【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。
2、相关技术中，led包括：依次层叠的n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层。其中，p型半导体层是具有单一的mg掺杂浓度的gan层。
3、然而，p型半导体层中用于提供空穴的mg的激活效率较低，会降低有效空穴的数量，从而导致电子和空穴的辐射复合效率较低，影响led的发光效率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，能提高led的发光效率。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管，包括：n型半导体层以及依次位于所述n型半导体层上的多量子阱层和p型半导体层；所述p型半导体层包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的掺杂mg的第一gan层、未掺杂mg的第二gan层和掺杂mg的第三gan层；所述第三gan层包括交替层叠的多个具有第一mg掺杂浓度的第一子层和多个具有第二mg掺杂浓度的第二子层，所述第二mg掺杂浓度大于所述第一mg掺杂浓度。
3、可选地，所述第一gan层包括沿远离所述多量子阱层的方向依次层叠的具有第三mg掺杂浓度的第三子层和具有第四mg掺杂浓度的第四子层，所述第四mg掺杂浓度大于所述第三mg掺杂浓度。
4、可选地，所述第一mg掺杂浓度为1*1019cm-3
5、可选地，所述第一gan层的厚度为60nm至140nm，所述第二gan层的厚度为1nm至5nm，所述第三gan层的厚度为30nm至70nm。
6、可选地，所述第一子层的厚度为2nm至6nm，所述第二子层的厚度为3nm至10nm，所述第三子层的厚度为20nm至60nm，所述第四子层的厚度为40nm至80nm。
7、可选地，所述第一子层和所述第二子层交替层叠的对数为2至10。
8、另一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，包括：提供一n型半导体层；依次在所述n型半导体层上形成多量子阱层和p型半导体层；其中，所述p型半导体层采用如下方式形成：在所述多量子阱层的远离所述n型半导体层的一侧形成掺杂mg的第一gan层；在所述第一gan层上形成未掺杂mg的第二gan层；在所述第二gan层上形成掺杂mg的第三gan层，所述第三gan层包括交替层叠的多个具有第一mg掺杂浓度的第一子层和多个具有第二mg掺杂浓度的第二子层，所述第二mg掺杂浓度大于所述第一mg掺杂浓度，所述第一子层采用tmga作为ga源且以第一生长速率形成，所述第二子层采用tega作为ga源且以第二生长速率形成，所述第一生长速率大于所述第二生长速率。
9、可选地，所述在所述多量子阱层的远离所述n型半导体层的一侧形成掺杂mg的第一gan层，包括：采用tmga作为ga源，以第三生长速率在所述多量子阱层的远离所述n型半导体层的一侧形成具有第三mg掺杂浓度的第三子层；采用tega作为ga源，以第四生长速率在所述第三子层上形成具有第四mg掺杂浓度的第四子层，所述第三生长速率大于所述第四生长速率，所述第四mg掺杂浓度大于所述第三mg掺杂浓度。
10、可选地，所述第一生长速率为1μm/h至1.5μm/h，所述第二生长速率为0.2μm/h至0.8μm/h。
11、可选地，所述第三生长速率为1μm/h至1.5μm/h，所述第四生长速率为0.2μm/h至0.8μm/h。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，依次层叠的掺杂mg的第一gan层、未掺杂mg的第二gan层和掺杂mg的第三gan层可以使p型半导体层形成凹形掺杂，提高了有效空穴的数量和空穴的注入效率；第三gan层包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，第一子层中的第一mg掺杂浓度较低，可以减少mg对光的吸收，第二子层中的第二mg掺杂浓度较高，可以提高mg的激活效率和掺杂效率，促进空穴的移动，提高电子和空穴的辐射复合效率。因此，这种的结构的p型半导体层可以减少p型半导体层对光的吸收，并有效提高电子和空穴的辐射复合效率，从而有效提高led的发光效率。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一GaN层(61)包括沿远离所述多量子阱层(40)的方向依次层叠的具有第三Mg掺杂浓度的第三子层(611)和具有第四Mg掺杂浓度的第四子层(612)，所述第四Mg掺杂浓度大于所述第三Mg掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述发光二极管，其特征在于，所述第一Mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第二Mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3，所述第三Mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第四Mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一GaN层(61)的厚度为60nm至140nm，所述第二GaN层(62)的厚度为1nm至5nm，所述第三GaN层(63)的厚度为30nm至70nm。
5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层(631)的厚度为2nm至6nm，所述第二子层(632)的厚度为3nm至10n
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层(631)和所述第二子层(632)交替层叠的对数为2至10。
7.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层(40)的远离所述N型半导体层(30)的一侧形成掺杂Mg的第一GaN层(61)，包括：
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一生长速率为1μm/h至1.5μm/h，所述第二生长速率为0.2μm/h至0.8μm/h。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第三生长速率为1μm/h至1.5μm/h，所述第四生长速率为0.2μm/h至0.8μm/h。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一gan层(61)包括沿远离所述多量子阱层(40)的方向依次层叠的具有第三mg掺杂浓度的第三子层(611)和具有第四mg掺杂浓度的第四子层(612)，所述第四mg掺杂浓度大于所述第三mg掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述发光二极管，其特征在于，所述第一mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第二mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3，所述第三mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第四mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一gan层(61)的厚度为60nm至140nm，所述第二gan层(62)的厚度为1nm至5nm，所述第三gan层(63)的厚度为30nm至70nm。
5.根据权利要求2所述的发光二极管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，龚逸品，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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