【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，具体涉及一种防水汽侵蚀的led芯片及其制作方法。
技术介绍
1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
2、led显示屏因亮度高、色彩鲜艳、节能、寿命长的特点，近年来led显示屏市场呈快速发展态势。但众所周知，led产品属于潮湿敏感性元件(无论户内还是户外产品)，灯珠所用支架ppa(或bt料)及封装环氧树脂(高分子材料)均有吸潮特性，无论是贴片前，还是在贴片组屏后，均可能会吸收湿气。如果防护不当，可能会造成显示屏出现“毛毛虫”/“满天星”等严重的后果。
3、因为led显示屏模块使用的灌封胶为硅胶，其结构疏松，中间有很多空隙，水分子可以穿透其中，led封装技术不能彻底的阻断水汽的侵入，从而造成led芯片在高湿环境中通电的情况下，电极的金属元素或led芯片外延层中的金属元素容易被电解形成金属离子，金属离子在p/n电极电势差的作用下，由水汽通路，从n极到p极移动，从而在led芯片n极和p极之间沉积，呈现出金属迁移现象，严重时将造成芯片短路或电极脱落，最终导致显示屏出现瞎灯和串亮等异常，且问题爆发后不可逆转，甚至难以控制，造成较大的损失。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种防水汽侵蚀的led芯片及其制作方法，以便于提高led芯片的抗水汽能力，缓解水汽对led芯片产生电化学侵蚀而导致灯珠失效的问题。为实现上述目
2、一方面，本专利技术提供一种防水汽侵蚀的led芯片，包括连接在衬底上表面、间隔分布且等高的p极和n极。所述p极和n极从下到上均依次包括：下n型氮化镓层、上n型氮化镓层、多量子阱发光层、p型氮化镓层。其中，所述p极对应的p型氮化镓层的上表面连接有p电极，所述n极对应的上n型氮化镓层、多量子阱发光层、p型氮化镓层的外表面被n电极覆盖。所述led芯片的外表面除了p电极和n电极的顶面之外的其余外表面均被防护层覆盖。
3、进一步地，所述防护层的材质包括sio2、sin、al2o3等中的任意一种，其能够有效防止水汽对led芯片的侵入，提高led芯片的抗水汽能力。可选地，所述防护层的厚度范围为50nm-500nm。
4、另一方面，本专利技术提供所述防水汽侵蚀的led芯片的制作工艺，包括如下步骤：
5、(1)在所述衬底上从下到上依次沉积n型氮化镓层、所述多量子阱发光层、p型氮化镓层。对所述p型氮化镓层、多量子阱发光层、和部分沉积n型氮化镓层进行图形化刻蚀，形成所述下n型氮化镓层、上n型氮化镓层。
6、(2)进行led制作流程，进行cbl\ito等工序，然后在其中一组所述p型氮化镓层的上表面沉积p电极，从而形成所述p极。在另一组所述p型氮化镓层的上表面沉积n电极，且所述n电极覆盖其下方的上n型氮化镓层、多量子阱发光层、p型氮化镓层的外表面，从而形成所述n极，且所述p电极和n电极等高。
7、(3)进行led芯片的后段制程，如研磨减薄、划裂等工序，形成蓝膜承载的led芯片颗粒。
8、(4)将得到的由所述蓝膜承载的led芯片颗粒倒置转移至暂态基板上，并使所述p电极、n电极的底面贴附在暂态基板上。所述暂态基板上有黏附胶体，用来固定芯片，p电极、n电极部分淹没在所述黏附胶体内。然后去除所述led芯片表面的蓝膜。采用原子层沉积(ald)技术向得到的贴附于暂态基板的芯片表面沉积所述防护层，从而在除所述p电极和n电极的底面外，其余外表面均被所述防护层覆盖。
9、(5)将上述led芯片倒置于蓝膜上，去除暂态基板，即得防水汽侵蚀的led芯片颗粒。
10、进一步地，步骤(4)中，所述暂态基板为透明状。可选地，所述暂态基板包括蓝宝石、玻璃等中的任意一种。
11、进一步地，步骤(4)中，所述led芯片与暂态基板间使用紫外光可降解的胶体粘附，或者所述led芯片与暂态基板间使用高温可降解的胶体粘附。
12、进一步地，步骤(5)中，从暂态基板背面加温或照射紫外光使所述胶体失去粘性，解离所述暂态基板，解离后的暂态基板清洗后可进行重复使用。比如黏附胶体具备高温减粘性能，利用温度将黏附胶体的粘性减弱小于蓝膜的粘性，从而蓝膜将led芯片颗粒取下；比如黏附胶体具备紫外线照射减粘性，利用紫外光照射的方法将黏附胶体的粘性减弱小于蓝膜的粘性，从而蓝膜将led芯片颗粒取下。
13、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下方面的有益效果：本专利技术提出的特殊工艺可以制备出只将所述p电极和n电极暴露，而其余表面均被保护层密封保护的led芯片，这种结构的led芯片可有效防止水汽对led芯片的侵入，防止芯片内部金属材料的电化学反应，有效提升芯片使用寿命，降低芯片失效率。
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1.一种防水汽侵蚀的LED芯片，其特征在于，包括连接在衬底上表面、间隔分布且等高的P极和N极；所述P极和N极从下到上均依次包括：下N型氮化镓层、上N型氮化镓层、多量子阱发光层、P型氮化镓层；其中，所述P极对应的P型氮化镓层的上表面连接有P电极，所述N极对应的上N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层、P型氮化镓层的外表面被N电极覆盖；所述LED芯片的外表面除了P电极和N电极的顶面之外的其余外表面均被防护层覆盖。
2.根据权利要求1所述的防水汽侵蚀的LED芯片，其特征在于，所述防护层的材质包括SiO2、SiN、Al2O3中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的防水汽侵蚀的LED芯片，其特征在于，所述防护层的厚度范围为50nm-500nm。
4.权利要求1-3任一项所述的防水汽侵蚀的LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：
5.权利要求4所述的防水汽侵蚀的LED芯片的制作工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述下N型氮化镓层的厚度占整个所述N型氮化镓层的60～80％。
6.权利要求4所述的防水汽侵蚀的LED芯片的制作工艺，其特征
7.权利要求6-8任一项所述的防水汽侵蚀的LED芯片的制作工艺，其特征在于，步骤(4)中，所述LED外延片与暂态基板间使用紫外光或高温可降低粘性的胶体粘附。
8.权利要求7所述的防水汽侵蚀的LED芯片的制作工艺，其特征在于，步骤(4)中，从暂态基板背面照射紫外光或加热使所述胶体失去粘性，解离所述暂态基板；优选地，解离后的所述暂态基板清洗后可进行重复使用。
...【技术特征摘要】
1.一种防水汽侵蚀的led芯片，其特征在于，包括连接在衬底上表面、间隔分布且等高的p极和n极；所述p极和n极从下到上均依次包括：下n型氮化镓层、上n型氮化镓层、多量子阱发光层、p型氮化镓层；其中，所述p极对应的p型氮化镓层的上表面连接有p电极，所述n极对应的上n型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层、p型氮化镓层的外表面被n电极覆盖；所述led芯片的外表面除了p电极和n电极的顶面之外的其余外表面均被防护层覆盖。
2.根据权利要求1所述的防水汽侵蚀的led芯片，其特征在于，所述防护层的材质包括sio2、sin、al2o3中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的防水汽侵蚀的led芯片，其特征在于，所述防护层的厚度范围为50nm-500nm。
4.权利要求1-3任一项所述的防水汽侵蚀的led芯片的制作工艺，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐盼盼，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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