【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在本背景部分中描述的信息以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及在半导体设备的形成中蚀刻含碳层。
3、在形成半导体器件时，蚀刻孔或其他特征。诸如无定形碳层掩模之类的含碳层可以用作用于蚀刻特征的掩模。在无定形碳层掩模中形成高深宽比通道特征时，蚀刻处理具有弯曲、堵塞、cd、椭圆率、局部cd均匀性(lcdu)和吞吐量的特征。各种处理试图优化这些不同的特性。然而，在改善一种特性的过程中，有时会使另一种特性变得更差。
技术实现思路
1、为了实现上述目的并且根据本公开的目的，提供了一种用于在掩模下方的含碳层中蚀刻特征的方法。提供同时蚀刻和钝化步骤，包括使包括含硼钝化剂气体和含氧气体的蚀刻气体流动。由蚀刻气体产生等离子体，其中等离子体蚀刻含碳层中的特征。
2、在另一种表现形式中，提供了一种用于处理具有含碳层的晶片的设备。提供了处理室。衬底支撑件支撑处理室内的衬底。线圈在处理室内提供射频功率。同时向处理室中提供含硼钝化剂和氧气的气体系统包括含硼钝化剂源和氧气源。
3、下面将在具体实施方式中并结合附图更详细地描述本公开的这些和其他特征。
【技术保护点】
1.一种用于在掩模下方的含碳层中蚀刻特征的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼钝化剂气体是BCl3、(BF3)、BBr3、BxHy(其中x和y是正整数)和BDxHy(其中D是卤素且x和y是正整数)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有小于80nm的CD和大于50的深宽比。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括蚀刻所述含碳层下方的堆叠件，其中所述含碳层充当掩模。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述堆叠件是3D NAND堆叠件或DRAM堆叠件或其他逻辑堆叠件或存储器堆叠件。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括不使用钝化气体的蚀刻，其包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述不含钝化气体的蚀刻气体流动包括使所述蚀刻气体与含硫组分流动。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体不含硫。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体不含卤素。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳层包括无定形碳。
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12.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征形成宽度CD在150nm至200nm范围内的狭缝。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼钝化剂和含氧气体在流入处理室之前混合。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述蚀刻气体产生所述等离子体之前，将所述含硼钝化剂和含氧气体在处理室中混合。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有在150nm至200nm范围内的CD。
16.用于处理具有含碳层的晶片的装置，其包括：
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述气体系统进一步包括连接到所述含硼钝化剂源和所述氧气源的气室，其中所述含硼钝化剂和所述氧在进入所述处理室之前在所述气室中混合。
18.根据权利要求16所述的装置，其中所述气体系统还包括可控制地连接到所述含硼钝化剂源和所述氧气源的控制器，其中所述控制器包括用于使所述含硼钝化剂和所述氧同时流入所述处理室的计算机可读代码。
19.根据权利要求16所述的装置，其还包括加热器，所述加热器被定位成加热来自所述含硼钝化剂源的含硼钝化剂。
20.根据权利要求16所述的装置，其中所述处理室包括保护涂层，所述保护涂层包括稀土氧化物、稀土氟化物或稀土氟氧化物中的至少一种。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在掩模下方的含碳层中蚀刻特征的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼钝化剂气体是bcl3、(bf3)、bbr3、bxhy(其中x和y是正整数)和bdxhy(其中d是卤素且x和y是正整数)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有小于80nm的cd和大于50的深宽比。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括蚀刻所述含碳层下方的堆叠件，其中所述含碳层充当掩模。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述堆叠件是3d nand堆叠件或dram堆叠件或其他逻辑堆叠件或存储器堆叠件。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括不使用钝化气体的蚀刻，其包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述不含钝化气体的蚀刻气体流动包括使所述蚀刻气体与含硫组分流动。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体不含硫。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体不含卤素。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳层包括无定形碳。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述掩模包括sion。
12.根据权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓峰，普里亚达西尼·苏布兰马尼安，谭忠魁，木村吉江，严浩泉，丹尼斯·安德烈耶维奇·西敏，李婧，陈怡君，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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