【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及软磁性纳米线和含有该软磁性纳米线的涂料以及涂布该涂料而成的层叠体。
技术介绍
1、软磁性材料广泛用于马达的铁芯、电磁阀、各种传感器、磁场屏蔽、电磁波吸收材料等各种用途。一般而言，为了在各用途中得到良好的性能，优选软磁性材料具有高磁导率、高饱和磁化强度、低矫顽力。这些特性值越良好，在各用途中发挥越优异的性能。
2、特别是，铁为饱和磁化强度高的软磁性材料，应用于传感器、铁芯材料、磁场屏蔽等。进而，在铁材料中，各向异性高的材料由于具有低退磁场和渗流阈值，因此期待作为软磁性材料。
3、软磁性材料通过赋予各向异性，能够抑制退磁场，使磁导率变高。因此，可知专利文献1、非专利文献1等软磁性的纳米线与软磁性的粒子相比为磁导率优异的材料。
4、作为具有各向异性的软磁性材料，例如，在非专利文献2和3中公开了一种含有铁和硼的纳米线。
5、另一方面，近年来，在第5代移动通信系统、先进驾驶辅助系统中，准毫米波、毫米波区域的高频电磁波利用正在迅速发展。高频信号在利用天线进行信号的接收传送时，为了抑制信号的传输损耗、延迟，需要缩短从天线到rfic(radio frequency integratedcircuit，射频集成电路)或电源单元的电路长度。因此，使用毫米波的天线以用aip(天线封装)进行封装成为主流。
6、因aip的小型化而导致各单元过于密集，由此需要防止因各自所产生的噪声所致的特性降低。现在，虽然对每个单元实施了电磁波屏蔽，但需要考虑到反射噪声、漏噪声、进而在电磁波屏蔽内产
7、为了消除反射噪声、环路电流，考虑了使用电磁波吸收体(例如专利文献1～3)。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：国际公开2021/107136号小册子
11、专利文献2：日本特开2001－077584号公报
12、专利文献3：日本特开2017－165996号公报
13、非专利文献
14、非专利文献1：advanced powder technology(2016),27,p704-710.
15、非专利文献2：journal of applied physics(2011),109,07b527
16、非专利文献3：j.chin.chem.soc.2012,59,“synthesis and charact
技术实现思路
1、然而，专利文献1的纳米线的矫顽力高，作为软磁性材料的性能并不充分。非专利文献1～3的纳米线由于长度较短，缺乏各向异性，因此作为软磁性材料的性能(特别是相对磁导率)并不充分。
2、另外，如专利文献2那样的现行电磁波吸收体由于吸收频带窄，需要几mm的厚度，因此并不适用于以缩短电路长度为目的的向小型化发展的aip。另外，专利文献3中公开了一种使用纳米线的电磁波吸收体。然而，专利文献3的电磁波吸收体的性能并不充分，特别是在薄型化上存在课题。
3、为了薄型化，考虑提高所使用的纳米线的饱和磁化强度、相对磁导率，也考虑提高纳米线中的铁的含有率。然而，以往的纳米线的铁的含有率如专利文献1的实施例所记载的那样极限为65质量％，无法通过普通的方法来实现超过65质量％。因此，以往，能够通过使用纳米线而得到具有优异的电磁波吸收性的电磁波吸收体。
4、本专利技术(特别是后述的实施方式1、2所涉及的专利技术)的目的在于提供一种饱和磁化强度和相对磁导率更充分高且矫顽力更充分低的软磁性纳米线。
5、本专利技术(特别是后述的实施方式3所涉及的专利技术)是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种电磁波吸收体，该电磁波吸收体即便以较薄厚度，在5g无线通信所使用的26.5～40ghz的频带或者毫米波雷达所使用的74～81ghz的频带中的至少一者的频带(通常为上述频带中的任一者的频带)中也具有更充分优异的电磁波吸收性。
6、本专利技术人等进行了深入研究，结果发现通过将含有铁盐(以及根据需要的钴盐和/或镍盐)的溶液使用含有硼的还原剂进行还原，并使平均长度为5μm以上，能实现上述目的，从而完成了本专利技术。
7、即，本专利技术的主旨如下。
8、＜1＞一种软磁性纳米线，含有铁和硼，
9、平均长度为5μm以上，并且通过sem－eds法测定的该纳米线中的铁/硼的摩尔比小于5。
10、＜2＞根据＜1＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁的含量为15质量％以上，
11、相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，硼的含量为0.1～20质量％。
12、＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，钴和镍各自的含量为0.1质量％以下，
13、相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁的含量为70质量％以上，
14、相对于纳米线总量，上述纳米线中的硼的含量为3.5质量％以上，
15、相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁和硼以外的元素的含量为25质量％以下。
16、＜4＞根据＜3＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁的含量为85质量％以上。
17、＜5＞根据＜4＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，上述纳米线中的硼的含量为3.5质量％以上，
18、相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁和硼以外的元素的含量为15质量％以下。
