System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种GIS局部放电的干扰信号识别方法及装置制造方法及图纸_技高网

一种GIS局部放电的干扰信号识别方法及装置制造方法及图纸

技术编号:41135061 阅读:6 留言:0更新日期:2024-04-30 18:06
本发明专利技术公开了一种GIS局部放电的干扰信号识别方法及装置,所述方法应用于待检测GIS设备,所述待检测GIS设备包括GIS中心导体以及GIS外壳,所述GIS外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;所述干扰信号识别方法,包括:获取待检测GIS设备的第一输出峰值、待检测GIS设备的第二输出峰值、GIS中心导体的半径、GIS外壳的半径、待检测GIS设备的磁导率以及介电常数;根据上述获取的参数确定第一局部特征阻抗和第二局部特征阻抗;根据第一局部特征阻抗和第二局部特征阻抗确定第一阈值;在第一阈值小于第二阈值,或第一阈值大于第三阈值时,判定为干扰信号;其中,第二阈值小于第三阈值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力设备监测,尤其涉及一种gis局部放电的干扰信号识别方法及装置。


技术介绍

1、局部放电会对电气设备的绝缘性能造成严重威胁,监测并分析设备局部放电信号是开展电力设备绝缘诊断的重要手段。gis内部出现的局部放电会激发特高频电磁波,而gis内部的同轴结构可以作为良好的波导,使电磁波信号以较小的衰减传播。特高频法即是通过检测局部放电产生的特高频电磁波来检测设备绝缘缺陷的一种方法,是目前在变电站现场对电力设备局部放电信号进行在线测量的一种常用方法。

2、然而在实际变电站进行局部放电测量时,除绝缘缺陷局部放电激发的特高频信号外,空间中还存在着许多线路与外部的环境干扰信号。其中,环境中的干扰信号如无线电干扰、近路电磁场等会与电磁传感器中的检测信号耦合,且难以通过计算信号时延等方法直接滤除。这些外部干扰脉冲会对设备绝缘状态的评估结果产生很大影响,并可能造成设备状态监测装置的误报警,从而影响系统的安全稳定,导致人力物力成本增加。

3、对于干扰信号,在现有技术中,对干扰信号进行判别的方法大多以放电数据驱动,并基于机器学习算法完成,如利用放电信号的特征对信号进行聚类等。然而机器学习方法的前提是需要有此前大量的放电数据作为支撑,并对模型进行训练以及参数调试,在训练集中的数据样本较少时,机器学习算法的检测准确率较低。且基于模型对干扰信号进行判别的方法由于需要历史数据的支撑训练,因此,难以直接在变电站现场使用。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种gis局部放电的干扰信号识别方法及装置,能有效解决现有技术基于模型对干扰信号进行判别时需依赖大量训练数据无法在变电站现场直接检测干扰信号的问题,提高在变电站现场检测干扰信号的便捷性和检测准确性。

2、本专利技术一实施例提供一种gis局部放电的干扰信号识别方法,应用于待检测gis设备,所述待检测gis设备包括gis中心导体以及gis外壳,所述gis外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;

3、所述干扰信号识别方法,包括:

4、获取待检测gis设备的第一输出峰值、待检测gis设备的第二输出峰值、gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数;其中,所述第一输出峰值是由电传感器获取的局部放电电场信号峰值,所述第二输出峰值是由磁传感器获取的局部放电电流信号峰值;

5、根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗;

6、根据第一输出峰值以及第二输出峰值确定第二局部特征阻抗;

7、根据第一局部特征阻抗和第二局部特征阻抗确定第一阈值;

8、在第一阈值小于第二阈值,或第一阈值大于第三阈值时,判定为干扰信号;其中,第二阈值小于第三阈值。

9、进一步地,在根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗之前,还包括:

10、获取电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载;

11、根据电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数;

12、所述根据第一输出峰值以及第二输出峰值确定第二局部特征阻抗,包括:

13、根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗。

14、进一步地,所述根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗,包括:

15、通过以下公式确定第一局部特征阻抗:

16、

17、

18、其中,z0为所述第一局部特征阻抗;μ为待检测gis设备的磁导率;ε为待检测gis设备的介电常数;a为gis中心导体的半径;b为gis外壳的半径;η为波阻抗。

