【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、薄膜晶体管(thin-film transistors，tft)是一种在显示领域广泛应用的场效应晶体管(field effect transistors，fet)。不论是有源液晶显示产品(amlcd)还是有源矩阵有机发光二极管显示产品(amoled)中，都必须由薄膜晶体管参与其开关与驱动过程。作为显示产品的核心器件，薄膜晶体管的性能将直接影响显示产品的性能和寿命。
2、然而，现有薄膜晶体管存在器件性能不稳定的问题，导致显示面板的性能提升受到限制，不能满足高性能显示产品的驱动需求。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，使得薄膜晶体管具有高迁移率及高稳定性。
2、第一方面，本申请提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
3、基板；
4、半导体层，所述半导体层设置于所述基板，所述半导体层包括金属氧化物，且所述半导体层具有依次相连的顶面、周侧面及底面，所述半导体层的底面正对所述基板；
5、第一栅极，所述第一栅极设置于所述半导体层邻近所述基板的一侧，且所述第一栅极至少部分正对所述半导体层的底面；及
6、第二栅极，所述第二栅极设置于所述半导体层背离所述第一栅极的一侧，所述第二栅极包括第一子栅极部及第二子栅极部，所述第一子栅极部至少部分正对所述半导体层的顶面，所述第二子栅极部至少部分正对所述半导体层的周侧面，且
7、其中，所述薄膜晶体管还包括源漏极，所述源漏极包括第一电极部及第二电极部，所述第一电极部设置于所述第二栅极背离所述基板的一侧，所述第一电极部延伸至所述第二栅极的边缘，所述第二电极部至少部分正对所述半导体层的周侧面。
8、其中，所述第二栅极邻近所述第一栅极的部分与所述第一栅极邻近所述第二栅极的部分具有相同的材质；
9、所述第一电极部邻近所述第二栅极的部分与所述第二栅极邻近所述第一电极部的部分具有相同的材质。
10、其中，所述半导体层为单层金属氧化物层，所述金属氧化物层包括非晶金属氧化物或多晶金属氧化物，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
11、其中，所述半导体层包括多层金属氧化物层，所述多层金属氧化物层包括层叠设置的第一子层及第二子层，所述第一子层与所述第二子层具有不同的迁移率，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
12、其中，所述薄膜晶体管还包括：
13、第一绝缘层，所述第一绝缘层夹设于半导体层及所述第一栅极之间，所述第一绝缘层具有沿第一方向延伸的第一通孔，所述第一方向为所述基板与所述半导体层的排布方向；及
14、第二绝缘层，所述第二绝缘层夹设于所述半导体层及所述第二栅极之间，所述第二绝缘层具有沿所述第一方向延伸的第二通孔，所述第二通孔至少部分正对所述第一通孔，且所述第二子栅极部至少部分收容于所述第一通孔及所述第二通孔内。
15、其中，所述薄膜晶体管还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述第二栅极背离所述基板的一侧，所述第三绝缘层具有第三通孔，所述第二绝缘层还具有第四通孔，所述半导体层显露于所述第四通孔，所述第四通孔至少部分正对所述第三通孔，所述第二电极部至少部分收容于所述第三通孔及所述第四通孔内。
16、其中，所述第一绝缘层包括层叠设置的第一膜层及第二膜层，所述第一膜层邻近所述第一栅极设置，所述第二膜层邻近所述第二栅极设置，且所述第一膜层的材质包括氮化硅、氮氧化硅的一种，所述第二膜层的材质包括氧化铝；
17、所述第二绝缘层为单层膜层或多层膜层，且所述第三绝缘层为单层膜层或多层膜层。
18、第二方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括驱动电路及阵列基板，所述阵列基板包括阵列排布的所述薄膜晶体管，所述驱动电路电连接于所述薄膜晶体管，并用于控制所述薄膜晶体管的工作运行。
19、第三方面，本申请还提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：
20、提供基板；
21、制备第一栅极，所述第一栅极设置于所述基板；
22、制备半导体层，所述半导体层设置于所述第一栅极背离所述基板的一侧，所述半导体层包括金属氧化物，所述半导体层具有依次相连的顶面、周侧面及底面，所述半导体层的底面正对所述基板，且所述第一栅极至少部分正对所述半导体层的底面；
23、制备第二栅极，所述第二栅极设置于所述半导体层背离所述第一栅极的一侧，所述第二栅极包括第一子栅极部及第二子栅极部，所述第一子栅极部至少部分正对所述半导体层的顶面，所述第二子栅极部至少部分正对所述半导体层的周侧面，且所述第二子栅极部抵接且电连接至所述第一栅极。