19、＜6＞根据＜3＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁的含量为89质量％以上，
20、相对于纳米线总量，上述纳米线中的硼的含量为4质量％以上，。
21、＜7＞根据＜6＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，上述纳米线中的铁和硼以外的元素的含量为8质量％以下。
22、＜8＞根据＜1＞或＜2＞所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，钴和镍的合计含量为1～60质量％。
23、＜9＞根据＜8＞所述的软磁性纳米线，其中，满足以下的条件(p1)或(p2)中的至少一者。
24、条件(p1)：相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁的含量为60质量％以上；或者
25、条件(p2)：相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁和钴的合计含量为84质量％以上。
26、＜10＞根据＜8＞所述的软磁性纳米线，其中，满足以下的条件(q1)或(q2)中的至少一者。
27、条件(q1)：相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁的含量为73.5质量％以上；或者
28、条件(q2)：相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁和钴的合计含量为84～90质量％。
29、＜11＞根据＜8＞～＜10＞中任一项所述的软磁性纳米线，其中，进一步含有硅，
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1.一种软磁性纳米线，含有铁和硼，
2.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁的含量为15质量％以上，
3.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，钴和镍各自的含量为0.1质量％以下，
4.根据权利要求3所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁的含量为85质量％以上。
5.根据权利要求4所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的硼的含量为3.5质量％以上，
6.根据权利要求3所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁的含量为89质量％以上，
7.根据权利要求6所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁和硼以外的元素的含量为8质量％以下。
8.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，钴和镍的合计含量为1～60质量％。
9.根据权利要求8所述的软磁性纳米线，其中，满足以下的条件(P1)或(P2)中的至少一者，
10
11.根据权利要求8所述的软磁性纳米线，其中，进一步含有硅，
12.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，使用振动样品型磁力计而测定的饱和磁化强度为40emu/g以上，
13.一种软磁性纳米线的制造方法，是制造权利要求1～12中任一项所述的软磁性纳米线的方法，
14.根据权利要求13所述的软磁性纳米线的制造方法，其中，所述金属离子进一步含有钴离子和/或镍离子。
15.一种涂料，含有权利要求1～12中任一项所述的软磁性纳米线。
16.一种层叠体，具有将权利要求15所述的涂料涂布于基材上而成的涂膜。
17.一种成型体，含有权利要求1～12中任一项所述的软磁性纳米线。
18.一种片材，含有权利要求1～12中任一项所述的软磁性纳米线。
19.一种电磁波屏蔽材料，含有权利要求1～12中任一项所述的软磁性纳米线。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种软磁性纳米线，含有铁和硼，
2.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，铁的含量为15质量％以上，
3.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，钴和镍各自的含量为0.1质量％以下，
4.根据权利要求3所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁的含量为85质量％以上。
5.根据权利要求4所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的硼的含量为3.5质量％以上，
6.根据权利要求3所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁的含量为89质量％以上，
7.根据权利要求6所述的软磁性纳米线，其中，相对于纳米线总量，所述纳米线中的铁和硼以外的元素的含量为8质量％以下。
8.根据权利要求1所述的软磁性纳米线，其中，相对于铁、钴、镍、硼和硅的合计含量，钴和镍的合计含量为1～60质量％。
9.根据权利要求8所述的软磁性纳米线，其中，满足以下的条件(p1)...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹田裕孝，三代真澄，高桥菜保，
申请(专利权)人：尤尼吉可株式会社，
类型：发明
国别省市：
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