利技术提供一种半导体封装结构的制造方法包括以下步骤。提供具有彼此相对的第一表面与第二表面的半导体衬底，其中第一表面定义有组件区、密封环区以及切割道区。在组件区上形成金属接垫。在半导体衬底的第一表面上形成钝化层，其中钝化层在切割道区上具有暴露出半导体衬底的第一开口。在钝化层上形成聚合物层，其中聚合物层从组件区延伸至切割道区以覆盖钝化层的侧壁及第一开口。在半导体衬底的第一表面上贴附胶带。进行镀覆工艺，以在半导体衬底的第二表面上形成背金属层，其中背金属层具有大于10微米的厚度。在切割道区处进行切割工艺。
8、于另一实施例中，胶带直接接触切割道区上的聚合物层的顶面。
9、于另一实施例中，在半导体衬底的第一表面上贴附胶带之前，还包括：图案化聚合物层，以形成暴露出金属接垫的部分顶面的第三开口，以及在第三开口中形成凸块下金属层。
10、于另一实施例中，在切割道区处进行切割工艺之后，聚合物层的侧壁、半导体衬底的侧壁以及背金属层的侧壁在切割道区处彼此对齐。
11、基于上述，本专利技术将聚合物层全面性地形成在组件区与切割道区的半导体衬底上，以使后续胶带可紧密地贴附在组件区与切割道区的聚合物层上。在此情况下，在进行浸泡式电镀工艺以在半导体衬底的背面上形成背金属层期间，本专利技术可有效防止电镀液沿着切割道空隙渗透至整个晶圆正面，进而提高工艺良率并提升晶圆质量。
12、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层与所述钝化层为不同材质的介电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述密封环结构的顶面与侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层具直接接触所述金属接垫的第三部分，而所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述组件区包括第一组件区与第二组件区，所述第一组件区中的所述多个沟槽栅极结构与所述第二组件区的所述多个沟槽栅极结构彼此电性隔离；所述第一组件区中的源极掺杂区与所述第二组件区的源极掺杂区彼此电性隔离。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述组件区包括第一垂直式功率组件与第二垂直式功率组件，所述第一垂直式功率组件与所述第二垂直式功率组件为共享所述背金属层作为漏极的共漏结构。
7.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底的所述第一表面上贴附所述胶带之前，所述制造方法还包括：
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述切割道区处进行所述切割工艺之后，所述聚合物层的侧壁、所述半导体衬底的侧壁以及所述背金属层的侧壁在所述切割道区处彼此对齐。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层与所述钝化层为不同材质的介电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述密封环结构的顶面与侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层具直接接触所述金属接垫的第三部分，而所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述组件区包括第一组件区与第二组件区，所述第一组件区中的所述多个沟槽栅极结构与所述第二组件区的所述多个沟槽栅极结构彼此电性隔离；所述第一组件区中的源极掺杂区与所述第二组件区的源极掺杂区彼此电性隔离。
【专利技术属性】
技术研发人员：黄泱恺，
申请(专利权)人：力智电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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