【技术实现步骤摘要】
本技术涉及偏置电路，具体为一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路。
技术介绍
1、偏置电路可以为集成电路的功能模块提供确定的电流偏置或电压偏置，以确保功能模块可以正常工作。在射频通信系统中，由于砷化镓（gaas）赝调制掺杂异质结场效应晶体管（phemt）具有高频率、高功率、低噪声等特性，因此广泛应用于射频前端芯片的制作。
2、图2为现有技术中基于gaas phemt工艺传统的偏置电路示意图，如图2所示，该偏置电路由栅漏短接的phemt晶体管m1和电阻r1构成，由于gaas phemt工艺无法在同一衬底上同时实现n型晶体管和p型晶体管，因此无法采用类似mos工艺的带隙基准等结构，以避免电源电压和温度的变化，对偏置电压或偏置电流的影响。因此在电源电压和温度变化较大的情况下，基于gaas phemt工艺偏置电路的偏置电压或偏置电流比较容易产生较大的波动；鉴于此，我们提出了一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供了一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，解决了上述
技术介绍
提到的问题。
2、为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，所述偏置电路包括晶体管m1，所述晶体管m1的源极与二极管d1的负极电连接，所述晶体管m1的漏极与电阻r1的一端电连接，所述电阻r1的另一端与电阻r2的一端电连接，所述电阻r2与二极管d1的正极电连接，所述晶体管m1的栅极与晶体管m1的漏极电连接。
3、可选的，所述电阻r1和电阻r2均为负温度系数电阻。
4、可选的，所述电阻r2的另一端与vdd端电连接。
5、可选的，所述晶体管m1的源极接地，所述晶体管m1为栅漏短接的phemt晶体管。
6、可选的，所述二极管d1为肖特基二极管，所述vdd端为电源电压vdd的连接端，且所述电源电压vdd发生变化时，正向偏置的肖特基二极管钳位，r1和r2之间的电位被钳位到一个相对固定的电压值v1，基准电流。
7、可选的，所述vgs为phemt晶体管m1的栅源电压。
8、本技术提供了一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路。具备以下有益效果：
9、1、该高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，在恒定温度下，电源电压vdd发生变化时，由于钳位电压v1变化较小，因此iref变化较小，获得较高的电源抑制比。
10、2、该高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，在恒定的电源电压vdd，当温度下降或上升时，m1的阈值电压vth降低或升高，但是r1的电阻增大或减小，这导致iref相比传统的偏置电路变化更小，获得较低的温度系数。
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1.一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述偏置电路包括晶体管M1，所述晶体管M1的源极与二极管D1的负极电连接，所述晶体管M1的漏极与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接，所述电阻R2与二极管D1的正极电连接，所述晶体管M1的栅极与晶体管M1的漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述电阻R1和电阻R2均为负温度系数电阻。
3.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述电阻R2的另一端与VDD端电连接。
4.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述晶体管M1的源极接地，所述晶体管M1为栅漏短接的pHEMT晶体管。
5.根据权利要求3所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述二极管D1为肖特基二极管，所述VDD端为电源电压VDD的连接端，且所述电源电压VDD发生变化时，正向偏置的肖特基二极管钳位，R1和R2之间的电位被钳位到一个相对固定的电压值V1，
6.根据权利要求5所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述VGS为pHEMT晶体管M1的栅源电压。
...【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述偏置电路包括晶体管m1，所述晶体管m1的源极与二极管d1的负极电连接，所述晶体管m1的漏极与电阻r1的一端电连接，所述电阻r1的另一端与电阻r2的一端电连接，所述电阻r2与二极管d1的正极电连接，所述晶体管m1的栅极与晶体管m1的漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述电阻r1和电阻r2均为负温度系数电阻。
3.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比和低温度系数的偏置电路，其特征在于：所述电阻r2的另一端与vdd端电连接。
【专利技术属性】
技术研发人员：魏涛，汪洋，陈必江，
申请(专利权)人：上海萍生微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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