【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、硅化物阻挡层(salicide block，sab)被用于保护衬底表面，以阻止衬底的部分区域形成金属硅化物，并可以防止衬底中掺杂的离子析出。如图1所示，在硅化物阻挡层的形成过程中，由于机台内残余的气体等，导致残余气体与硅化物阻挡层反应，因此，造成衬底10边缘部分区域的硅化物阻挡层中具有异物10a，由此造成缺陷，即导致边缘区域的硅化物阻挡层损伤，损伤的硅化物阻挡层无法阻挡衬底中掺杂的离子，从而导致边缘区域的衬底中的掺杂离子在后续的工艺中（特别是高温环境下）析出，进而导致衬底内的掺杂离子浓度降低、电阻升高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，以解决因硅化物阻挡层内存在缺陷而造成的掺杂离子析出的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有源区和漏区；采用化学气相沉积工艺形成第一硅化物阻挡层，所述第一硅化物阻挡层覆盖所述衬底；将具有所述第一硅化物阻挡层的衬底旋转预定角度；采用所述化学气相沉积工艺形成第二硅化物阻挡层，所述第二硅化物阻挡层覆盖所述第一硅化物阻挡层；以及，执行快速热退火工艺。
3、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第一硅化物阻挡层的材质与所述第二硅化物阻挡层的材质均为富硅氧化物。
4、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第一硅化物阻挡层的厚度与所述第二硅化物阻挡
5、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述预定角度为40°~50°。
6、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述化学气相沉积工艺为等离子体增强化学气相沉积工艺。
7、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在形成所述第二硅化物阻挡层之后，还包括：依次刻蚀所述第二硅化物阻挡层和所述第一硅化物阻挡层，以暴露出所述源区和所述漏区；以及，在暴露出的所述源区和所述漏区上形成自对准金属硅化物层。
8、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述源区和所述漏区之间的所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的侧壁形成有侧墙。
9、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述自对准金属硅化物层还形成于所述栅极的顶表面。
10、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在采用化学气相沉积工艺在所述衬底上形成第一硅化物阻挡层时，所述第一硅化物阻挡层还覆盖所述栅极及所述侧墙。
11、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，依次刻蚀所述第二硅化物阻挡层和所述第一硅化物阻挡层的方法包括：在所述第二硅化物阻挡层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述栅极、所述源区及所述漏区上的所述第二硅化物阻挡层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀暴露出的所述第一硅化物阻挡层和所述第二硅化物阻挡层，以暴露出所述源区、所述漏区及所述栅极的顶表面；以及，去除所述图形化的光刻胶层。
12、在本专利技术提供的半导体器件的制造方法中，通过先采用化学气相沉积工艺在衬底上形成第一硅化物阻挡层；然后，将具有第一硅化物阻挡层的衬底旋转预定角度；接着，采用化学气相沉积工艺形成第二硅化物阻挡层，第二硅化物阻挡层覆盖第一硅化物阻挡层，通过将具有第一硅化物阻挡层的衬底旋转预定角度，可使得后续形成的第二硅化物阻挡层中的缺陷与第一硅化物阻挡层中的缺陷不重叠，如第一硅化物阻挡层和第二硅化物阻挡层存在缺陷，则第一硅化物阻挡层和第二硅化物阻挡层重叠的区域仅有一者存在缺陷，由此，通过第一硅化物阻挡层和第二硅化物阻挡层可以起到对衬底的源区和漏区中的掺杂离子阻挡的作用，在后续的快速热退火工艺中，可以避免源区和漏区中的掺杂离子析出，从而避免源区和漏区中的掺杂离子的浓度降低，以及避免出现源区和漏区的电阻升高的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一硅化物阻挡层的材质与所述第二硅化物阻挡层的材质均为富硅氧化物。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一硅化物阻挡层的厚度与所述第二硅化物阻挡层的厚度相同。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预定角度为40°~50°。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为等离子体增强化学气相沉积工艺。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二硅化物阻挡层之后，还包括：
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述源区和所述漏区之间的所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的侧壁形成有侧墙。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述自对准金属硅化物层还形成于所述栅极的顶表面。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在采用化学
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，依次刻蚀所述第二硅化物阻挡层和所述第一硅化物阻挡层的方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一硅化物阻挡层的材质与所述第二硅化物阻挡层的材质均为富硅氧化物。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一硅化物阻挡层的厚度与所述第二硅化物阻挡层的厚度相同。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预定角度为40°~50°。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为等离子体增强化学气相沉积工艺。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗良爽，冯桂源，刘洋，黄志龙，王菊飞，官亚洲，施敏，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。