System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统技术方案_技高网

基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统技术方案

技术编号:41147018 阅读:15 留言:0更新日期:2024-04-30 18:14
本发明专利技术提供了基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统,涉及数据处理技术领域,通过根据初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得光线透过率变化量和多个晶体结构质量变化的趋势曲线,进而生成优化磁控溅射参数进行抽样生产,当薄膜相变控制温度下的产品光线透过率变化量和晶体结构质量满足相应阈值时进行批量薄膜生产。解决了现有技术中存在温致变色弹性薄膜的生产控制参数确定受制于人工调参的主观性影响,导致生产控制参数的确定在耗费大量时间和资源的同时,间接降低温致变色弹性薄膜的生产效率的技术问题。达到了在降低温致变色弹性薄膜前期研发成本的同时,提升了温致变色弹性薄膜的生产效率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据处理,具体涉及基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统


技术介绍

1、在温致变色弹性薄膜生产过程中,确定生产控制参数的准确性和稳定性是非常关键的。然而,人工调参常常受到主观经验的影响,导致参数的优化变得复杂且耗时耗资源。这种依赖于人工主观判断的方法限制了对长期稳定性的全面考虑,而且由于调参的精度有限,可能需要多次调整,进一步降低了生产效率。

2、综上所述,现阶段存在温致变色弹性薄膜的生产控制参数确定需要基于工作人员的大批量试生产以及多次调整和修改,受制于人工调参的主观性影响,导致生产控制参数的确定在耗费大量时间和资源的同时,间接降低温致变色弹性薄膜的生产效率的缺陷。


技术实现思路

1、本申请提供了基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统,用于针对解决现有技术中存在温致变色弹性薄膜的生产控制参数确定需要基于工作人员的大批量试生产以及多次调整和修改,受制于人工调参的主观性影响,导致生产控制参数的确定在耗费大量时间和资源的同时,间接降低温致变色弹性薄膜的生产效率的技术问题。

2、鉴于上述问题,本申请提供了基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法及系统。

3、本申请的第一个方面,提供了基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法,所述方法包括:响应用户端,接收薄膜相变控制温度执行晶体结构映射,生成特征晶体;根据所述特征晶体对薄膜制备日志进行正样本回溯,生成初始磁控溅射参数;激活磁控溅射镀膜仪,抽空真空腔,基于所述初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得多个光线透过率变化量变化趋势曲线和多个晶体结构质量变化趋势曲线;根据所述多个光线透过率变化量变化趋势曲线和所述多个晶体结构质量变化趋势曲线执行所述初始磁控溅射参数的寻优,生成优化磁控溅射参数;根据所述优化磁控溅射参数进行抽样生产,获得所述薄膜相变控制温度下的光线透过率变化量评价值和晶体结构质量评价值;当所述光线透过率变化量评价值满足透过率变化量阈值,且所述晶体结构质量评价值满足晶体结构质量阈值,根据所述优化磁控溅射参数进行批量薄膜生产,否则,对所述优化磁控溅射参数继续优化。

4、本申请的第二个方面,提供了基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产系统,所述系统包括:特征晶体生成单元,用于响应用户端,接收薄膜相变控制温度执行晶体结构映射,生成特征晶体;溅射参数生成单元,用于根据所述特征晶体对薄膜制备日志进行正样本回溯,生成初始磁控溅射参数;抽样生产执行单元,用于激活磁控溅射镀膜仪,抽空真空腔,基于所述初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得多个光线透过率变化量变化趋势曲线和多个晶体结构质量变化趋势曲线;溅射参数寻优单元,用于根据所述多个光线透过率变化量变化趋势曲线和所述多个晶体结构质量变化趋势曲线执行所述初始磁控溅射参数的寻优,生成优化磁控溅射参数;优化生产执行单元,用于根据所述优化磁控溅射参数进行抽样生产,获得所述薄膜相变控制温度下的光线透过率变化量评价值和晶体结构质量评价值;持续优化判断单元,用于当所述光线透过率变化量评价值满足透过率变化量阈值,且所述晶体结构质量评价值满足晶体结构质量阈值,根据所述优化磁控溅射参数进行批量薄膜生产,否则,对所述优化磁控溅射参数继续优化。

5、本申请中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:

6、本申请实施例提供的方法通过响应用户端,接收薄膜相变控制温度执行晶体结构映射,生成特征晶体;根据所述特征晶体对薄膜制备日志进行正样本回溯,生成初始磁控溅射参数;激活磁控溅射镀膜仪,抽空真空腔,基于所述初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得多个光线透过率变化量变化趋势曲线和多个晶体结构质量变化趋势曲线;根据所述多个光线透过率变化量变化趋势曲线和所述多个晶体结构质量变化趋势曲线执行所述初始磁控溅射参数的寻优,生成优化磁控溅射参数;根据所述优化磁控溅射参数进行抽样生产,获得所述薄膜相变控制温度下的光线透过率变化量评价值和晶体结构质量评价值;当所述光线透过率变化量评价值满足透过率变化量阈值,且所述晶体结构质量评价值满足晶体结构质量阈值,根据所述优化磁控溅射参数进行批量薄膜生产,否则,对所述优化磁控溅射参数继续优化。达到了基于小批量生产参数调整以及温致变色弹性薄膜的试生产,即可获得符合预设要求的温致变色弹性薄膜生产控制参数,在降低温致变色弹性薄膜前期研发成本的同时,提升了温致变色弹性薄膜的生产效率的技术效果。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,响应用户端,接收薄膜相变控制温度执行晶体结构映射,生成特征晶体,包括:

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,通过所述薄膜相变温度测试值和所述薄膜主晶体结构标识,构建晶体结构映射空间,包括:

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,激活磁控溅射镀膜仪,抽空真空腔,基于所述初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得多个光线透过率变化量变化趋势曲线和多个晶体结构质量变化趋势曲线,包括:

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,对所述多组抽样生产薄膜进行测试,构建所述多个光线透过率变化量变化趋势曲线和所述多个晶体结构质量变化趋势曲线,包括:

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述多个光线透过率变化量变化趋势曲线和所述多个晶体结构质量变化趋势曲线执行所述初始磁控溅射参数的寻优,生成优化磁控溅射参数,包括:

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,对所述若干组磁控溅射参数赋值结果执行邻近单变量磁控溅射质量评价,获得若干个磁控溅射质量评价值,包括:

8.基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产系统,其特征在于,所述系统包括:

...

【技术特征摘要】

1.基于温度控制的温致变色弹性薄膜生产方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,响应用户端,接收薄膜相变控制温度执行晶体结构映射,生成特征晶体,包括:

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,通过所述薄膜相变温度测试值和所述薄膜主晶体结构标识,构建晶体结构映射空间,包括:

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,激活磁控溅射镀膜仪,抽空真空腔,基于所述初始磁控溅射参数进行控制变量抽样生产,获得多个光线透过率变化量变化趋势曲线和多个晶体结构质量变化趋势曲线,包括:

5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:周奕杰杨云龙刘鑫周建国
申请(专利权)人:纳琳威纳米科技南通有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1