24、其中，所述方法还包括在所述第一栅极背离所述基板的表面制备第一绝缘膜层，且所述制备半导体层包括：
25、在所述第一绝缘膜层背离所述第一栅极的表面沉积半导体膜层，所述半导体膜层为单层非晶金属氧化物、或单层多晶金属氧化物、或多层金属氧化物，且所述多层金属氧化物包括层叠设置的第一子层及第二子层，所述第一子层与所述第二子层具有不同的迁移率；
26、对所述半导体膜层进行退火处理并得到半导体层，其中，退火的温度范围满足260℃-450℃，退火的时间范围满足30min-90min。
27、其中，所述方法还包括：
28、在所述半导体层背离所述基板的表面制备第二绝缘膜层；
29、对所述第一绝缘膜层及所述第二绝缘膜层进行打孔，并得到第一绝缘层及第二绝缘层，所述第一绝缘层具有沿第一方向延伸的第一通孔，所述第一方向为所述基板与所述半导体层的排布方向，所述第二绝缘层具有沿所述第一方向延伸的第二通孔，所述第二通孔至少部分正对所述第一通孔；
30、在所述第二绝缘层背离所述半导体层的表面制备所述第二栅极，且所述第二栅极包括第一子栅极部及第二子栅极部，所述第一子栅极部至少部分正对所述半导体层的顶面，所述第二子栅极部收容于所述第一通孔及所述第二通孔内，并至少部分正对所述半导体层的周侧面。
31、本实施方式提供的薄膜晶体管包括基板、半导体层、第一栅极及第二栅极，所述半导体层包括金属氧化物，使得所述薄膜晶体管实现较高迁移率的器件特性，满足对所述薄膜晶体管电流驱动能力的高要求。且所述第二子栅极部正对于所述半导体层的周侧面设置并抵接至所述第一栅极，使得所述第二栅极与所述第一栅极相互配合并减少薄膜晶体管顶部、底部及侧面光线对所述半导体层的照射，从而避免所述半导体层因光线照射而造成所述薄膜晶体管的特性退化，进而有效地保障所述薄膜晶体管的性能稳定性。所述薄膜晶体管通过对半导体层材料选择及器件遮光结构设计，使得所述薄膜晶体管兼具高迁移率及器件稳定性，从而满足显示面板高性能的产品需求。
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1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括源漏极，所述源漏极包括第一电极部及第二电极部，所述第一电极部设置于所述第二栅极背离所述基板的一侧，所述第一电极部延伸至所述第二栅极的边缘，所述第二电极部至少部分正对所述半导体层的周侧面；
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为单层金属氧化物层，所述金属氧化物层包括非晶金属氧化物或多晶金属氧化物，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层包括多层金属氧化物层，所述多层金属氧化物层包括层叠设置的第一子层及第二子层，所述第一子层与所述第二子层具有不同的迁移率，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述第二栅极背离所
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括驱动电路及阵列基板，所述阵列基板包括阵列排布的如权利要求1～6任意一项所述的薄膜晶体管，所述驱动电路电连接于所述薄膜晶体管，并用于控制所述薄膜晶体管的工作运行。
8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一栅极背离所述基板的表面制备第一绝缘膜层，且所述制备半导体层包括：
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括源漏极，所述源漏极包括第一电极部及第二电极部，所述第一电极部设置于所述第二栅极背离所述基板的一侧，所述第一电极部延伸至所述第二栅极的边缘，所述第二电极部至少部分正对所述半导体层的周侧面；
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为单层金属氧化物层，所述金属氧化物层包括非晶金属氧化物或多晶金属氧化物，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层包括多层金属氧化物层，所述多层金属氧化物层包括层叠设置的第一子层及第二子层，所述第一子层与所述第二子层具有不同的迁移率，且所述金属氧化物层的材料包括稀土元素、铟、镓及锌中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶宁，李广圣，蒋雷，黄学勇，宁和俊，朱成顺，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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