【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构。
技术介绍
1、相比于传统的硅材料，碳化硅材料的高禁带宽度、高导热率、高临界击穿电场强度以及高饱和载流子漂移速度等优点使其成为制作器件的理想半导体材料。
2、但是，由于碳化硅化学性质稳定，需采用等离子刻蚀工艺对碳化硅进行处理。然而，现有的等离子刻蚀工艺常由于气体流量升高的问题导致工艺无法进行。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解决等离子刻蚀中气体流量升高的问题的碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构。
2、第一方面，本申请提供了一种碳化硅的刻蚀方法，包括：提供碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底的底面形成底面齐平的平坦层；将所述形成平坦层后的碳化硅衬底放置于等离子刻蚀的反应腔内的静电吸盘上，使得所述静电吸盘与所述平坦层之间静电吸附；对所述碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀的过程中，经由所述静电吸盘上均匀分布的通气孔向所述碳化硅衬底提供惰性气体，利用所述惰性气体循环流动进行热传递来控制所述等离子刻蚀的温度为目标温度。
3、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述惰性气体包括氦气。
4、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述于所述碳化硅衬底的底面形成平坦层，包括：采用沉积工艺于所述碳化硅衬底的底面形成所述平坦层。
5、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述平坦层的材料包括二氧化硅。
6、在其中一个实施例中，所述的
7、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述对所述碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀，包括：于所述碳化硅衬底的正面形成图案化光阻层；根据所述图案化光阻层刻蚀所述碳化硅衬底。
8、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述对所述碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀之后，还包括：去除所述平坦层。
9、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述去除所述平坦层，包括：采用湿法刻蚀、干法刻蚀中的至少一种去除所述平坦层。
10、在其中一个实施例中，所述的碳化硅的刻蚀方法中，所述去除所述平坦层，包括如下特征中至少一种：采用氢氟酸通过湿法刻蚀去除所述平坦层；采用氟化物通过干法刻蚀去除所述平坦层。
11、第二方面，本申请还提供了一种碳化硅结构，采用本申请实施例中任一项所述的碳化硅的刻蚀方法制备而成。
12、上述碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构，具有如下有益效果：
13、本申请的碳化硅刻蚀方法，通过提供碳化硅衬底，于碳化硅衬底的底面形成底面齐平的平坦层，然后将形成平坦层后的碳化硅衬底放置于等离子刻蚀的反应腔内的静电吸盘上，使得静电吸盘与平坦层之间静电吸附，并对碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀，在等离子刻蚀过程中，经由静电吸盘上均匀分布的通气孔向碳化硅衬底提供惰性气体，利用惰性气体循环流动进行热传递来控制等离子刻蚀的温度为目标温度。本申请的刻蚀方法，通过在衬底的底面形成平坦层，使平坦层的底面齐平，提高了碳化硅结构的底面的平整度，将平坦层与静电吸盘之间静电吸附，由于平整度的提高，平坦层各个区域与静电吸盘之间的库仑力相对均匀，保证了平坦层的底面与通气孔之间的距离稳定性，从而避免了等离子刻蚀中气体流量升高的问题。
14、本申请的碳化硅结构通过在碳化硅衬底的底面形成平坦层，不但可以在对碳化硅衬底的正面进行刻蚀时保护衬底的底面，避免衬底产生缺陷，还可以通过平坦层改善碳化硅结构的底面的平整度，从而影响等离子刻蚀中的气体流量，避免气体流量升高造成工艺停止。
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1.一种碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气。
3.根据权利要求1所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述于所述碳化硅衬底的底面形成平坦层，包括：
4.根据权利要求3所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述平坦层的材料包括二氧化硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述平坦层的厚度范围包括：40纳米-200纳米。
6.根据权利要求1所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述对所述碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀，包括：
7.根据权利要求1-4任一项所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述对所述碳化硅衬底的正面进行等离子刻蚀之后，还包括：
8.根据权利要求7所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述平坦层，包括：
9.根据权利要求8所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述平坦层，包括如下特征中至少一种：
10.一种碳化硅结构，其特征在于，采用权利要求1-9中任
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气。
3.根据权利要求1所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述于所述碳化硅衬底的底面形成平坦层，包括：
4.根据权利要求3所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述平坦层的材料包括二氧化硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的碳化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述平坦层的厚度范围包括：40纳米-200纳米。
6.根据权利要求1所述的碳化硅的...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉华，魏丹珠，冷国庆，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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