【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在包括二维布置的存储单元的半导体存储器件的集成度中，单位存储单元所占据的平面面积可能是决定集成度的主要因素。因此，半导体存储器件的集成度可能受到用于形成精细图案的技术水平的极大影响。可以使用超高价的设备来提高半导体存储器件的集成度，但是半导体存储器件的集成度的提高仍然有限。因此，已经提出了包括三维布置的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种包括三维布置的存储单元的半导体器件。
2、本公开的方面还提供一种制造包括三维布置的存储单元的半导体器件的方法。
3、然而，本公开的方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
4、根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：堆叠结构，包括依次堆叠在衬底上的第一层和第二层，第一层包括第一半导体图案、第二半导体图案以及第一位线，第一半导体图案和第二半导体图案彼此间隔开并且在第一方向上延伸，第一位线在与第一方向不同的第二方向上延伸并且电连接到第一半导体图案和第二半导体图案，第二层包括第三半导体图案、第四半导体图案以及第二位线，第三半导体图案和第四半导体图案彼此间隔开并且在第一方向上延伸，第二位线在第二方向上延伸并且电连接到第三半导体图案和第四半导体图案，并且第一半导体图案至第四半导体图案中的每一个包括源极、沟道、漏极和底部电极；第一字线，在竖直方向
5、根据本公开的另一方面，一种半导体器件包括：衬底，包括电容器区、以及设置在电容器区的两侧的第一切换区和第二切换区；堆叠结构，包括依次堆叠在衬底上的多个层，多个层中的每一层包括多个单元晶体管和多个电容器，多个单元晶体管设置在第一切换区或第二切换区中，并且包括第一单元晶体管和第二单元晶体管，多个电容器设置在电容器区中，并且包括第一电容器和第二电容器，第一单元晶体管电连接到第一电容器，并且设置在第一切换区中，并且第二单元晶体管电连接到第二电容器，并且设置在第二切换区中；以及多条字线，竖直地布置在衬底上，并且电连接多个单元晶体管的栅极。
6、根据本公开的另一方面，一种半导体器件包括：堆叠结构，包括依次堆叠在衬底上的第一层和第二层，第一层包括第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案、第一位线以及第二位线，第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案彼此间隔开并且在第一方向上延伸，第一位线在与第一方向不同的第二方向上延伸并且电连接到第一半导体图案和第三半导体图案，第二位线电连接到第二半导体图案，第二层包括第四半导体图案、第五半导体图案和第六半导体图案、第三位线以及第四位线，第四半导体图案、第五半导体图案和第六半导体图案彼此间隔开并且在第一方向上延伸，第三位线在第二方向上延伸，并且电连接到第四半导体图案和第六半导体图案，第四位线电连接到第五半导体图案，并且第一半导体图案至第六半导体图案中的每一个包括源极、沟道、漏极和底部电极；第一字线，在竖直方向上连接第一半导体图案的沟道和第四半导体图案的沟道；第二字线，在竖直方向上连接第二半导体图案的沟道和第五半导体图案的沟道；第三字线，在竖直方向上连接第三半导体图案的沟道和第六半导体图案的沟道；以及隔离绝缘膜，被设置为在第一字线和第三字线之间在竖直方向上延伸，隔离绝缘膜与第一字线和第二字线接触，并且自对准。第一位线和第一字线之间的在第一方向上的第一距离与第一位线和第三字线之间的在第一方向上的第二距离不同，并且隔离绝缘膜形成为穿透第二半导体图案和第五半导体图案。
7、应当注意，本公开的效果不限于以上描述的那些，并且根据以下描述，本公开的其他效果将显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离绝缘膜与所述第一字线和所述第二字线接触并且自对准。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离绝缘膜在所述第一方向上的宽度比所述第一字线或所述第二字线在所述第一方向上的宽度大。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，连接所述第一字线的中心和所述第三字线的中心的假想线不与所述第二字线重叠。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
12.一种半导体器件，包括：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中
14.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：
15.根据
16.根据权利要求12所述的半导体器件，其中
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中
18.一种半导体器件，包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述隔离绝缘膜在所述第一方向上的宽度比所述第一字线或所述第三字线在所述第一方向上的宽度大。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离绝缘膜与所述第一字线和所述第二字线接触并且自对准。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离绝缘膜在所述第一方向上的宽度比所述第一字线或所述第二字线在所述第一方向上的宽度大。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，连接所述第一字线的中心和所述第三字线的中心的假想线不与所述第二字线重叠。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。