19、进一步地,所述根据电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数,包括:

20、通过以下公式确定标度函数:

21、

22、

23、

24、其中,α为标度函数;c1为gis中心导体的电容耦合;c2为电传感器到gis外壳的电容;re为电传感器的负载;rm为磁传感器的负载;m为磁传感器的磁耦合;l为磁传感器的自感。

25、进一步地,所述根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗,包括:

26、通过以下公式确定第二局部特征阻抗:

27、

28、其中,z0′为所述第二局部特征阻抗;α为标度函数;ve-peak为第一输出峰值;vm-peak为第二输出峰值。

29、在上述方法项实施例的基础上,本专利技术对应提供了装置项实施例;

30、本专利技术一实施例对应提供了一种gis局部放电的干扰信号识别装置,包括:待检测gis设备,所述待检测gis设备包括gis中心导体以及gis外壳,所述gis外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;

31、所述电传感器,用于获取待检测gis设备的第一输出峰值,并将所述第一输出峰值传输至待检测gis设备;

32、所述磁传感器,用于获取待检测gis设备的第二输出峰值,并将所述第二输出峰值传输至待检测gis设备;

33、所述待检测gis设备,用于获取gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数;根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗;根据第一输出峰值以及第二输出峰值确定第二局部特征阻抗;根据第一局部特征阻抗和第二局部特征阻抗确定第一阈值;在第一阈值小于第二阈值,或第一阈值大于第三阈值时,判定为干扰信号;其中,第二阈值小于第三阈值。

34、进一步地,所述待检测gis设备,在根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗之前,还用于:

35、获取电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载;

36、根据电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数;

37、所述根据第一输出峰值以及第二输出峰值确定第二局部特征阻抗,包括:

38、根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗。

39、进一步地,所述根据gis中心导体的半径、gis本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GIS局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,应用于待检测GIS设备,所述待检测GIS设备包括GIS中心导体以及GIS外壳,所述GIS外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;

2.如权利要求1所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,在根据GIS中心导体的半径、GIS外壳的半径、待检测GIS设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗之前,还包括:

3.如权利要求2所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据GIS中心导体的半径、GIS外壳的半径、待检测GIS设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗,包括:

4.如权利要求3所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据电传感器与GIS中心导体的电容耦合、电传感器到GIS外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数,包括:

5.如权利要求4所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗,包括:

6.一种GIS局部放电的干扰信号识别装置,其特征在于,包括:待检测GIS设备,所述待检测GIS设备包括GIS中心导体以及GIS外壳,所述GIS外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;

7.如权利要求6所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别装置,其特征在于,所述待检测GIS设备,在根据GIS中心导体的半径、GIS外壳的半径、待检测GIS设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗之前,还用于:

8.如权利要求7所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别装置,其特征在于,所述根据GIS中心导体的半径、GIS外壳的半径、待检测GIS设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗,包括:

9.如权利要求8所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别装置,其特征在于,所述根据电传感器与GIS中心导体的电容耦合、电传感器到GIS外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数,包括:

10.如权利要求9所述的一种GIS局部放电的干扰信号识别装置,其特征在于,所述根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种gis局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,应用于待检测gis设备,所述待检测gis设备包括gis中心导体以及gis外壳,所述gis外壳一安装孔中安装有一电传感器和一磁传感器;

2.如权利要求1所述的一种gis局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,在根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗之前,还包括:

3.如权利要求2所述的一种gis局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据gis中心导体的半径、gis外壳的半径、待检测gis设备的磁导率以及介电常数确定第一局部特征阻抗,包括:

4.如权利要求3所述的一种gis局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据电传感器与gis中心导体的电容耦合、电传感器到gis外壳的电容、磁传感器的磁耦合、磁传感器的自感、电传感器的负载以及磁传感器的负载确定标度函数,包括:

5.如权利要求4所述的一种gis局部放电的干扰信号识别方法,其特征在于,所述根据第一输出峰值、第二输出峰值以及所述标度函数确定第二局部特征阻抗,包括:

6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗颖婷江俊飞饶章权王磊李端姣刘建明赖诗钰
申请(专利权)人:广东电网有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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