【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到极限，已提出在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括在第一方向上延伸的导电层；沟道结构，其位于栅极结构中并且从栅极结构的表面突出；狭缝结构，其位于栅极结构之间并且包括从栅极结构的表面突出的突起；以及压应力源，其连接到狭缝结构的突起并且在第一方向上延伸。
2、在实施方式中，一种半导体装置可包括：源极结构，其位于基板上；栅极结构，其位于基板上，包括在第一方向上延伸的栅极线，并且被设置为在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻；狭缝结构，其位于栅极结构之间并且沿着垂直于第一方向和第二方向二者的第三方向突出到源极结构中；以及氧化图案，其位于源极结构内以在第一方向上延伸，在源极结构内在第一方向上延伸，并且在第三方向上按压基板。
3、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：在基底上形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成穿过层叠物并且延伸到基底中的沟道结构；形成穿过层叠物并且延伸到基底中的狭缝；在狭缝的底表面上形成杂质区域；通过将杂质区域氧化来在基底内形成压应力源；以及在狭缝中形成连接到压应力源和
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1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构的所述突起包括突出表面和侧壁，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括硼B、磷P或砷As、或其组合。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括绝缘层。
11.一种半导体装置，该半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案连接到所述狭缝结构。
13.根据权利要求11所
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案包括硼B、磷P或砷As、或其组合。
15.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在形成所述杂质区域的步骤中，在所述基底的通过所述狭缝的所述底表面暴露的部分上形成所述杂质区域。
17.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在形成所述杂质区域的步骤中，在所述基底的通过所述狭缝的所述底表面暴露的部分上注入杂质。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述杂质包括硼B、磷P或砷As、或其组合。
19.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在形成所述压应力源的步骤中，通过所述狭缝选择性地将所述杂质区域氧化。
20.根据权利要求15所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
21.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在形成所述狭缝结构的步骤中，所述狭缝结构形成为连接到在所述压应力源和所述层叠物之间暴露的所述基底。
22.根据权利要求15所述的制造方法，其中，形成所述狭缝结构的步骤包括以下步骤：
23.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在形成所述狭缝结构的步骤中，在所述狭缝中形成绝缘层。
24.根据权利要求15所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求15所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
26.根据权利要求25所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构的所述突起包括突出表面和侧壁，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括硼b、磷p或砷as、或其组合。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括绝缘层。
11.一种半导体装置，该半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案连接到所述狭缝结构。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案包括掺杂剂。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案包括硼b、磷p或砷as、或其组合。
15.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴在永，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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